【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种修复多晶硅高阻阻值的方法。
技术介绍
1、多晶硅晶粒间的悬挂键易与氢结合，使多晶硅电阻阻值不稳定，特别是轻掺杂的高阻值多晶硅更容易受工艺波动影响，更不稳定。常规做法是在多晶高阻上方覆盖金属，来减弱氢化作用。根据多晶阻值长期表现通过离子注入(imp)直接调整阻值。但是长期量产观察，多晶硅高阻仍然受各种工艺波动因素影响，仍有较大超规范风险。
技术实现思路
1、为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供一种修复多晶硅高阻阻值的方法，用以解决高阻值多晶硅容易受工艺波动影响不稳定，有较大超规范风险的问题。
2、本专利技术提供一种修复多晶硅高阻阻值的方法，至少包括以下步骤：
3、步骤一、提供衬底，在所述衬底表面淀积多晶硅形成多晶硅层；
4、步骤二、对所述多晶硅层进行杂质离子注入形成多晶硅高阻，并使得所述多晶硅高阻阻值达标；
5、步骤三、图案化所述多晶硅高阻以形成电阻图形；
6、步骤四、淀积形成一具有平坦表面的ild层；
7、步骤五、在所述ild层上形成金属层，并利用光刻刻蚀工艺定义出金属连线层和多晶高阻屏蔽层；
8、步骤六、在所述金属层上形成钝化层，并利用光刻刻蚀工艺打开焊盘开口；
9、步骤七、实施低温合金工艺；
10、步骤八、进行wat测试，并根据测试结果确定是否需要修复所述多晶高阻阻值，若所述多晶硅高阻阻值过大，执行步骤九，若所述多晶
11、步骤九、在不含n的h2气氛中实施低温合金工艺，使多晶硅氢化增强，降低所述多晶硅高阻阻值；
12、步骤十、在不含h的n2气氛中实施低温合金工艺，使多晶硅氢化减弱，提高所述多晶硅高阻阻值。
13、优选地，步骤一中所述衬底为硅衬底。
14、优选地，步骤一中所述多晶硅层采用低压化学气相沉积工艺形成。
15、优选地，步骤三中所述电阻图形为多晶硅电阻条。
16、优选地，步骤四中所述ild层的材料采用低压化学气相沉积的四乙氧基硅烷、掺杂硼磷硅化玻璃和等离子体增强氧化层。
17、优选地，步骤六中所述钝化层的材料采用等离子体增强氧化层和氮化硅。
18、优选地，步骤七中所述低温合金工艺用以修复损伤、释放应力。
19、优选地，步骤七中所述低温合金工艺在n2/h2氮氧混合气体气氛中进行。
20、优选地，所述方法还包括：若测试结果为所述多晶硅高阻阻值在预设范围内，没有过大或过小，则不需要修复所述多晶高阻阻值。
21、本专利技术鉴于多晶硅高阻阻值易受工艺波动影响不稳定，有较大超规范风险，在进行wat测试后，根据测试结果对多晶硅高阻阻值进行调整修复，当多晶高阻阻值过大时，增加一次无n的h2低温合金工艺(alloy)，继续使多晶硅氢化，降低高阻阻值；当多晶硅高阻阻值过小时，可以增加一次无h的n2 alloy，使高阻上金属阻挡层充分吸附氢，降低氢化影响，提高高阻阻值。由此，提高了多晶硅高阻阻值稳定性，降低了wat oos风险，提升了产品良率。
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1.一种修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。
3.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤一中所述多晶硅层采用低压化学气相沉积工艺形成。
4.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤三中所述电阻图形为多晶硅电阻条。
5.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤四中所述ILD层的材料采用低压化学气相沉积的四乙氧基硅烷、掺杂硼磷硅化玻璃和等离子体增强氧化层。
6.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤六中所述钝化层的材料采用等离子体增强氧化层和氮化硅。
7.根据权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤七中所述低温合金工艺在N2/H2氮氧混合气体气氛中进行。
8.根据权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤七中所述低温合金工艺用以修复损伤、释放应力。
9.根据权利要求1所述
...【技术特征摘要】
1.一种修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。
3.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤一中所述多晶硅层采用低压化学气相沉积工艺形成。
4.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤三中所述电阻图形为多晶硅电阻条。
5.如权利要求1所述的修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，步骤四中所述ild层的材料采用低压化学气相沉积的四乙氧基硅烷、掺杂硼磷硅化玻璃和等离子体增强氧化层。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱天奕，张磊，王晓日，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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