【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、以往，有一种在半导体层之上形成了绝缘层、在绝缘层之上形成了密合层、在密合层之上形成了种子层并且在种子层之上形成了镀覆层的半导体装置。密合层、种子层以及镀覆层的层叠结构体被表面保护用的绝缘层覆盖。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020－141054号公报
5、在以往的半导体装置中，表面保护用的绝缘层有时会从层叠结构体剥离。表面保护用的绝缘层的剥离可能会引起由水分的侵入等而导致的电特性的劣化。
技术实现思路
1、本公开的目的在于，提供能抑制绝缘层的剥离的半导体装置和半导体装置的制造方法。
2、本公开的半导体装置具有：基板；第一绝缘层，设于所述基板之上；第一金属层，设于所述第一绝缘层之上；第二金属层，设于所述第一金属层之上；以及第二绝缘层，覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，所述第一金属层的上表面具有：第一区域，供所述第二金属层接触；以及第二区域，远离所述第二金属层，所述第二绝缘层与所述第一金属层的侧面和所述第二区域以及所述第二金属层的上表面和侧面直接接触，所述第一金属层的宽度在与所述基板平行的方向上大于等于所述第二金属层的宽度。
3、专利技术效果
4、根据本公开，能抑制绝缘层的剥离。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
8.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，
10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，
11.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边健一，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：
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