光电转换元件和气体传感器制造技术

技术编号：41823460 阅读：2 留言：0更新日期：2024-06-24 20:37

本发明专利技术提供光电转换元件和气体传感器，能够抑制因半导体基板的变形所引起的特性变动。光电转换元件具备：半导体组件(21)，其具备半导体元件部(10)和密封部(20)，该半导体元件部(10)具有射出或射入光的光射出射入面(10a)、半导体基板(111)、半导体层(112)以及电极(113)，该密封部(20)覆盖半导体元件部的侧面；和绝缘层(31)，其设于半导体组件的一侧的面，覆盖电极和外部连接端子之间的重布线，绝缘层构成为包括第1绝缘层(311)和第2绝缘层(312)且使重布线设于它们之间，形成为不覆盖半导体层的至少局部或者与覆盖重布线的绝缘层的厚度相比较薄地覆盖半导体层的至少局部。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电转换元件和气体传感器。

技术介绍

1、作为半导体元件，已知有输出与接收到的红外线相应的信号的红外线接收元件(红外线传感器)和根据输入的电力而发出红外线的红外线发光元件(红外线led：lightemitting diode(发光二极管))。量子型的红外线接收元件通过具有pn结或pin结的半导体吸收红外线而产生的光电流检测红外线。红外线发光元件通过正向施加的电压而发出红外线。红外线接收元件和红外线发光元件例如有时使用在ndir(non dispersive infrared：非色散红外)方式气体传感器。ndir方式气体传感器能够使用接收与检测对象气体相应的吸收波段的红外线的红外线接收元件和发出该吸收波段的红外线的红外线发光元件，来测量气体浓度。例如专利文献1公开了以下装置，该装置在具有椭圆体的内表面(椭圆体反射镜)的壳体内具备放射红外线的光源和检测特定波长的红外线的检测器，该装置构成为将被检测气体导入该壳体内。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2018/0348121号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、在此，在将半导体元件配置在基板上而构成的器件中，有时也相对于半导体基板施加有应力。例如，由于安装器件时的热膨胀等的影响，有时半导体基板会翘曲。在器件为气体传感器的情况下，有时由于翘曲而使气体传感器产生特性变动。特别是在小型的气体传感器中，由于半导体基板的变形对特性有较大的影响

3、鉴于上述内容而完成的本公开的目的在于，提供能够抑制因半导体基板的变形所引起的特性变动的光电转换元件和气体传感器。

4、用于解决问题的方案

5、(1)本公开的一实施方式的光电转换元件具备：

6、半导体组件，其具备半导体元件部和密封部，该半导体元件部具有射出或射入光的光射出射入面、半导体基板、半导体层以及电极，该密封部覆盖所述半导体元件部的侧面；和

7、绝缘层，其设于所述半导体组件的一侧的面，覆盖所述电极和外部连接端子之间的重布线，

8、所述绝缘层构成为包括第1绝缘层和第2绝缘层且使所述重布线设于它们之间，形成为不覆盖所述半导体层的至少局部或者与覆盖所述重布线的所述绝缘层的厚度相比较薄地覆盖所述半导体层的至少局部。

9、(2)作为本公开的一实施方式，在(1)中，

10、在所述绝缘层形成为较薄地覆盖所述半导体层的至少局部的情况下，在所述绝缘层的较薄地覆盖的部分，未设有所述第2绝缘层。

11、(3)作为本公开的一实施方式，在(1)或(2)中，

12、所述光电转换元件具有fowlp的封装构造。

13、(4)作为本公开的一实施方式，在(1)至(3)中任一个实施方式中，

14、在将所述半导体层划分为能够配置所述电极的连接区域和除了所述连接区域以外的中央区域的情况下，所述绝缘层形成为不覆盖所述连接区域的局部或者与覆盖所述重布线的所述绝缘层的厚度相比较薄地覆盖所述连接区域的局部。

15、(5)作为本公开的一实施方式，在(1)至(3)中任一个实施方式中，

16、在将所述半导体层划分为能够配置所述电极的连接区域和除了所述连接区域以外的中央区域的情况下，所述绝缘层形成为不覆盖所述中央区域或者与覆盖所述重布线的所述绝缘层的厚度相比较薄地覆盖所述中央区域。

17、(6)作为本公开的一实施方式，在(1)至(3)中任一个实施方式中，

18、在将所述半导体层划分为能够配置所述电极的连接区域和除了所述连接区域以外的中央区域的情况下，所述绝缘层形成为不覆盖所述连接区域的局部和所述中央区域，或者与覆盖所述重布线的所述绝缘层的厚度相比较薄地覆盖所述连接区域的局部和所述中央区域。

19、(7)作为本公开的一实施方式，在(1)至(6)中任一个实施方式中，所述外部连接端子为多个且构成lga或bga。

20、(8)作为本公开的一实施方式，在(1)至(7)中任一个实施方案中，

21、在所述绝缘层形成为较薄地覆盖所述半导体层的至少局部的情况下，所述绝缘层的较薄地覆盖的部分的厚度为将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层加起来的厚度的1/2以下。

22、(9)本公开的一实施方式的气体传感器具备：

23、发光元件，其为(1)至(7)中任一项所述的光电转换元件，所述光射出射入面射出光；和

24、光接收元件，其为(1)至(7)中任一项所述的光电转换元件，所述光射出射入面射入光，

25、基于从所述发光元件射出且穿过气体并由所述光接收元件检测到的所述光的光接收量，检测包含在所述气体中的被检测气体。

26、专利技术的效果

27、根据本公开，能够提供能抑制因半导体基板的变形所引起的特性变动的光电转换元件和气体传感器。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电转换元件，其中，

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，

5.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，

6.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，

7.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，

8.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，

9.一种气体传感器，其中，

【技术特征摘要】

1.一种光电转换元件，其中，

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，

5.根据权利要求1～3中任一项所述的光电...

【专利技术属性】
技术研发人员：福中敏昭，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人