【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。
技术介绍
1、现有的一些芯片，例如直接接触式场效应晶体管，其源极和栅极位于芯片的正面，漏极位于芯片的背面。如图14所示，在将芯片10’连接到电路板30’上时，通常采用铜外壳20’将漏极13’引到芯片10’的正面，铜外壳20’的底壁21’通过导电胶40’与芯片10’的漏极13’电连接。铜外壳20’的侧壁22’向芯片10’的正面一侧延伸，来将芯片10’的漏极13’引至芯片10’的正面一侧，将铜外壳20’的侧壁22’远离芯片10’的背面的表面、芯片10’的源极12’远离芯片10’的背面设置的导电球51’及芯片10’的栅极11’远离芯片10’的背面的表面设置的导电球52’分别与电路板电连接，即实现芯片与电路板30’的电连接
2、采用上述的方案会出现图15所示的铜外壳倾斜、图16所示的芯片倾斜、铜外壳变形、图17所示的导电胶用量过多或图18所示的导电胶用量过少等问题，导致产品良率较低及芯片与电路板连接的良率较低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括：
2、将多个芯片贴装在载板上，相邻所述芯片间隔设置；所述芯片包括芯片正面、与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面，所述芯片包括设置在所述芯片正面的控制极和第一极、以及设置在所述芯片背面的第二极；
3、在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜
4、形成导电结构，所述导电结构包括位于各所述芯片侧部的第一导电部及位于各所述芯片背面的第二导电部，所述第一导电部在位于所述芯片侧部的绝缘膜层之外；所述第二导电部至少覆盖部分所述第二极，位于所述芯片侧部的所述第一导电部与位于所述芯片背面的所述第二导电部相连；所述第一导电部背离所述芯片背面的表面、所述控制极背离所述芯片背面的表面及所述第一极背离所述芯片背面的表面在同一平面。
5、在一个实施例中，所述在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙，包括：
6、采用喷涂工艺在各所述芯片侧面喷涂绝缘胶形成绝缘膜层。
7、在一个实施例中，所述在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙，包括：
8、在相邻两个所述芯片之间的间隙填充绝缘胶，形成绝缘部；
9、在各所述绝缘部形成贯穿所述绝缘部的一个通槽，所述绝缘部位于所述通槽与所述芯片之间的部分形成绝缘膜层。
10、在一个实施例中，所述形成导电结构，包括：
11、在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，得到位于各所述芯片背面的第二导电部，以及得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块；
12、对所述导电块进行切割，形成两个间隔设置的第一导电部。
13、在一个实施例中，所述在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，得到位于各所述芯片背面的第二导电部，以及得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块，包括：
14、在各所述芯片背面及各所述芯片的至少两侧分别设置导电材料，得到位于各所述芯片背面的第二导电部、位于相邻两个所述芯片之间的导电块、以及位于设置在所述载板边缘区域的所述芯片外侧的第一导电部；
15、所述对所述导电块进行切割，形成两个间隔设置的第一导电部之后，得到多个半导体结构；所述半导体结构中，各所述芯片的至少两侧分别形成有所述第一导电部。
16、在一个实施例中，所述在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，包括：
17、采用溅镀工艺在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料；或者，
18、采用点胶工艺在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料；或者，
19、采用网版印刷工艺在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料；或者，
20、采用点胶工艺在各所述芯片的至少一侧设置导电材料，采用网版印刷工艺在各所述芯片背面设置导电材料。
21、在一个实施例中，所述在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，得到位于各所述芯片背面的第二导电部，以及得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块之后，且在所述对所述导电块进行切割，形成两个间隔设置的第一导电部之前，所述制造方法还包括：
22、去除所述载板，得到半导体中间结构；
23、采用植球工艺在所述半导体中间结构背离所述芯片背面的一侧形成多个导电球，所述控制极及所述第一极分别与至少一个所述导电球电连接；所述导电块与至少两个所述导电球电连接；
24、所述对所述导电块进行切割，形成两个间隔设置的第一导电部之后，每一所述第一导电部与至少一个所述导电球电连接。
25、在一个实施例中，所述第二导电部覆盖所述芯片背面的全部区域，或者所述第二导电部覆盖所述芯片背面的部分区域。
26、在一个实施例中，所述第一极为源极，所述第二极为漏极。
27、本申请实施例还提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
28、芯片，所述芯片包括正面、与所述芯片正面相对的背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个侧面，所述芯片包括设置在所述芯片正面的控制极和第一极、以及设置在所述芯片背面的第二极；
29、位于所述芯片的至少一侧的绝缘膜层，所述绝缘膜层的材质为绝缘胶；
30、导电结构，包括位于所述芯片侧部的第一导电部及位于所述芯片背面的第二导电部，所述第一导电部在位于所述芯片侧部的绝缘膜层之外；所述第二导电部至少覆盖部分所述第二极，位于所述芯片侧部的所述第一导电部与位于所述芯片背面的所述第二导电部相连；所述第一导电部背离所述芯片背面的表面、所述控制极背离所述芯片背面的表面及所述第一极背离所述芯片背面的表面在同一平面。
31、在一个实施例中，所述半导体结构还包括位于所述芯片正面一侧的多个导电球，所述第一导电部、所述控制极及所述第一极分别与至少一个所述导电球电连接。
32、本申请实施例所达到的主要技术效果是：
33、本申请实施例提供的半导体结构的制造方法及半导体结构，通过设置位于芯片背面的第二导电部及位于芯片侧部的第一导电部，且第二电极通过第二导电部与第一导电部电连接，从而可通过第二导电部和第一导电部将第二电极引至芯片正面；由于第一导电部背离芯片背面的表面、控制极背离芯片背面的表面及第一极背离芯片背面的表面在同一平面，便于制造得到的半导体结构与电路板相连。本申请实施例提供的半导体结构的制造方法及半导体结构，在制造过程中芯片贴装于载板上，芯片不易发生倾斜，且无需使用铜外壳及用于将芯片与铜外壳电连接的导电胶，可避免芯片倾斜、铜外壳倾斜及导电胶用量不适导致的产品良率低的问题，可保证半导体结构与电路板连接的良率；相邻两个芯本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成导电结构，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，得到位于各所述芯片背面的第二导电部，以及得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块，包括：
6.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，包括：
7.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，得到位于各所述芯片背面的第二导电
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二导电部覆盖所述芯片背面的全部区域，或者所述第二导电部覆盖所述芯片背面的部分区域。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一极为源极，所述第二极为漏极。
10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括位于所述芯片正面一侧的多个导电球，所述第一导电部、所述控制极及所述第一极分别与至少一个所述导电球电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片侧面形成绝缘膜层，相邻两个所述芯片之间的两个所述绝缘膜层之间存在间隙，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成导电结构，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，得到位于各所述芯片背面的第二导电部，以及得到至少位于相邻两个所述芯片之间的导电块，包括：
6.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在各所述芯片背面及各所述芯片的至少一侧设置导电材料，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：李超，郑明祥，
申请(专利权)人：华润润安科技重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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