ＣｏｏｌＭＯＳ结构中纵向Ｐ型区的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣｏｏｌＭＯＳ结构中纵向Ｐ型区的形成方法，通过在Ｎ型外延上开深沟槽，然后再利用外延工艺在沟槽内生长出Ｐ型单晶硅形成在Ｎ型外延上的Ｐ型区域，然后通过回刻工艺将槽内生长的Ｐ型外延单晶刻蚀到与沟槽表面平齐，以形成ＣｏｏｌＭＯＳ的纵向Ｐ型区域。该方法减少了工艺的复杂度和加工时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造工艺方法，具体涉及一种CoolM0S( —种高压M0S场效应晶体管)的制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
CoolMOS是一种新型的高压MOSFET (MOS场效应晶体管)结构，其优点在于该器件在耐高压工作的同时可以提供比传统高压MOSFET小一个数量级的导通电阻。 CoolMOS的特征结构是在于在N型外延区引入了很多从外延顶部延伸到沉底区的P型区域，导致MOS管在高压工作状态下除了产生纵向的从漏极到源极的电场外，还有由于横向的PN区出现的横向电场。在不同方向上电场的共同作用下导致电场在横向和纵向上的均匀分布，从而实现在低电阻率外延片上制成高耐压MOS管。 CoolMOS的N型外延上的P型区的形成有多种方法，通常的方法是在外延生长过程中采用多次扩散的方法来实现，包括如下工艺步骤 步骤1 ，如图1所示，外延生长后，通过光刻胶定义出P区，然后进行P型注入退火； 步骤2，如图2所示，再一次外延生长，通过光刻胶定义出P区，然后进行P型注入退火； 步骤3，如图3所示，多次重复上述步骤达到所需外延厚度，同时完成纵向P区的形成。 步骤4，如图4所示，栅二氧化硅膜生长，栅极多晶硅(多晶栅)生长，体注入形成体区，源注入形成源区等形成CoolMOS。 CoolMOS作为一种新型高压器件，凭借其特殊结构带来的低导通电阻，低功耗和低开关时间的优势，在高压应用领域有很大的竞争优势。但是，如上所述的传统的多次外延、光刻、注入的加工方式使工艺复杂化，限制了产品的加工成本和生产期。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，该方法减少了工艺的复杂度和加工时间。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种，包括如下步骤 (1)在硅衬底上一次性生长N型外延； (2)在N型外延上生长一层二氧化硅膜，然后在N型外延上选定要生长P型区的部分开深沟槽； (3)在保留表面二氧化硅膜的状态下，利用外延方法生长P型外延硅用以填充深沟槽； (4)用回刻工艺去除在二氧化硅膜表面生长出的外延硅，并将深沟槽内的P型外延刻蚀到接近N型外延表面； (5)去除二氧化硅膜，露出外延表面，在外延上生长栅二氧化硅膜，在栅二氧化硅膜上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区，最终形成CoolM0S的纵向P型区外延结构。 步骤(3)利用外延方法生长P型外延硅用以填充深沟槽，在深沟槽内部形成P型单晶硅。 步骤(4)利用二氧化硅膜作为刻蚀停止层，对P型外延进行回刻，去除在二氧化硅膜表面生长出的P型外延硅，并控制沟槽区的P型外延被刻蚀到接近N型外延表面，保证硅片表面的平整。 步骤(5)采用湿法腐蚀去除二氧化硅膜。 和现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果相比传统的多次外延生长，光刻，注入的方法，本专利技术减少了工艺的复杂度和加工时间。本专利技术可以在外延一次性生长好的基础上进行P型区域的形成，简化了现有工艺应用的多次外延，光刻，注入的工艺过程。本专利技术提出在保留沟槽表面二氧化硅膜的情况下在沟槽内生长外延，可以达到只有在沟槽内部形成单晶硅的选择性生长外延的效果，还可以作为下一步回刻工艺掩膜，方便了工艺加工。利用本专利技术所提出的方法可以大大减少在生产加工上的限制，进一步提高产品的竞争力。附图说明 图1是现有技术的步骤1完成后晶体管的结构示意图； 图2是现有技术的步骤2完成后晶体管的结构示意图； 图3是现有技术的步骤3完成后晶体管的结构示意图； 图4是现有技术的步骤4完成后晶体管的结构示意图； 图5是本专利技术的步骤1完成后晶体管的结构示意图； 图6是本专利技术的步骤2完成后晶体管的结构示意图； 图7是本专利技术的步骤3完成后晶体管的结构示意图； 图8是本专利技术的步骤4完成后晶体管的结构示意图； 图9是本专利技术的步骤5完成后晶体管的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明。 本专利技术提出了一种在EPI(外延)上开深沟槽，然后再利用外延工艺在沟槽内生长出P型单晶硅形成在N外延上的P型区域，然后通过回刻工艺将槽内生长的P型外延单晶刻蚀到与沟槽表面平齐，以形成CoolM0S的纵向P型区域。 本专利技术通过选择性外延加回刻工艺的方式来形成CoolM0S的纵向P区，采用的主要工艺步骤如下(参考图2): 步骤1.如图5所示，在硅衬底上直接一次性生长N型外延，外延厚度按照器件应用要求来定； 步骤2.如图6所示，在N型外延生长后，在外延区上再生长一层二氧化硅膜，该二氧化硅膜作为刻蚀深沟槽时的表面保护膜和后面步骤4提到的回刻工艺的刻蚀停止层，二4氧化硅膜厚度的选择根据需要加工的沟槽深度和沟槽加工时对二氧化硅的刻蚀速度和外延刻蚀速度的比例来设定。例如加工20um深度的深沟槽，在采用外延刻蚀速度对二氧化硅刻蚀速度比是20 : 1的条件，建议采用lum以上的二氧化硅膜。然后在N型外延区上选定需要生长P型区的部分，在该部分上开深沟槽，深沟槽深度和宽度与CoolMOS结构中需要的P型区的深度和宽度相同； 步骤3.如图7所示，在保留表面二氧化硅膜的状态下，利用外延方法生长P型外延硅用以填充深沟槽，在沟槽内部形成P型单晶硅，构成CoolMOS的纵向P型区域； 步骤4.如图8所示，利用表面在外延生长前保留的二氧化硅膜作为刻蚀停止层，用回刻工艺去除在二氧化硅膜表面生长出的P型外延硅，并将沟槽内的P型外延刻蚀到与沟槽表面齐平(即刻蚀到接近N型外延表面，亦即刻蚀到N型外延区与二氧化硅膜的交界处)，保证硅片表面的平整； 步骤5.如图9所示，用湿法腐蚀去掉沟槽表面二氧化硅膜，露出外延表面，在外延上生长栅二氧化硅膜，在栅二氧化硅膜上生长栅极多晶硅(多晶栅)，体注入形成体区，源注入形成源区，最终在硅表面和体内都形成N型P型相间的CoolMOS外延结构。权利要求一种，其特征在于，包括如下步骤(1)在硅衬底上一次性生长N型外延；(2)在N型外延上生长一层二氧化硅膜，然后在N型外延上选定要生长P型区的部分开深沟槽；(3)在保留表面二氧化硅膜的状态下，利用外延方法生长P型外延硅用以填充深沟槽；(4)用回刻工艺去除在二氧化硅膜表面生长出的外延硅，并将深沟槽内的P型外延刻蚀到接近N型外延表面；(5)去除二氧化硅膜，露出外延表面，在外延上生长栅二氧化硅膜，在栅二氧化硅膜上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区，最终形成CoolMOS的纵向P型区外延结构。2. 如权利要求l所述的，其特征在于，步骤(3)利用外延方法生长P型外延硅用以填充深沟槽，在深沟槽内部形成P型单晶硅。3. 如权利要求l所述的，其特征在于，步骤(4)利用二氧化硅膜作为刻蚀停止层，对P型外延进行回刻，去除在二氧化硅膜表面生长出的P型外延硅，并控制沟槽区的P型外延被刻蚀到接近N型外延表面，保证硅片表面的平整。4. 如权利要求l所述的，其特征在于，步骤(5)采用湿法腐蚀去除二氧化硅膜。全文摘要本专利技术公开了一种，通过在N型外延上开深沟槽，然后再利用外延工艺在沟槽内生长出P型单晶硅形成在N型外延上的P型区域，然后通过回刻工艺将槽内生长的P型外延单晶刻蚀到与沟槽表面平齐，以形成CoolMOS的纵向P型区域。该方法减少了工艺的复杂度和加工时间。文档编号H01L21/02GK101752252SQ20081004410公开日2010年6月本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣｏｏｌＭＯＳ结构中纵向Ｐ型区的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在硅衬底上一次性生长Ｎ型外延；（２）在Ｎ型外延上生长一层二氧化硅膜，然后在Ｎ型外延上选定要生长Ｐ型区的部分开深沟槽；（３）在保留表面二氧化硅膜的状态下，利用外延方法生长Ｐ型外延硅用以填充深沟槽；（４）用回刻工艺去除在二氧化硅膜表面生长出的外延硅，并将深沟槽内的Ｐ型外延刻蚀到接近Ｎ型外延表面；（５）去除二氧化硅膜，露出外延表面，在外延上生长栅二氧化硅膜，在栅二氧化硅膜上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区，最终形成ＣｏｏｌＭＯＳ的纵向Ｐ型区外延结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]