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电子封装件制造技术

技术编号:41841620 阅读:7 留言:0更新日期:2024-06-27 18:22
一种电子封装件,包括于一具有线路层的承载件设置电子元件,且以包覆层包覆该电子元件,并于该包覆层上形成外露该线路层的开孔,以令金属结构接触结合于该开孔的壁面上,使导电元件形成于该金属结构上以电性连接该线路层,故该导电元件与该开孔的壁面之间不会产生间隙,以降低该导电元件的直流阻抗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体装置,尤指一种可提高电气效能的电子封装件


技术介绍

1、随着近年来可携式电子产品的蓬勃发展,各类相关产品的开发亦朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势,各实施例的半导体封装结构也因而配合推陈出新,以期能符合轻薄短小与高密度的要求。

2、图1为现有半导体封装件1的剖视示意图。如图1所示,该半导体封装件1于一封装基板10的上、下两侧设置半导体元件11,再以封装胶体14包覆该些半导体元件11,并使该封装基板10的多个接点(i/o)100外露于该封装胶体14的开孔140,之后形成多个锡球13于该些接点100上,以于后续制程中,该半导体封装件1可通过该些锡球13接置如电路板的电子装置(图略)。

3、由于该些锡球13会产生内聚力,故该锡球13于熔融后会变成球体状,因而通常焊锡材料不会填满整个雷射烧开的开孔140,致使该锡球13与该开孔140的孔壁之间会产生间隙t。

4、然而,现有半导体封装件1中,依据电性理论,该封装胶体14中的导电结构(如该些锡球13)的直流阻抗(dc resistance,dcr)与导电结构的面积成反比,故该锡球13的内聚力所造成的间隙t易使该锡球13的dcr上升,进而影响电气(或电讯)效能。

5、因此,如何克服上述现有技术的问题,实已成为目前业界亟待克服的难题。


技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的种种缺陷,本专利技术提供一种电子封装件,包括:承载件,其具有相对的第一侧与第二侧以及线路层;第二电子元件,其设于该承载件的第二侧上以电性连接该线路层;包覆层,其形成于该承载件的第二侧上以包覆该第二电子元件,其中,该包覆层具有至少一外露部分该线路层的开孔;金属结构,其接触结合于该开孔的壁面上;以及导电元件,其形成于该金属结构上以电性连接该线路层。

2、前述的电子封装件中,该承载件为具有核心层与线路结构的封装基板或无核心层的线路结构。

3、前述的电子封装件中,该承载件的第一侧上设置有至少一电性连接该线路层的第一电子元件。例如,该承载件的第一侧上形成有一包覆该第一电子元件的封装层。

4、前述的电子封装件中,该金属结构接触结合该线路层。

5、前述的电子封装件中,该金属结构为单一层金属层或多个相互叠合金属层的组合。

6、前述的电子封装件中,该导电元件凸出该开孔。

7、前述的电子封装件中,还包括形成于该线路层上的导电体,使该导电体形成于该导电元件与该线路层之间。

8、前述的电子封装件中,该线路层具有线路本体及连接该线路本体且对应该开孔以结合该金属结构的电性接触垫,且该电性接触垫的厚度大于该线路本体的厚度。

9、前述的电子封装件中,该线路层上形成有多个相互堆叠的该导电元件。例如,该金属结构还设于各该导电元件之间。

10、前述的电子封装件中,该导电元件未凸出该开孔。例如,该导电元件低于该开孔而凹入该包覆层。

11、前述的电子封装件中,该包覆层形成于该承载件的第二侧的部分表面上,而该承载件的第二侧的其它部分表面上则外露于该包覆层,以令该承载件的第二侧的其它部分表面上配置电子配件。

12、前述的电子封装件中,该承载件的第一侧上还形成有电性连接该线路层的导电元件。

13、前述的电子封装件中,该导电元件接触该开孔中的全部该金属结构。

14、前述的电子封装件中,该金属结构接地该线路层并延伸至该包覆层上以遮盖该第二电子元件。

15、由上可知,本专利技术的电子封装件中,主要通过该金属结构接触结合于该开孔的壁面上,使该导电元件能紧附于该金属结构上,以令该导电元件与该开孔的壁面之间不会产生间隙,故相比于现有技术,本专利技术的电子封装件可降低该导电元件的dcr,以有效提高电气(或电讯)效能。

16、再者,因该导电元件紧附于该金属结构上,故能避免该导电元件发生掉球的问题,以提升该电子封装件的可靠度。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子封装件,包括:

2.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该承载件为具有核心层与线路结构的封装基板或无核心层的线路结构。

3.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括设置于该承载件的第一侧且电性连接该线路层的第一电子元件。

4.如权利要求3所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括形成于该承载件的第一侧且包覆该第一电子元件的封装层。

5.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该金属结构接触结合该线路层。

6.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该金属结构为单一层金属层或多个相互叠合金属层的组合。

7.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该导电元件凸出该开孔。

8.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括形成于该线路层上的导电体,使该导电体位于该导电元件与该线路层之间。

9.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该线路层具有线路本体及连接该线路本体且对应该开孔以结合该金属结构的电性接触垫,且该电性接触垫的厚度大于该线路本体的厚度。

10.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该线路层上形成有多个相互堆叠的该导电元件。

11.如权利要求10所述的电子封装件,其中,该金属结构还设于各该导电元件之间。

12.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该导电元件未凸出该开孔。

13.如权利要求12所述的电子封装件,其中,该导电元件低于该开孔而凹入该包覆层。

14.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该包覆层形成于该承载件的第二侧的部分表面上,而该承载件的第二侧的其它部分表面上则外露于该包覆层,且令该承载件的第二侧的其它部分表面上配置有电子配件。

15.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该承载件的第一侧还形成有电性连接该线路层的导电元件。

16.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该导电元件接触该开孔中的全部该金属结构。

17.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该金属结构接地该线路层并延伸至该包覆层上以遮盖该第二电子元件。

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【技术特征摘要】

1.一种电子封装件,包括:

2.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该承载件为具有核心层与线路结构的封装基板或无核心层的线路结构。

3.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括设置于该承载件的第一侧且电性连接该线路层的第一电子元件。

4.如权利要求3所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括形成于该承载件的第一侧且包覆该第一电子元件的封装层。

5.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该金属结构接触结合该线路层。

6.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该金属结构为单一层金属层或多个相互叠合金属层的组合。

7.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该导电元件凸出该开孔。

8.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该电子封装件还包括形成于该线路层上的导电体,使该导电体位于该导电元件与该线路层之间。

9.如权利要求1所述的电子封装件,其中,该线路层具有线路本体及连接该线路本体且对应该开孔以结合该金属结构的电性接触垫,且...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱志贤蔡文荣李伟豪廖芷苡徐承玮蔡志源张克维吴国宇
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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