一种高压二次电路保洁剂及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种高压二次电路保洁剂，包含以下质量百分比的组成成分：聚乙二醇辛基苯醚１～２０％，壬基酚聚氧乙烯醚１～２０％，正溴丙烷１～３％，Ｃ↓［２］Ｃｌ↓［３］Ｈ↓［３］　１０～２０％，Ｃ↓［３］ＨＣｌ↓［２］Ｆ↓［５］　５～６０％。本发明专利技术还提供该高压二次电路保洁剂的制备方法，包括以下步骤：将上述各组分按比例装入密闭容器，在温度为２０～３０℃，常压下反应１小时。本保洁剂无环境污染，腐蚀性低，物理分解能力强，使用安全可靠，可迅速、彻底清除各种精密设备电路表面及深层的尘土、油污、碳渍、盐分、潮气、金属尘埃及各种带电粒子，有效消除“软性故障”，保证设备的最佳工作状态，降低维护成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保洁剂，具体地说，本专利技术涉及一种高压二次电路保洁剂。
技术介绍
由亍程控交换机、移动通讯设备、微波通讯设备、无线寻呼设备、电脑系统、自 动化控制设备、影视设备、广电设备、遥控、遥感、遥测设备、高精密仪器、家用电 器等设备在运行过程中，时刻受到污秽及静电的佼害，形成电路(板)漏电，电化学腐蚀， 静电放电引起的元器件击穿会造成元器件介质硬击穿、烧毁或永久性失效，软击穿则会造成器件性能劣化或参数指标F降。电力设备事故的根本原因是由于绝缘子、母排、端子、开关、互感器、刀闸、接 触器、继电器、触头等表面沉积了污秽物质，使绝缘性降低，泄露电流增大，造成短 路、电弧、散热不良及闪络事故。由于污闪跳闸后的重合成功率很低，绝缘子的污闪 容易大面积发展，造成长时间的恶性停电事故，危害极大。传统的电子电力设备维护技术方法有-1、 事后抢修，即更换硬件；2、 停机工作后采用皮老虎、吹风机吹走表面浮尘，用刷子刷土，或用挥发性、易 燃溶剂(如酒精、汽油、四氯化碳)进行擦洗。但是，使用这些方法对于深层及细小喊隙的灰尘、油污、碳渍等有害物质很难清 洗干净，且危害性大，并且受到时间和空间的限制。与传统方法相比，采用精密电路的带电清洗维护技术，可以迅速、彻底清除各种 精密设备电路表面及深层的灰尘、油污、炭渍、盐份、潮气、金属尘埃及各种带电粒 子，有效消除"软性故障"，避免造成设备电路短路、电弧、散热不良，影响信号的 准确性和稳定性，保证设备最佳工作状态和稳定运行，防止重大恶性事故发生。但是，现在市场上使用的带电清洗剂通常均偏酸性或碱性，挥发快，其动态绝缘 值偏低，易造成闪络。因此，本专利技术的目的在于提供一种中性、去污力强、腐蚀性低的高压二次电路保 洁剂。
技术实现思路
本专利技术提供一种高压二次电路保洁剂，包含以下质量百分比的组成成分聚乙二 醇辛基苯醚1 20%，壬基酚聚氧乙烯醚1 20%， CFC12CH3 10 20%，正溴丙烷1 3%， C4F90CH3 20 顿，硅油0. 5 2%。所述聚乙二醇辛基苯醚含量优选1 5%，所述壬基酚聚氧乙烯醚含量优选5 10%。所述保洁剂还包括选自以下组分的一种或多种低级烷烃、具有碳原子数为1 4 的垸基取代基的低级烷烃、低级醇类、低级烯烃。所述低级烷烃包括庚垸0 1%、己垸0 1%、辛烷0 1%。所述具有碳原子数为1 4的烷基取代基的低级烷烃包括甲基戊烷0 1%、甲基己垸o iy。、 二甲基己烷0 1%、甲基庚垸o iy。、甲基环己烷o iy。、乙基戊烷0 1%、二甲基环戊垸0 1%、四甲基丁垸0 1%、甲基乙基己烷0 1%、三甲基戊垸0 1%。 所述低级醇类包括乙醇0 1%。 所述低级烯烃包括乙烯0 1%。 所述保洁剂的PH值为6. 8 7. 2。本专利技术还提供所述高压二次电路保洁剂的制备方法，包括以下步骤将上述各组 分按比例装入密闭容器，在温度为20 30。C，常压下反应l小时。本专利技术的有益效果为-本保洁剂无环境污染，腐蚀性低，物理分解能力强，使用安全可靠，可迅速、彻 底清除各种精密设备电路表面及深层的尘土、油污、碳渍、盐分、潮气、金属尘埃及 各种带电粒子，有效消除"软性故障"，保证设备的最佳工作状态，降低维护成本，已 被成功用于洁神JS-169B高压电路二次设备保洁剂中。具体实施例方式以下用实施例对本专利技术作更详细的描述。这些实施例仅仅是对本专利技术最佳实施方 式的描述，并不对本专利技术的范围有任何限制。实施例1:聚乙二醇辛基苯醚lkg，壬基酚聚氧乙烯醚lkg， CFC12CH3 10kg，正溴丙烷lkg，4C4F90CH3 20kg，硅油0. 5kg。将上述原料装入密闭容器，在温度25'C，常压下反应l小时，制得精密电路保洁剂。实施例2:聚乙二醇辛基苯醚20kg，壬基酚聚氧乙烯醚20kg， CFC12CH3 20kg，正溴丙烷3kg， C4F9OCH3 40kg，硅油2kg。 制备方法同实施例l。实施例3:聚乙二醇辛基苯醚18kg，壬基酚聚氧乙烯醚18kg， CFC12CH3 15kg，正溴丙烷2kg， C4F90CH3 30kg，硅油lkg，甲基戊烷0. 5kg，甲基戊烷0. 5kg，乙醇0. 5kg，乙基戊垸 0.5kg、庚烷0.5kg。制备方法同实施例1。实施例4:聚乙二醇辛基苯醚15kg，壬基酚聚氧乙烯醚15kg， CFCl2CH318kg，正溴丙烷2kg， C4F90CH3 35kg，硅油1.5kg，甲基己垸0.5kg，己烷0.5kg，甲基庚烷lkg， 二甲基环 戊烷0.5kg，甲基乙基己垸0.5kg，三甲基戊烷lkg。制备方法同实施例1。实施例5:聚乙二醇辛基苯醚12kg，壬基酚聚氧乙烯醚17kg， CFC12CH312kg，正溴丙烷3kg， C4F9OCH3 16kg，硅油2kg， 二甲基己烷lkg，甲基戊烷0.5kg、乙烯lkg、四甲基丁烷 0.5kg，辛垸lkg。制备方法同实施例1。本保洁剂无环境污染，腐蚀性低，物理分解能力强，使用安全可靠，可迅速、彻 底清除各种精密设备电路表面及深层的尘土、油污、碳渍、盐分、潮气、金属尘埃及 各种带电粒子，有效消除"软性故障"，保证设备的最佳工作状态，降低维护成本， 已被成功用于洁神JS-169B高压电路二次设备保洁剂中。权利要求1、一种保洁剂，其特征在于，包含以下质量百分比的组成成分聚乙二醇辛基苯醚1～20％，壬基酚聚氧乙烯醚1～20％，CFCl2CH3 10～20％，正溴丙烷1～3％，C4F9OCH320～40％，硅油0.5～2％。2、 如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述聚乙二醇辛基苯醚含量为l 5%，所述壬基酚聚氧乙烯醚含量为5 10%。3、 如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，还包括选自以下组分的一种或多种 低级烷烃、具有碳原子数为1 4的垸基取代基的低级烷烃、低级醇类、低级烯烃。4、 如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述低级烷烃包括庚烷0 1%、己 烷0 1%、辛烷0 1%。5、 如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述具有碳原子数为1 4的烷基 取代基的低级烷烃包括甲基戊垸0 1%、甲基己垸0 1%、 二甲基己烷0 1%、甲基庚 垸0 1%、甲基环己烷0 1%、乙基戊烷0 1%、 二甲基环戊烷0 1%、四甲基丁烷0 1°/0、甲基乙基己烷0 1%、三甲基戊烷0 1%。6、 如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述低级醇类包括乙醇0 1%。7、 如权利要求l所述的保洁剂，其特征在于，所述低级烯烃包括乙烯0 1%。8、 如权利要求l所述的保洁剂，其特征在于，所述保洁剂的PH值为C.8 7.2。9、 权利要求1所述保洁剂的制备方法,该保洁剂包含以下质量百分比的组成成分: 聚乙二醇辛基苯醚1 20%，壬基酚聚氧乙烯醚1 20%， CFC12CH3 10 20%，正溴丙烷 1 3%， C4F90CH3 20 40%，硅油0. 5 2%，所述制备方法包括以下步骤将上述各组 分按比例装入密闭容器，在温度为20 3(TC，常压下反应l小时。全文摘要本专利技术提供一种高压二次电路保洁剂，包含以下质量百分比的组成成分聚乙二醇辛基苯醚1～20％，壬基酚聚氧乙烯醚1～20％，正溴丙烷1～3％，C<sub>本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保洁剂，其特征在于，包含以下质量百分比的组成成分：聚乙二醇辛基苯醚１～２０％，壬基酚聚氧乙烯醚１～２０％，ＣＦＣｌ↓［２］ＣＨ↓［３］　１０～２０％，正溴丙烷１～３％，Ｃ↓［４］Ｆ↓［９］ＯＣＨ↓［３］２０～４０％，硅油０．５～２％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张思平，
申请(专利权)人：张思平，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]