掩模板制造技术

本发明专利技术公开一种掩模板，该掩模板上设置两个或两个以上不同的掩模图形，其中，所述两个或两个以上不同的掩模图形为用于同一液晶显示面板产品的不同工序的掩模图形。通过将形成阵列基板的图案化层所需要的不同掩模图形布置在一张掩模板上的结构设计，并通过该掩模板形成液晶显示面板的阵列基板的所有图案化层，在不增加工艺的同时，使得在液晶显示装置的阵列基板在开发过程的成本降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列基板制造过程中所使用的掩模板，尤其涉及一种适 用于多种图案化工序并降低成本的掩模板。
技术介绍
近年来，信息通讯领域的迅速发展，提高了各种类型的显示设备的线求。目前主流的显示器件主要有阴极射线管显示器(CRT)，液晶显示器(LCD)， 等离子体显示器(PDP)，电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD) 等。其中，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)以其高清晰度，真彩视频显 示，外观轻薄，耗电量少，无辐射污染等优点而成为显示器件发展的主流趋 势。液晶显示器通常包括用于显示画面的液晶显示面板和用于向液晶显示 面板提供驱动信号的驱动电路部分。通常，液晶显示面板包括第一玻璃基板 和第二玻璃基板，它们彼此粘接在一起并通过液晶盒间隙(CELL GAP)彼 此间隔开。液晶材料层注入到第一玻璃基板和第二玻璃基板之间的间隙中。在第一玻璃基板(即，薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板)上形成有多 条栅极线和多条数据线，其中多条栅极线以固定的间隔彼此分开并沿着第一 方向延伸，而多条数据线以固定的间隔彼此分开并且沿着基本上垂直于第一 方向的第二方向延伸，其中通过栅极线和数据线的相互交叉限定出多个像素 区域，以矩阵方式设置在相应的每个像素区域中的多个像素电极；和多个薄 膜晶体管(TFT)，能够响应提供给相应的每条栅极线的信号将来自数据线 的信号发送给对应的每个像素电极。第二玻璃基板(即，薄膜晶体管液晶显示器的滤色片基板)上形成有黑 色矩阵层(BM)，能够防止在像素区域以外的面积中的光泄漏；滤色片层(R， G， B)，用于有选择地传输具有预定波长的光；和公共电极，用来实现画面。 在平面开关模式(IPS模式)等水平场模式的LCD装置中，公共电极形成在第一玻璃基板上。目前，薄膜晶体管液晶显示面板设计中采用的是同一种阵列工艺的产品 使用套件掩模板100实现不同的工艺。请参阅图1 ，图1所示为现有的制造阵列基板时所使用的套件掩模板ioo 的示意图。所述套件掩模板100包括用以形成阵列基板上的不同层图案化层 所需要的不同掩模板。在此为了方便说明起见，以薄膜晶体管液晶显示器产 业界普遍采用的五道掩模工序为例。所述五道掩模工序分别对应五个不同的掩模板。具体而言，套件掩模板100包括第一掩模板110，用以在阵列基板 上形成栅极和栅极线；第二掩模板120，用以在阵列基板上形成硅岛层；第 三掩模板130，用以在阵列基板上形成源极、漏极和数据线；第四掩模板140， 用以在阵列基板上形成过孔；第五掩模板150，用以在阵列基板上形成像素 电极、栅焊盘端子及数据焊盘端子。请继续参阅图l，以第一掩模板110为例，该第一掩模板110具有第一 边框111，对应于单位产品第一图案化层的第一掩模图形112及形成于第一 掩模图形112外围的第一区域113。同样，第二掩模板120具有第二边框121 ， 对应于单位产品第二图案化层的第二掩模图形122及形成于第二掩模图形 122外围的第二区域123。第三掩模板130具有第三边框131，对应于单位 产品第三图案化层的第三掩模图形132及形成于第三掩模图形132外围的第 三区域133。第四掩模板140具有第四边框141，对应于单位产品第四图案 化层的第四掩模图形142及形成于第四掩模图形142外围的第四区域143。 第五掩模板150具有第五边框151，对应于单位产品第五图案化层的第五掩 模图形152及形成于第五掩模图形152外围的第五区域153。在阵列基板上形成第一掩模图形112对应的第一图案化层的方法是先 在阵列基板上沉积第一金属层，并通过第一掩模工序对其进行构图以形成第 一图案化层，具体而言，第一图案化层为栅极和栅极线。其中，在栅极线的 一端处具有栅焊盘。形成该第一金属层的方法例如是物理气相沉积或化学气 相沉积等方式，而且第一金属层的材质可以是钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、 钛(Ti)或铝(Al)等导电材质。接着，在第一金属层上形成第一光刻胶层。 之后，提供第一掩模板110，并使第一掩模板110的第一掩模图形112与阵 列基板的第一图案化层对应，以该第一掩模板110为掩模对第一光刻胶层进 行曝光与显影，以形成第一图案化光刻胶层。最后，以第一图案化光刻胶层5为掩模，移除部分第一金属层以形成第一图案化层。介电层全面性地形成于阵列基板上，覆盖住第一图案化层。其中，形成 介电层的方法例如是电浆加强化学气相沉积法或是其它沉积方式，介电层的 材质例如是氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或是其它介电材质。而形成于栅极上 的介电层是作为栅极绝缘层之用。通过顺序沉积本征非晶硅层和掺杂非晶硅层并随后通过第二掩模工序 对其进行构图。提供第二掩模板120，依照上述第一图案化层形成的类似方 法在栅极上的栅极绝缘层上形成硅岛层，所述硅岛层包括本征非晶硅的有源 层以及掺杂非晶硅的欧姆接触层。在包含有源层和欧姆接触层的阵列基板的整个表面上沉积金属材料，随 后提供第三掩模板130，并依照上述第一图案化层形成的类似方法，通过第 三掩模工序对其进行构图，以形成源极、漏极和数据线。数据焊盘形成在数 据线的一端。源极和漏极在欧姆接触层上彼此分开。在栅极线的上方，并与 源极和漏极同时形成岛形的金属图案。在包含源极和漏极及数据线的阵列基板的整个表面上通过沉积从包含 氮化硅和二氧化硅无机绝缘材料组中选出的一种材料形成钝化层。提供第四掩模板140，并依照上述第一图案化层形成的类似方式，通过第四掩模工序对钝化层进行构图，以便形成漏极接触孔、存储接触孔、栅焊盘接触孔及数 据焊盘接触孔。漏极接触孔暴露出漏极，存储接触孔暴露出金属图案，栅焊 盘接触孔暴露出栅焊盘及数据焊盘接触孔暴露出数据焊盘。通过在包含钝化层的阵列基板上顺序沉积从包含氧化铟锡和氧化铟锌的透明导电材料组中的一种材料并随后提供第五掩模板150，依照上述第一 图案化层形成的类似方式，通过第五掩模工序对其进行构图形成像素电极、 栅焊盘端子和数据焊盘端子。像素电极与漏极和金属图案相接触。栅焊盘端 子与栅焊盘相接触，而数据焊盘端子与数据焊盘相接触。因此，可以通过以上五个掩模工序制造现有技术中液晶显示面板的阵列 基板。但是，通常的阵列基板上不同层结构的形成需要使用五道掩模工序，即 需要五种不同的掩模图形，使用五张不同的掩模板分别进行光蚀刻，以分别 在阵列基板上形成不同的图案化层，在这种情况下，掩模板的数量需求较多， 同时掩模板的成本及开,模费用又相当昂贵，所以使得在产品开发阶段的成本较高。针对现有技术所存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验， 积极研究改良，于是有了本专利技术掩模板的产生。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种可以降低液晶显示 面板的阵列基板在开发过程中成本的掩模板。所述掩模板上设置两个或两个以上不同的掩模图形，其中，所述两个或 两个以上不同的掩模图形为用于同一液晶显示面板产品的不同工序的掩模 图形。并将形成阵列基板的图案化层所需要的不同掩模图形布置在一张掩模 板上。如上所述，通过将形成阵列基板的图案化层所需要的不同掩模图形布置 在一张掩模板上的结构设计，并通过该掩模板形成液晶显示面板的阵列基板 的所有图案化层，在不增加工艺的同时，使得在液晶显示装置的阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板，其上设置两个或两个以上不同的掩模图形，其中，所述两个或两个以上不同的掩模图形为用于同一液晶显示面板产品的不同工序的掩模图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋顺，常曙光，马骏，袁剑峰，王志鹏，荆常营，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]