【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种闪存器件及其制备方法。
技术介绍
1、在闪存器件的制造工艺中，在衬底和sti(浅沟槽隔离结构)上沉积浮栅之后，通常采用cmp工艺平坦化定义浮栅的最终形貌，然后在浮栅上继续沉积ono膜层和控制栅。
2、但是，由于目前cmp工艺研磨存在dishing，即，cmp研磨工艺结束后，晶圆会有中间微凹的形貌，导致浮栅的边界角(顶角)比较尖锐，尖锐的边界角不利于膜层的淀积，会导致在浮栅上沉积ono膜层时在底部浮栅的边界角位置ono膜层的膜厚偏薄，ono膜层偏薄会导致电场变强，容易造成闪存器件抗压能力变弱甚至造成器件击穿，影响产品良率。
技术实现思路
1、本申请提供了一种闪存器件及其制备方法，可以解决沉积在浮栅的边界角位置的ono膜层偏薄导致闪存器件抗压能力变弱甚至击穿的问题。
2、一方面，本申请实施例提供了一种闪存器件的制备方法，包括：
3、提供一衬底，所述衬底上形成有衬垫氧化层和硬掩膜层；
4、刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和部分厚度的衬底，以在所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和部分厚度的衬底中形成有多个沟槽；
5、形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构填充所述沟槽；
6、去除所述硬掩膜层；
7、形成浮栅层，所述浮栅层覆盖所述衬垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构；
8、研磨去除第一厚度的所述浮栅层；
9、采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和一定厚度的
10、形成ono膜层，所述ono膜层覆盖所述浮栅层和所述浅沟槽隔离结构。
11、可选的，在所述闪存器件的制备方法中，采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和一定厚度的所述浅沟槽隔离结构的步骤包括：
12、采用干法刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和第一厚度的所述浅沟槽隔离结构；
13、采用湿法刻蚀工艺去除第二厚度的所述浅沟槽隔离结构。
14、可选的，在所述闪存器件的制备方法中，使用cf4干法刻蚀第二厚度的所述浮栅层和第一厚度的所述浅沟槽隔离结构；使用稀释的氢氟酸湿法去除第二厚度的所述浅沟槽隔离结构。
15、可选的，在所述闪存器件的制备方法中，在采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和一定厚度的所述浅沟槽隔离结构之后，所述浅沟槽隔离结构的上表面比所述浮栅层的上表面低
16、可选的，在所述闪存器件的制备方法中，在形成ono膜层之后，所述闪存器件的制备方法还包括：
17、形成控制栅层，所述控制栅层覆盖所述ono膜层。
18、可选的，在所述闪存器件的制备方法中，采用高温炉管工艺形成所述浮栅层。
19、可选的，在所述闪存器件的制备方法中，采用cmp工艺研磨去除第一厚度的所述浮栅层。
20、可选的，在所述闪存器件的制备方法中，所述ono膜层包括：依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。
21、另一方面，本申请实施例还提供了一种闪存器件，包括：
22、衬底，所述衬底中形成有多个沟槽；
23、多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述沟槽中以及所述沟槽顶端；
24、衬垫氧化层，所述衬垫氧化层覆盖所述浅沟槽隔离结构之间的所述衬底；
25、浮栅层，所述浮栅层覆盖所述衬垫氧化层，其中，所述浅沟槽隔离结构的上表面低于所述浮栅层的上表面，通过选择性刻蚀工艺，将相邻的所述浅沟槽隔离结构之间的所述浮栅层的顶角的轮廓由尖角调整为圆角；以及
26、ono膜层，所述ono膜层覆盖所述浮栅层和所述浅沟槽隔离结构。
27、本申请技术方案，至少包括如下优点：
28、本申请采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的浮栅层和一定厚度的所述浅沟槽隔离结构，通过刻蚀选择比的调整，使得刻蚀浅沟槽隔离结构的刻蚀速率大于刻蚀浮栅层的刻蚀速率，以使浅沟槽隔离结构的上表面低于浮栅层的上表面，同时将浮栅层的顶角削平缓，由尖角调整为圆角，使得后续沉积ono膜层时ono膜层包裹浮栅层的圆角更加均匀，从而使得ono膜层的整体膜厚均匀，避免了沉积ono膜层时ono膜层在底部浮栅的边界角位置的膜厚偏薄而导致电场变强的情况，变相地降低了电场强度，提高了闪存器件的抗压能力避免器件被击穿，提高了闪存器件的良率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和一定厚度的所述浅沟槽隔离结构的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，使用CF4干法刻蚀第二厚度的所述浮栅层和第一厚度的所述浅沟槽隔离结构；使用稀释的氢氟酸湿法去除第二厚度的所述浅沟槽隔离结构。
4.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，在采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和一定厚度的所述浅沟槽隔离结构之后，所述浅沟槽隔离结构的上表面比所述浮栅层的上表面低
5.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，在形成ONO膜层之后，所述闪存器件的制备方法还包括：
6.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，采用高温炉管工艺形成所述浮栅层。
7.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，采用CMP工艺研磨去除第一厚度的所述浮栅层。
8.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法
9.一种闪存器件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和一定厚度的所述浅沟槽隔离结构的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，使用cf4干法刻蚀第二厚度的所述浮栅层和第一厚度的所述浅沟槽隔离结构；使用稀释的氢氟酸湿法去除第二厚度的所述浅沟槽隔离结构。
4.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，在采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和一定厚度的所述浅沟槽隔离结构之后，所述浅沟槽隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁轩铭，李志国，徐杰，周洋，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。