【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及异质结电池，具体涉及异质结电池及其制备方法。
技术介绍
1、异质结(hjt)电池技术成为当下研究的热点，提效和降本作为研究人员和学者优化的重要导向。氢化非晶硅(i-a-si:h)等常作为hjt电池的钝化层材料，它能够提供丰富的氢，从而钝化悬挂键，减少缺陷，降低载流子的复合。然而氢化非晶硅由于其较低的光学带隙，因此会吸收一部分光，导致太阳电池的短路电流密度降低。
2、通常情况下，可以利用氢化非晶氧化硅代替氢化非晶硅来形成hjt电池的钝化层。由于氧元素的掺入，会导致光学带隙增大，降低对于光的吸收，提高短路电流密度，并且能够进一步提高钝化效果。
3、然而，经研究发现，这种方式不利于空穴的传输和收集，对hjt电池的性能有一些不利影响。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，专利技术人通过研发找到了问题的成因，并形成了解决方案。
2、第一方面，本专利技术提供一种异质结电池，该异质结电池包括：
3、衬底；
4、位于所述衬底背光面的背面掺杂非晶硅层；
5、位于所述的背面掺杂非晶硅层与所述衬底之间的背面钝化层，
6、其中，所述背面钝化层包括掺氧基材，且所述背面钝化层具有与所述背面掺杂非晶硅层的接触部和非接触部，所述接触部的掺氧浓度小于所述非接触部的至少部分区域的掺氧浓度。
7、进一步地，上述所述的异质结电池中，所述非接触部包括第一钝化层和第二钝化层，所述接触部为第三钝化层；
8、
9、进一步地，上述所述的异质结电池中，所述第一钝化层的掺氧浓度小于或等于所述第三钝化层的掺氧浓度。
10、进一步地，上述所述的异质结电池中，所述第一钝化层的掺氧浓度逐渐升高，且所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
11、进一步地，上述所述的异质结电池中，所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降低，且所述第三钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
12、进一步地，上述所述的异质结电池中，所述第一钝化层的掺氧浓度逐渐升高，第二钝化层的掺氧浓度逐渐升高，所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降低；
13、其中，所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层靠近所述第一钝化层的一面的掺氧浓度；
14、所述第三钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层靠近所述第三钝化层的一面的掺氧浓度。
15、进一步地，上述所述的异质结电池中，所述非接触部包括第一钝化层和第二钝化层，所述接触部为第三钝化层；
16、所述第一钝化层的掺氧浓度逐渐升高，第二钝化层的掺氧浓度逐渐升高，所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降低；
17、其中，所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度大于或等于所述第二钝化层靠近所述第一钝化层的一面的掺氧浓度，且所述第二钝化层远离所述第一钝化层的一面的掺氧浓度大于所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度；
18、所述第三钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于或等于所述第二钝化层远离所述第一钝化层的一面的掺氧浓度，且所述第二钝化层靠近所述第一钝化层的一面的掺氧浓度大于所述第三钝化层远离所述第二钝化层的一面的掺氧浓度。
19、第二方面，本专利技术提供一种异质结电池的制备方法，该异质结电池的制备方法包括：
20、在衬底的背光面依次形成背面钝化层和背面掺杂非晶硅层；
21、其中，所述背面钝化层包括掺氧基材，且所述背面钝化层具有与所述背面掺杂非晶硅层的接触部和非接触部，所述接触部的掺氧浓度小于所述非接触部的至少部分区域的掺氧浓度。
22、进一步地，上述所述的异质结电池的制备方法中，所述背面钝化层的形成过程，包括：
23、通入掺氧气体源，在衬底的背光面依次沉积所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；
24、其中，所述第一钝化层以及所述第二钝化层构成所述非接触部，所述第三钝化层构成所述接触部，所述第一钝化层的掺氧浓度以及所述第三钝化层的掺氧浓度均小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
25、进一步地，上述所述的异质结电池的制备方法中，沉积所述第一钝化层，包括：
26、通过调整所述掺氧气体源的配比，形成掺氧浓度逐渐升高的所述第一钝化层，其中，所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
27、进一步地，上述所述的异质结电池的制备方法中，沉积所述第三钝化层，包括：
28、通过调整所述掺氧气体源的配比，形成掺氧浓度逐渐降低的所述第三钝化层，其中，所述第三钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
29、进一步地，上述所述的异质结电池的制备方法中，沉积所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层，包括：
30、通过调整掺氧气体源的配比，形成掺氧浓度逐渐升高的所述第一钝化层，浓度逐渐升高的所述第二钝化层，浓度逐渐降低的所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降低；
31、其中，所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层靠近所述第一钝化层的一面的掺氧浓度；
32、所述第三钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层靠近所述第三钝化层的一面的掺氧浓度。
33、进一步地，上述所述的异质结电池的制备方法中，所述背面钝化层的形成过程，
34、通过调整掺氧气体源的配比，形成浓度逐渐升高的所述第一钝化层，浓度逐渐升高的所述第二钝化层，浓度逐渐降低的所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降低；
35、其中，所述第一钝化层以及所述第二钝化层构成所述非接触部，所述第三钝化层构成所述接触部；
36、所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度大于或等于所述第二钝化层靠近所述第一钝化层的一面的掺氧浓度，且所述第二钝化层远离所述第一钝化层的一面的掺氧浓度大于所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度；
37、所述第三钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于或等于所述第二钝化层远离所述第一钝化层的一面的掺氧浓度，且所述第二钝化层靠近所述第一钝化层的一面的掺氧浓度大于所述第三钝化层远离所述第二钝化层的一面的掺氧浓度。
38、本专利技术上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种有益效果：
39、在实施本专利技术的技术方案时，在衬底的背光面设置掺氧基材的背面钝化层，并利用并将背面钝化层在垂直于衬底，并由内到外的方向上，至少配置为呈高浓度以及低浓度的分布状态，使得背面钝化层的光学带隙更大，且能够避免价带偏移，降低对于光的吸收，提高短路电流密度，并且能够进一步提高钝化效果，同时，可以本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种异质结电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一钝化层的掺氧浓度小于或等于所述第三钝化层的掺氧浓度。
4.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一钝化层的掺氧浓度逐渐升高，且所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
5.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降低，且所述第三钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
6.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一钝化层的掺氧浓度逐渐升高，第二钝化层的掺氧浓度逐渐升高，所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降低；
7.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述非接触部包括第一钝化层和第二钝化层，所述接触部为第三钝化层；
8.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，沉积所述第一钝化层，包括：
11.根据权利要求9所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，沉积所述第三钝化层，包括：
12.根据权利要求8所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，沉积所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层，包括：
13.根据权利要求8所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述背面钝化层的形成过程，
...【技术特征摘要】
1.一种异质结电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一钝化层的掺氧浓度小于或等于所述第三钝化层的掺氧浓度。
4.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一钝化层的掺氧浓度逐渐升高，且所述第一钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
5.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降低，且所述第三钝化层靠近所述第二钝化层的一面的掺氧浓度小于所述第二钝化层的掺氧浓度。
6.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第一钝化层的掺氧浓度逐渐升高，第二钝化层的掺氧浓度逐渐升高，所述第三钝化层的掺氧浓度逐渐降...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭丛，郭江东，王永恒，孟子博，杨广涛，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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