【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体器件，并且更特别地涉及包括第一焊料球和第二焊料球以在装配过程中提供改善的良率的互连架构。
技术介绍
1、在表面安装技术(smt)工艺期间，倒装芯片球栅阵列(bga)封装的动态翘曲引起各种缺陷。图1是bga封装100的横截面图示，其示出典型缺陷中的一些的示例。bga封装100可包括板105，其中封装衬底115通过在焊盘107和117之间的互连125附连到板105。管芯120可附连到封装衬底115。如所示出的，封装衬底115的翘曲可能导致若干缺陷。缺陷126示出焊料球桥接(sbb)。当焊料球被压缩而导致互连宽度延伸超出公差并与相邻的互连聚结时，出现sbb缺陷。压缩可能是由于较薄的衬底层数目而导致的增加的翘曲、由于存在大且厚的加固物而导致封装形状变化和/或由于增加的管芯大小和封装形状因子而导致的增加的每凸块重量的结果。翘曲也可能导致其它缺陷。例如，缺陷127是由焊料球没有与焊料膏聚结而产生的枕头效应(head on pillow)(hop)缺陷。缺陷128是无接触空焊(non-contact open)(nco)，并且缺陷129是无润湿空焊(non-wet open)(nwo)。
2、可通过将加固物添加到封装衬底上来解决翘曲。然而，加固物(及它们的必要的排除区域(keep out zone))占用了封装的顶面上的宝贵的有效面积(real estate)。为了解决翘曲，已经提出了用于定制膏体积以控制不同位置处的焊料体积的模板设计优化。然而，模板设计正在接近于进一步减少膏体积以防止sbb的印刷工艺极限。
技术实现思路
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1.一种封装，包括：
2.根据权利要求1所述的封装，其中，所述铜芯具有250μm或更小的直径。
3.根据权利要求1所述的封装，其中，围绕所述铜芯的所述第二焊料的厚度约为1μm或更大。
4.根据权利要求1所述的封装，其中，所述阵列包括周界，并且所述周界的一部分包括所述第二互连中的一些。
5.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一焊料进一步包括银和铜中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第二焊料进一步包括铋、铟、银和铜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一焊料的材料成分不同于所述第二焊料的材料成分。
8.根据权利要求2所述的封装，其中，所述第一衬底和所述第二衬底之间的高度等于或大于所述铜芯的所述直径。
9.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第二互连中的至少一个从所述第一衬底延伸到所述第二衬底。
10.根据权利要求9所述的封装，进一步包括：
11.根据权利要求9所述的封装，其中，所述第一互连中的每个从所述第一衬底延伸到所述第
12.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一互连的数量大于第二互连的数量。
13.根据权利要求1所述的封装，进一步包括位于所述第二衬底之上的半导体管芯。
14.一种封装，包括：
15.根据权利要求14所述的封装，其中所述第一焊料包括锡，所述第二焊料包括锡。
16.根据权利要求15所述的封装，其中，所述第一焊料进一步包括银和铜中的至少一种。
17.根据权利要求15所述的封装，其中，所述第二焊料进一步包括铋、铟、银和铜中的至少一种。
18.根据权利要求15所述的封装，其中，所述第一焊料的材料成分不同于所述第二焊料的材料成分。
19.根据权利要求14所述的封装，其中，所述第一互连和所述第二互连中的至少一个位于所述互连阵列的中间部分，并且其中，所述第三互连和所述第四互连中的至少一个位于所述互连阵列的角区域。
20.根据权利要求14所述的封装，其中，所述第一衬底和所述第二衬底之间的高度至少为所述铜芯的所述直径。
21.根据权利要求14所述的封装，其中，所述第三互连和所述第四互连中的每个从所述第一衬底延伸到所述第二衬底。
22.根据权利要求21所述的封装，进一步包括：
23.根据权利要求21所述的封装，其中，所述第一互连和所述第二互连中的每个从所述第一衬底延伸到所述第二衬底。
24.根据权利要求14所述的封装，其中，所述第一互连和所述第二互连中的每个都具有第一体积，并且所述第三互连和所述第四互连中的每个都具有第二体积，所述第二体积不同于所述第一体积。
25.根据权利要求14所述的封装，进一步包括位于所述第二衬底之上的半导体管芯。
26.一种封装，包括：
27.根据权利要求26所述的封装，其中，围绕所述铜芯的所述锡的厚度约为1μm或更大。
28.根据权利要求26所述的封装，进一步包括所述第二衬底之上的半导体管芯。
29.根据权利要求26所述的封装，进一步包括：
30.根据权利要求26所述的封装，其中，所述第一互连中的每个从所述第一衬底延伸到所述第二衬底。
31.根据权利要求26所述的封装，其中所述阵列包括：
...【技术特征摘要】
1.一种封装，包括：
2.根据权利要求1所述的封装，其中，所述铜芯具有250μm或更小的直径。
3.根据权利要求1所述的封装，其中，围绕所述铜芯的所述第二焊料的厚度约为1μm或更大。
4.根据权利要求1所述的封装，其中，所述阵列包括周界，并且所述周界的一部分包括所述第二互连中的一些。
5.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一焊料进一步包括银和铜中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第二焊料进一步包括铋、铟、银和铜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一焊料的材料成分不同于所述第二焊料的材料成分。
8.根据权利要求2所述的封装，其中，所述第一衬底和所述第二衬底之间的高度等于或大于所述铜芯的所述直径。
9.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第二互连中的至少一个从所述第一衬底延伸到所述第二衬底。
10.根据权利要求9所述的封装，进一步包括：
11.根据权利要求9所述的封装，其中，所述第一互连中的每个从所述第一衬底延伸到所述第二衬底。
12.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一互连的数量大于第二互连的数量。
13.根据权利要求1所述的封装，进一步包括位于所述第二衬底之上的半导体管芯。
14.一种封装，包括：
15.根据权利要求14所述的封装，其中所述第一焊料包括锡，所述第二焊料包括锡。
16.根据权利要求15所述的封装，其中，所述第一焊料进一步包括银和铜中的至少一种。
17.根据权利要求15所述的封装，其中，所述第二焊料进一步包括铋...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆骁，陆炯心，C·库姆斯，A·许蒂斯，J·哈珀尔，张捷平，N·R·拉拉维卡尔，P·马拉特卡尔，S·A·克莱因，C·德皮施，M·苏德，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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