【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及包括抗变形沟槽填充结构的三维存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、三维存储器器件可包括存储器堆叠结构。存储器堆叠结构覆盖在衬底上面并且延伸穿过绝缘层和导电层的交替堆叠。存储器堆叠结构包括设置在导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠。外围器件可在交替堆叠和存储器堆叠结构下方设置在衬底上。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：沿竖直方向交替的绝缘层和导电层的交替堆叠；介电壕沟填充结构，该介电壕沟填充结构至少部分地被该交替堆叠横向包围并具有接触该交替堆叠内的该绝缘层中的每个绝缘层的外部侧壁，其中该介电壕沟填充结构包括嵌套结构，该嵌套结构从外到内包括具有第一杨氏模量的外部介电衬垫、具有第二杨氏模量的外部材料层、介电填充材料部分、具有该第二杨氏模量的内部材料层和具有该第一杨氏模量的内部介电衬垫，其中该第二杨氏模量大于该第一杨氏模量；绝缘板和介电材料板的竖直交替序列，该竖直交替序列至少部分地被该介电壕沟填充结构横向包围，其中该介电壕沟填充结构的内部侧壁接触该竖直交替序列内的该绝缘板中的每个绝缘板和该介电材料板中的每个介电材料板；以及互连过孔结构，该互连过孔结构竖直延伸穿过该竖直交替序列内的该绝缘板中的每个绝缘板和该介电材料板中的每个介电材料板。
2、根据本公开的一方面，提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：形成半导体结构的方法，该方法包括：形成在衬底上方沿竖直方向交替的过程中绝缘层和包含介电
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1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二杨氏模量比所述第一杨氏模量大至少两倍。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述内部材料层和所述外部材料层中的每一者包括相应锥形区，所述相应锥形区与所述相应均匀厚度区的顶端邻接并具有从顶到底增大的增大厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述介电填充材料部分具有第三杨氏模量，所述第三杨氏模量小于所述第二杨氏模量。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括接触层级介电层，所述接触层级介电层覆在所述交替堆叠上面并具有位于与所述介电壕沟填充结构的顶部表面相同的水平平面内的顶部表面，其中所述介电填充材料部分包括锥形张开区，所述锥形张开区与所述接触层级介电层接触并且接触所述内部介电衬垫的环状顶部表面并接触所述外部介电衬垫的环状顶部表面。
9.根据权
10.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
12.根据权利要求10所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述互连过孔结构接触所述较低层级金属互连结构中的一个较低层级金属互连结构的顶部表面。
14.根据权利要求13所述的半导体结构，所述半导体结构还包括源极接触层，所述源极接触层位于所述较低层级介电材料层与所述交替堆叠之间并包括穿过所述源极接触层的开口，其中所述互连过孔结构竖直延伸穿过所述源极接触层中的所述开口并与所述源极接触层横向间隔开。
15.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
16.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
18.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括在所述过程中交替堆叠上方形成接触层级介电层，其中：
19.根据权利要求16所述的方法，其中：
20.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二杨氏模量比所述第一杨氏模量大至少两倍。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述内部材料层和所述外部材料层中的每一者包括相应锥形区，所述相应锥形区与所述相应均匀厚度区的顶端邻接并具有从顶到底增大的增大厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述介电填充材料部分具有第三杨氏模量，所述第三杨氏模量小于所述第二杨氏模量。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括接触层级介电层，所述接触层级介电层覆在所述交替堆叠上面并具有位于与所述介电壕沟填充结构的顶部表面相同的水平平面内的顶部表面，其中所述介电填充材料部分包括锥形张开区，所述锥形张开区与所述接触层级介电层接触并且接触所述内部介电衬垫的环状顶部表面并接触所述外部介电衬垫的环状顶部表面。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：松野光一，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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