System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种叠层发光结构及其制备方法技术_技高网

一种叠层发光结构及其制备方法技术

技术编号:41837986 阅读:9 留言:0更新日期:2024-06-27 18:20
本发明专利技术公开了一种叠层发光结构及其制备方法,该结构包括从下向上依次设置的金属阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、绝缘阻挡层、QLED发光层、第一电子传输层、共同金属阴极、第二电子传输层、OLED发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层、阳极、原子密封层和分子密封层。本发明专利技术将QLED发光器件与OLED器件组合叠层发光,能明显提升显示器件亮度,工艺统一与简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于oled显示,特别涉及一种叠层发光结构及其制备方法


技术介绍

1、在显示器消费领域,为提升用户体验,需增加ar眼镜镜片的透明度,从而减少佩戴ar眼镜使用者对环境观察的影响,同时也对显示屏幕亮度提出更高要求,例如在birdbath设计中,某设计为60%光通过,40%光反射;如果将涂层改为80%通过和20%反射,屏幕部分的光线亮度会降低约50%。

2、oled具有体积小,重量轻,功耗低,发热温度低、超高分辨率等显著特点,为现在显示器领域最优选择,但因结构中各层对oled发光的吸收,同时维持显示器高色域,在光线通过cf层后出光率维持在17%左右,较低发光率严重制约硅基oled在ar领域的推广使用。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供了一种叠层发光结构,包括从下向上依次设置的金属阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、绝缘阻挡层、qled发光层、第一电子传输层、共同金属阴极、第二电子传输层、oled发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层、阳极、原子密封层和分子密封层。

2、优选地,所述金属阳极采用复合阳极层,包括金属au或pt、氧化物ito或zno或azo。

3、优选地,所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的材料采用n,n'-二(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基对苯二胺合成材料或2-甲酰基苯并三氮唑或钛酞菁或聚碳酸酯。

4、优选地,所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料采用n'-二苯基对苯二胺或n-乙烯基苯胺或聚乙烯咔唑或二本胺类化合物或n'-双苯基联苯胺或乙烯基苯胺化合物或4,4',4”-三(n-1-萘基)-n-苯基氨基三联苯。

5、优选地,所述绝缘阻挡层的材料采用聚乙烯醇。

6、优选地,所述第一电子传输层和第二电子传输层的材料采用三(8-羟基喹啉)铝或三(α-萘基)铝或二(2,4-二氯苯基)吖啶或三苯胺基三唑或聚苯基二噁唑或聚苯乙烯丁二烯共聚物或苯乙烯-1,4-二氮杂-1,3-丁二烯共聚物或聚芘或聚醚酮。

7、优选地,所述共同金属阴极的材料采用mg或ag或al或li或ca或in或ito或izo。

8、优选地,所述原子密封层的材料采用氧化铝。

9、优选地,所述分子密封层的材料采用氧化铝或氧化钛或氧化铈或硫化锌或硫化铜或硫化钨或石墨烯或二硫化钼或二硒化钼。

10、基于上述目的,本专利技术还提供了一种叠层发光结构制备方法,为制备上述叠层发光结构,包括以下步骤:

11、s1,使用湿法蚀刻工艺或干法蚀刻完成金属阳极层;

12、s2,使用蒸镀工艺完成第一空穴注入层、第一空穴传输层;

13、s3,以转印方法工艺完成绝缘阻挡层和qled发光层,或使用喷墨打印工艺完成qled发光层;

14、s4,使用蒸镀工艺完成第一电子传输层;

15、s5,使用蒸镀工艺完成共同金属阴极;

16、s6,使用蒸镀工艺完成第二电子传输层、oled发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层和阳极;

17、s7,使用气相化学沉积工艺完成原子密封层;

18、s8,使用物理气相沉积工艺完成分子密封层。

19、本专利技术将qled发光器件与oled器件组合叠层发光,能明显提升显示器件亮度,具有理论发光效率更高,颜色可调,色域更广,色彩饱和度与颜色鲜艳度更高,且可以在非常薄或柔性材料上制作为柔性显示器件;

20、因叠层中qled组成为无机物,具有更好的抗水性与抗氧化性,生产成本较低,且因工艺相对简单,qled与oled具有大量的通性工艺,使得生产成本更低;。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种叠层发光结构,其特征在于,包括从下向上依次设置的金属阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、绝缘阻挡层、QLED发光层、第一电子传输层、共同金属阴极、第二电子传输层、OLED发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层、阳极、原子密封层和分子密封层。

2.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述金属阳极采用复合阳极层,包括金属Au或Pt、氧化物ITO或ZnO或AZO。

3.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的材料采用N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基对苯二胺合成材料或2-甲酰基苯并三氮唑或钛酞菁或聚碳酸酯。

4.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料采用N'-二苯基对苯二胺或N-乙烯基苯胺或聚乙烯咔唑或二本胺类化合物或N'-双苯基联苯胺或乙烯基苯胺化合物或4,4',4”-三(N-1-萘基)-N-苯基氨基三联苯。

5.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述绝缘阻挡层的材料采用聚乙烯醇。

6.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述第一电子传输层和第二电子传输层的材料采用三(8-羟基喹啉)铝或三(α-萘基)铝或二(2,4-二氯苯基)吖啶或三苯胺基三唑或聚苯基二噁唑或聚苯乙烯丁二烯共聚物或苯乙烯-1,4-二氮杂-1,3-丁二烯共聚物或聚芘或聚醚酮。

7.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述共同金属阴极的材料采用Mg或Ag或Al或Li或Ca或In或ITO或IZO。

8.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述原子密封层的材料采用氧化铝。

9.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述分子密封层的材料采用氧化铝或氧化钛或氧化铈或硫化锌或硫化铜或硫化钨或石墨烯或二硫化钼或二硒化钼。

10.一种叠层发光结构制备方法,其特征在于,为制备权利要求1-9之一所述的一种叠层发光结构,包括以下步骤:

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【技术特征摘要】

1.一种叠层发光结构,其特征在于,包括从下向上依次设置的金属阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、绝缘阻挡层、qled发光层、第一电子传输层、共同金属阴极、第二电子传输层、oled发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层、阳极、原子密封层和分子密封层。

2.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述金属阳极采用复合阳极层,包括金属au或pt、氧化物ito或zno或azo。

3.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的材料采用n,n'-二(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基对苯二胺合成材料或2-甲酰基苯并三氮唑或钛酞菁或聚碳酸酯。

4.根据权利要求1所述的一种叠层发光结构,其特征在于,所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料采用n'-二苯基对苯二胺或n-乙烯基苯胺或聚乙烯咔唑或二本胺类化合物或n'-双苯基联苯胺或乙烯基苯胺化合物或4,4',4”-三(n-1-萘基)-n-苯基氨基三联苯。

5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:周广东邓荣斌李牧词钟贵钦施国良梁妃妃
申请(专利权)人:广西自贸区睿显科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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