【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种优化框架式e-band波导耦合器，属于微波通信。
技术介绍
1、e-band微波频率范围通常为71-86ghz，其频率高，频谱资源丰富，支持更大带宽，是微波无线通信的研究热点。e- band波导耦合器作为微波无线通信系统的关键部件，其设计开发变得非常急迫。
2、传统波导耦合器为了适应不同的极化天线，需要在耦合器天线口配置极化器，增加了成本，耦合器性能也会相应的恶化；使用时根据天线的不同，需现场调整极化器的方向，给工程使用带来了诸多不便。
3、传统的矩形波导耦合器多采用孔耦合方式，为了获得较宽的工作带宽，一般通过增加耦合孔的数量来提升耦合平坦度，增加带宽，但同时导致孔耦合定向耦合器尺寸较大，加工精度要求高，插入损耗高。
4、由于eband产品频率较高，尺寸精度要求高，加工误差极其严格，成品率低是相关产品批量生产的障碍。传统框架式合路器为了连接天线和odu设备，多采用主体上加装天线和odu连接面板的方式，此方法涉及零件多，整体装配公差难保证，且成本高。
技术实现思路
1、本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种优化框架式e-band波导耦合器，具有结构简单、耦合度平坦、加工精度高的优点。为达到上述目的，本专利技术是采用下述技术方案实现的：
2、本专利技术提供了一种优化框架式e-band波导耦合器，包括：耦合器框架以及安装在所述耦合器框架内的耦合器芯体；所述耦合器芯体包括：天线口法兰盘、腔体、盖板、第一耦合口法兰盘、
3、所述天线口法兰盘用于与天线连接；
4、所述腔体内设有主波导，所述盖板内设有副波导，通过将盖板盖在腔体上实现主波导与副波导的平行设置；所述主波导的一端连接天线口法兰盘，另一端通过第一输出波导与第一耦合口法兰盘连接；所述副波导的一端连接吸波负载，另一端通过第二输出波导与第二耦合口法兰盘连接；
5、所述主波导与副波导之间设有耦合腔，所述耦合腔上开设用于调节主波导与副波导耦合度的矩形耦合孔。
6、进一步地，所述耦合器框架为压铸件，所述耦合器芯体通过螺钉安装在所述耦合器框架内。
7、进一步地，所述螺钉的尺寸根据所述优化框架式e-band波导耦合器的尺寸确定，所述螺钉的数量根据所述优化框架式e-band波导耦合器的目标重量确定。
8、进一步地，所述天线口法兰盘的两端均采用斜45°的脊波导，包括用于匹配天线的天线端脊波导和用于匹配腔体内主波导腔的腔体端脊波导。
9、进一步地，所述天线端脊波导和腔体端脊波导中间设有带有倒角的标准波导，所述标准波导采用线切割工艺制造。
10、进一步地，所述第一输出波导和第二输出波导均为90°弯波导，通过所述90°弯波导实现输出信号传输方向的改变。
11、进一步地，所述吸波负载为斜劈形。
12、进一步地，所述天线口法兰盘与耦合器芯体之间、所述第一耦合口法兰盘的外圈、所述第二耦合口法兰盘的外圈均设有防水圈。
13、进一步地，所述天线口法兰盘、腔体、盖板、第一耦合口法兰盘、第二耦合口法兰盘组装完成进行喷粉处理。
14、进一步地，所述耦合器框架采用喷粉处理。
15、与现有技术相比，本技术实施例所提供的一种优化框架式e-band波导耦合器所达到的有益效果包括：
16、本技术包括：耦合器框架以及安装在所述耦合器框架内的耦合器芯体；所述耦合器芯体包括：天线口法兰盘、腔体、盖板、第一耦合口法兰盘、第二耦合口法兰盘和吸波负载；所述腔体内设有主波导，所述盖板内设有副波导，通过将盖板盖在腔体上实现主波导与副波导的平行设置；所述主波导的一端连接天线口法兰盘，另一端通过第一输出波导与第一耦合口法兰盘连接；所述副波导的一端连接吸波负载，另一端通过第二输出波导与第二耦合口法兰盘连接；所述主波导与副波导之间设有耦合腔，所述耦合腔上开设用于调节主波导与副波导耦合度的矩形耦合孔；本技术克服传统多孔耦合的波导耦合器尺寸较大、插损大、耦合孔加工精度要求高的缺点，提供一种结构紧凑、耦合结构为多孔e面耦合的波导耦合器，多孔可通过数控机床直接加工，公差易于控制，整体结构简单，大大提高成品率；
17、本技术的天线口法兰盘用于与天线连接，天线口法兰盘的两端均采用斜45°的脊波导，能够直接对接不同极化的天线，给工程使用提供了便利；
18、本技术耦合器框架为压铸件，耦合器芯体通过螺钉安装在所述耦合器框架内，克服尺寸误差不易控制的缺陷，提供压铸件框架能够实现与天线和odu的直接连接。
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1.一种优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，包括：耦合器框架以及安装在所述耦合器框架内的耦合器芯体；所述耦合器芯体包括：天线口法兰盘、腔体、盖板、第一耦合口法兰盘、第二耦合口法兰盘和吸波负载；
2.根据权利要求1所述的优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，所述耦合器框架为压铸件，所述耦合器芯体通过螺钉安装在所述耦合器框架内。
3.根据权利要求2所述的优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，所述螺钉的尺寸根据所述优化框架式E-band波导耦合器的尺寸确定，所述螺钉的数量根据所述优化框架式E-band波导耦合器的目标重量确定。
4.根据权利要求1所述的优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，所述天线口法兰盘的两端均采用斜45°的脊波导，包括用于匹配天线的天线端脊波导和用于匹配腔体内主波导腔的腔体端脊波导。
5.根据权利要求4所述的优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，所述天线端脊波导和腔体端脊波导中间设有带有倒角的标准波导，所述标准波导采用线切割工艺制造。
6.根据权利要求1所述的优化框
7.根据权利要求1所述的优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，所述吸波负载为斜劈形。
8.根据权利要求1所述的优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，所述天线口法兰盘与耦合器芯体之间、所述第一耦合口法兰盘的外圈、所述第二耦合口法兰盘的外圈均设有防水圈。
9.根据权利要求1所述的优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，所述天线口法兰盘、腔体、盖板、第一耦合口法兰盘、第二耦合口法兰盘组装完成进行喷粉处理。
10.根据权利要求1所述的优化框架式E-band波导耦合器，其特征在于，所述耦合器框架采用喷粉处理。
...【技术特征摘要】
1.一种优化框架式e-band波导耦合器，其特征在于，包括：耦合器框架以及安装在所述耦合器框架内的耦合器芯体；所述耦合器芯体包括：天线口法兰盘、腔体、盖板、第一耦合口法兰盘、第二耦合口法兰盘和吸波负载；
2.根据权利要求1所述的优化框架式e-band波导耦合器，其特征在于，所述耦合器框架为压铸件，所述耦合器芯体通过螺钉安装在所述耦合器框架内。
3.根据权利要求2所述的优化框架式e-band波导耦合器，其特征在于，所述螺钉的尺寸根据所述优化框架式e-band波导耦合器的尺寸确定，所述螺钉的数量根据所述优化框架式e-band波导耦合器的目标重量确定。
4.根据权利要求1所述的优化框架式e-band波导耦合器，其特征在于，所述天线口法兰盘的两端均采用斜45°的脊波导，包括用于匹配天线的天线端脊波导和用于匹配腔体内主波导腔的腔体端脊波导。
5.根据权利要求4所述的优化框架式e-band波导耦合器，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢成，
申请(专利权)人：苏州赫斯康通信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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