【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种三维封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、目前，半导体集成电路(ic)产业已经经历了指数式增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了数代ic，其中，每代ic都比前一代ic具有更小和更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)普遍增加，几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)不断减小。随着摩尔定律速度放缓，为了继续提升设备性能，半导体行业转向朝三维(3d)芯片堆叠互连技术方向发展。
2、三维封装结构是指在一个封装体内放置两个以上的芯片的技术。当前有些三维封装结构是通过垂直堆叠多个芯片，并利用焊线、铜片等实现不同芯片之间、以及芯片与管脚之间的电连接。但是，铜片会占用封装体内较大的空间，从而降低了封装体内的空间利用率，使得三维封装结构无法满足更多的封装单元集成以及应用场景的扩展。
3、因此，如何提高三维封装结构内的空间利用率，并提高三维封装结构的集成度，以满足更多的封装单元集成需求以及应用场景的扩展，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种三维封装结构及其形成方法，用于提高三维封装结构内的空间利用率，并提高三维封装结构的集成度，以满足更多的封装单元集成需求以及应用场景的扩展。
2、根据一些实施例，本专利技术提供了一种三维封装结构，包括：
3、载板；
4、第一芯片，位于所述载板的顶面上；
5、第二芯片，位于所述第一芯片背
6、导电条带，位于所述载板上，所述导电条带的一端与所述第二芯片电连接、另一端与所述载板电连接，所述导电条带包括弯折部，所述弯折部包括沿第一方向位于所述第二芯片外部的第一平面段，所述第一方向与所述载板的顶面平行；
7、第三芯片，贴装于所述第一平面段上。
8、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，所述第三芯片位于所述第一芯片的外部。
9、在一些实施例中，所述载板包括基岛以及位于所述基岛外部的第一引脚，所述第一引脚中具有凹槽；
10、所述导电条带还包括位于所述弯折部端部的第一焊接部，所述第一焊接部至少部分插入所述第一引脚的所述凹槽内且与所述第一引脚电连接。
11、在一些实施例中，所述载板还包括位于所述基岛外部的多个第二引脚，至少部分数量的所述第二引脚沿所述第二方向分布于所述基岛背离所述第一引脚的一侧；
12、所述第一芯片与所述第二引脚电连接。
13、在一些实施例中，所述导电条带中的所述弯折部还包括位于所述第二芯片上方的第二平面段；所述三维封装结构还包括：
14、传感器，贴装于所述第二平面段上，且所述传感器与所述载板电连接。
15、在一些实施例中，还包括：
16、塑封层，所述塑封层塑封所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片、所述导电条带和至少部分的所述传感器，且所述传感器的检测端暴露于所述塑封层的外部。
17、在一些实施例中，还包括：
18、导电连接柱，所述导电连接柱的一端与所述第一芯片电连接、另一端与所述传感器电连接。
19、在一些实施例中，还包括：
20、第一焊线，所述第一焊线的一端与所述第一芯片电连接、另一端与所述载板电连接；
21、第二焊线，所述第二焊线的一端与所述第二芯片电连接、另一端与所述第一芯片电连接；
22、第三焊线，所述第三焊线的一端与所述第三芯片电连接、另一端与所述第一芯片电连接。
23、根据另一些实施例，本专利技术还提供了一种三维封装结构的形成方法，包括如下步骤：
24、形成载板；
25、贴装第一芯片至所述载板的顶面上；
26、贴装第二芯片至所述第一芯片背离所述载板的表面上；
27、贴装导电条带至所述载板上，且所述导电条带的一端与所述第二芯片电连接、另一端与所述载板电连接，所述导电条带包括弯折部，所述弯折部包括沿第一方向位于所述第二芯片外部的第一平面段，所述第一方向与所述载板的顶面平行；
28、贴装第三芯片至所述第一平面段上。
29、在一些实施例中，所述载板包括基岛以及位于所述基岛外部的第一引脚，所述第一引脚中具有凹槽；贴装导电条带至所述载板上的具体步骤包括：
30、形成导电条带，所述导电条带还包括位于所述弯折部相对两端的第一焊接部和第二焊接部；
31、插入所述第一焊接部至所述第一引脚中的所述凹槽内，电连接所述第一焊接部与所述第一引脚，并电连接所述第二焊接部与所述第二芯片。
32、在一些实施例中，贴装第三芯片至所述第一平面段上的具体步骤包括：
33、贴装所述第三芯片至所述第一平面段上，并使得所述第三芯片沿所述第一方向位于所述第一芯片的外部。
34、在一些实施例中，所述导电条带中的所述弯折部还包括位于所述第二芯片上方的第二平面段；所述三维封装结构的形成方法还包括如下步骤：
35、贴装传感器至所述第二平面段上，且电连接所述传感器与所述载板。
36、在一些实施例中，电连接所述传感器与所述载板的具体步骤包括：
37、电连接所述传感器与导电连接柱的一端，所述导电连接柱的另一端与所述第一芯片电连接。
38、在一些实施例中，贴装第三芯片至所述第一平面段上之后，还包括如下步骤：
39、电连接所述第一芯片与所述载板，并电连接所述第三芯片与所述载板。
40、在一些实施例中，所述载板还包括位于所述基岛外部的多个第二引脚，至少部分数量的所述第二引脚沿所述第二方向分布于所述基岛背离所述第一引脚的一侧；电连接所述第一芯片与所述载板，并电连接所述第三芯片与所述载板的具体步骤包括：
41、形成电连接所述第一芯片与所述第二引脚的第一焊线，形成电连接所述第一芯片与所述第二芯片的第二焊线，并形成电连接所述第一芯片与所述第三芯片的第三焊线。
42、在一些实施例中，电连接所述第一芯片与所述载板之后，还包括如下步骤：
43、形成塑封所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片、所述导电条带和至少部分的所述传感器的塑封层，且所述传感器的检测端暴露于所述塑封层的外部。
44、本专利技术提供的三维封装结构及其形成方法，通过具有弯折部导电条带电连接第二芯片和载板，且以所述导电条带的所述弯折部中的第一平面段作为第三芯片的装载平台，将所述第三芯片贴装于所述第一平面段上，由于所述第一平面段在沿平行于所述载板的顶面的方向(例如第一方向)上位于所述第二芯片的外部，从而使得所述第二芯片和所述第三芯片沿平行于所述载板的顶面的方向排布，不仅使得所述三维封装结构的内部空间得到充分利用，即提高了所述三维封装结构内部的空间利用率。而且，通过提高所述三维封装结构内部的空间利用率，还能在所述三维封装结构内集成更多的半导体结构(例如芯片等)，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种三维封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述第三芯片位于所述第一芯片的外部。
3.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，所述载板包括基岛以及位于所述基岛外部的第一引脚，所述第一引脚中具有凹槽；
4.根据权利要求3所述的三维封装结构，其特征在于，所述载板还包括位于所述基岛外部的多个第二引脚，至少部分数量的所述第二引脚沿所述第二方向分布于所述基岛背离所述第一引脚的一侧；
5.根据权利要求3所述的三维封装结构，其特征在于，所述导电条带中的所述弯折部还包括位于所述第二芯片上方的第二平面段；所述三维封装结构还包括：
6.根据权利要求5所述的三维封装结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求5所述的三维封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，还包括：
9.一种三维封装结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的三维封装结构的形成方法，其特
11.根据权利要求9所述的三维封装结构的形成方法，其特征在于，贴装第三芯片至所述第一平面段上的具体步骤包括：
12.根据权利要求9所述的三维封装结构的形成方法，其特征在于，所述导电条带中的所述弯折部还包括位于所述第二芯片上方的第二平面段；所述三维封装结构的形成方法还包括如下步骤：
13.根据权利要求12所述的三维封装结构的形成方法，其特征在于，电连接所述传感器与所述载板的具体步骤包括：
14.根据权利要求9所述的三维封装结构的形成方法，其特征在于，贴装第三芯片至所述第一平面段上之后，还包括如下步骤：
15.根据权利要求14所述的三维封装结构的形成方法，其特征在于，所述载板还包括位于所述基岛外部的多个第二引脚，至少部分数量的所述第二引脚沿所述第二方向分布于所述基岛背离所述第一引脚的一侧；电连接所述第一芯片与所述载板，并电连接所述第三芯片与所述载板的具体步骤包括：形成电连接所述第一芯片与所述第二引脚的第一焊线，形成电连接所述第一芯片与所述第二芯片的第二焊线，并形成电连接所述第一芯片与所述第三芯片的第三焊线。
16.根据权利要求12所述的三维封装结构的形成方法，其特征在于，电连接所述第一芯片与所述载板之后，还包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种三维封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述第三芯片位于所述第一芯片的外部。
3.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，所述载板包括基岛以及位于所述基岛外部的第一引脚，所述第一引脚中具有凹槽；
4.根据权利要求3所述的三维封装结构，其特征在于，所述载板还包括位于所述基岛外部的多个第二引脚，至少部分数量的所述第二引脚沿所述第二方向分布于所述基岛背离所述第一引脚的一侧；
5.根据权利要求3所述的三维封装结构，其特征在于，所述导电条带中的所述弯折部还包括位于所述第二芯片上方的第二平面段；所述三维封装结构还包括：
6.根据权利要求5所述的三维封装结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求5所述的三维封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，还包括：
9.一种三维封装结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的三维封装结构的形成方法，其特征在于，所述载板包括基岛以及位于所述基岛外部的第一引脚，所述第一引脚中具有凹槽；
1...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐赛，
申请(专利权)人：长电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。