【技术实现步骤摘要】
本申请涉及封装领域，尤其涉及一种封装结构。
技术介绍
1、芯片，是将各种精细电子组件如晶体管、电阻器、电容器和二极管等，安装在同一个半导体基板上，以执行复杂的运算处理以及存储大量的数据。芯片通常需进行封装形成封装件以实现防止外部的冲击保护芯片等各种作用。其中，倒装芯片被广泛用于半导体器件封装，即将芯片倒装于基板的一侧。倒装芯片封装往往容易出现翘曲问题，为了控制翘曲的现象，通常通过设置金属盖的方式控制变形，而金属盖的设置同时还能够保护芯片防止因外部的冲击而损坏。然而，金属盖在通过胶粘剂与基板的防焊层结合时容易出现结合力不足而导致的分层或者孔洞现象，进而容易导致金属盖脱落。
技术实现思路
1、有鉴于此，有必要提供一种解决上述问题的封装结构。
2、本申请第一方面提供一种封装结构，包括封装基板、芯片以及盖体。所述封装基板包括线路基板以及设于所述线路基板相背两侧的防焊层，所述线路基板包括介电层和与所述介电层结合的线路层。所述芯片安装于所述封装基板的一侧并与所述线路层电连接，所述盖体与所述芯片位于所述封装基板的同侧。所述盖体通过一胶粘层直接与所述介电层及/或所述线路层粘结以与所述封装基板配合封装所述芯片。
3、本申请的上述封装结构中，所述盖体通过所述胶粘层直接与所述介电层或者与所述线路层粘结，避免了所述盖体通过所述胶粘层与所述防焊层粘结来固定所述盖体，从而避免了因所述胶粘层与所述防焊层结合力不足引起的分层和孔洞，进而有利于避免所述盖体的脱落以及产品的失效。另外，所述盖体
4、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述胶粘层的热膨胀系数与所述介电层的热膨胀系数的差值小于15ppm/℃，及/或所述胶粘层的热膨胀系数与所述线路层的热膨胀系数的差值小于15ppm/℃。
5、在上述可能的实施方式中，特定的热膨胀系数的关系有利于降低所述胶粘层与所述介电层及/或所述线路层之间的热应力，从而有利于降低胶粘层与所述介电层及/或所述线路层之间分层或出现孔洞的情形，进而有利于避免所述盖体从所述封装基板上脱落。
6、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述介电层的热膨胀系数小于所述胶粘层的热膨胀系数，及/或所述线路层的热膨胀系数小于所述胶粘层的热膨胀系数。
7、在上述可能的方式中，特定的热膨胀系数的关系有利于在所述封装结构经历温度升降时降低所述封装结构整体的变形程度，从而有利于降低所述封装结构的翘曲，进而有利于避免所述盖体从所述封装基板上脱落。
8、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述介电层的玻璃态转化温度大于所述防焊层的玻璃态转化温度并大于所述胶粘层的玻璃态转化温度。
9、在上述可能的方式中，有利于在所述封装结构经历温度升降时降低所述封装结构整体的变形程度，从而有利于降低所述封装结构的翘曲，进而有利于避免所述盖体从所述封装基板上脱落。
10、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述介电层为味之素堆积膜。
11、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述封装结构还包括导热层，所述导热层设于所述芯片与所述盖体之间，并分别与所述芯片和盖体接触。
12、在上述可能的方式中，所述导热层的设置有利于及时地将所述芯片上的热量传导扩散至所述盖体，进而有利于所述封装结构的散热。
13、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述导热层填满所述盖体与所述封装基板围成的空间。
14、在上述可能的方式中，所述导热层填满所述盖体与所述封装基板围成的空间，从而提升所述芯片的散热路径，进而有利于进一步地提升所述封装结构的散热效果。
15、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述盖体为金属盖，所述金属盖包括铜、铜合金、铝、铝合金、铁或不锈钢。
16、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述芯片通过多个焊接部与所述封装基板的所述线路层电连接，所述封装结构还包括封装胶层，所述封装胶层结合于所述芯片与所述封装基板之间，并填充于多个所述焊接部之间。
17、在上述可能的方式中，所述封装胶层的设置有利于提升所述芯片安装的稳固性，同时有利于保障所述芯片与所述封装基板电连接的稳固性。
18、基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述线路层包括多个，多个所述线路层沿所述线路基板的厚度方向层叠间隔。所述线路基板还包括沿所述厚度方向设置的连接孔以及设于所述连接孔中的导电结构，所述连接孔连通至少两个所述线路层。所述导电结构电连接至少两个所述线路层，所述导电结构包括设于所述连接孔内壁上的导电层，所述导电层为呈一导电孔，所述导电结构还包括油墨层，所述油墨层填充于所述导电孔内。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装结构，包括封装基板、芯片以及盖体，所述封装基板包括线路基板以及设于所述线路基板相背两侧的防焊层，所述线路基板包括介电层和与所述介电层结合的线路层，所述芯片安装于所述封装基板的一侧并与所述线路层电连接，所述盖体与所述芯片位于所述封装基板的同侧，其特征在于，所述盖体通过一胶粘层直接与所述介电层及/或所述线路层粘结以与所述封装基板配合封装所述芯片。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述胶粘层的热膨胀系数与所述介电层的热膨胀系数的差值小于15ppm/℃，及/或所述胶粘层的热膨胀系数与所述线路层的热膨胀系数的差值小于15ppm/℃。
3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的热膨胀系数小于所述胶粘层的热膨胀系数，及/或所述线路层的热膨胀系数小于所述胶粘层的热膨胀系数。
4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的玻璃态转化温度大于所述防焊层的玻璃态转化温度并大于所述胶粘层的玻璃态转化温度。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述介电层为味之素堆积膜。
6.如权利要求1所述
7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述导热层填满所述盖体与所述封装基板围成的空间。
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述盖体为金属盖，所述金属盖包括铜、铜合金、铝、铝合金、铁或不锈钢。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片通过多个焊接部与所述封装基板的所述线路层电连接，所述封装结构还包括封装胶层，所述封装胶层结合于所述芯片与所述封装基板之间，并填充于多个所述焊接部之间。
10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述线路层包括多个，多个所述线路层沿所述线路基板的厚度方向层叠间隔，所述线路基板还包括沿所述厚度方向设置的连接孔以及设于所述连接孔中的导电结构，所述连接孔连通至少两个所述线路层；所述导电结构电连接至少两个所述线路层，所述导电结构包括设于所述连接孔内壁上的导电层，所述导电层为呈一导电孔，所述导电结构还包括油墨层，所述油墨层填充于所述导电孔内。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括封装基板、芯片以及盖体，所述封装基板包括线路基板以及设于所述线路基板相背两侧的防焊层，所述线路基板包括介电层和与所述介电层结合的线路层，所述芯片安装于所述封装基板的一侧并与所述线路层电连接，所述盖体与所述芯片位于所述封装基板的同侧，其特征在于，所述盖体通过一胶粘层直接与所述介电层及/或所述线路层粘结以与所述封装基板配合封装所述芯片。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述胶粘层的热膨胀系数与所述介电层的热膨胀系数的差值小于15ppm/℃，及/或所述胶粘层的热膨胀系数与所述线路层的热膨胀系数的差值小于15ppm/℃。
3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的热膨胀系数小于所述胶粘层的热膨胀系数，及/或所述线路层的热膨胀系数小于所述胶粘层的热膨胀系数。
4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的玻璃态转化温度大于所述防焊层的玻璃态转化温度并大于所述胶粘层的玻璃态转化温度。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述介电层为味之素堆积膜。
6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯航，刘景宽，
申请(专利权)人：礼鼎半导体科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。