【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种掩膜制造方法和制造装置、存储介质和电子设备。
技术介绍
1、掩膜(mask)是芯片生产中不可缺少的部分。掩膜是设计所得的原始掩膜设计(original design)经修正后，转移到掩膜板上，以参与后续的曝光(litho)、刻蚀(etch)等工艺环节，最终实现设计的图像在光刻胶上成像。掩膜的质量直接决定了光刻工艺的质量。
2、掩膜是通过深紫外(deep ultra-violet，duv)或者电子束将掩膜设计书写至掩膜的基板上。在掩膜的生产制造过程中，不可避免的会产生一些缺陷(defect)，有些小缺陷可以通过原位修补进行修复。
3、现有的修复方法修复效果难尽人意，修复失败率居高不下，修复失败的掩膜最终只能报废，对晶圆生产成本影响巨大。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是如何降低掩膜制造成本。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种掩膜制造方法，所述掩膜包括第一子掩膜和第二子掩膜，所述掩膜制造方法包括：
3、形成所述第一子掩膜；检测所述第一子掩膜，获得所述第一子掩膜的图形缺陷；根据所述第一子掩膜的图形缺陷，形成所述第二子掩膜以完成所述掩膜的制造。
4、相应的，本专利技术还提供一种掩膜制造装置，所述掩膜包括第一子掩膜和第二子掩膜，所述掩膜制造装置包括：
5、书写模块，所述书写模块适宜于形成所述第一子掩膜；检测模块，所述检测模块适宜于检测所述第一子掩膜，获得所述第一子掩
6、此外，本专利技术还提供一种存储介质，所述存储介质为计算机存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行，以实现本专利技术的掩膜设计方法的步骤。
7、本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行本专利技术的掩膜设计方法的步骤。
8、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
9、本专利技术技术方案中，先后形成第一子掩膜和第二子掩膜，并在第二子掩膜形成之前，检测所述第一子掩膜，获得所述第一子掩膜的图形缺陷；基于所述第一子掩膜的图形缺陷，形成所述第二子掩膜。形成的第二子掩膜的过程中，计入所述第一子掩膜的图形缺陷，使所形成的第二子掩膜修复所述第一子掩膜的图形缺陷，从而避免了所述第一子掩膜的废弃，能够有效控制所述掩膜的制造成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜包括第一子掩膜和第二子掩膜，所述掩膜制造方法包括：
2.如权利要求1所述的掩膜制造方法，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的掩膜制造方法，其特征在于，获得第一子掩膜设计的步骤中，拆分所述掩膜设计，获得所述第一子掩膜设计和第二子掩膜预备设计；
4.如权利要求3所述的掩膜制造方法，其特征在于，在所述第二子掩膜预备设计中设置修补图形，获得所述第二子掩膜设计的步骤还包括：
5.如权利要求4所述的掩膜制造方法，其特征在于，获得所述第二子掩膜设计的步骤还包括：
6.如权利要求5所述的掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜适宜于形成上层金属和下层金属之间的过孔插塞；
7.如权利要求4所述的掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜适宜于形成上层金属和下层金属之间的过孔插塞；
8.如权利要求3所述的掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜包括多个第二子掩膜；
9.如权利要求8所述的掩膜制造方法，其特征在于，从多个所述第二子掩膜预备设计中选择一个以设置修补图形的步骤中，选
10.如权利要求2所述的掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜包括多个第二子掩膜；
11.一种掩膜制造装置，其特征在于，所述掩膜包括第一子掩膜和第二子掩膜，
12.如权利要求11所述的掩膜制造装置，其特征在于，还包括：
13.如权利要求12所述的掩膜制造装置，其特征在于，所述拆分单元拆分所述掩膜设计，获得所述第一子掩膜设计和第二子掩膜预备设计；
14.如权利要求13所述的掩膜制造装置，其特征在于，所述修补单元还包括：
15.如权利要求14所述的掩膜制造装置，其特征在于，所述修补单元还包括：
16.如权利要求14所述的掩膜制造装置，其特征在于，所述掩膜适宜于形成上层金属和下层金属之间的过孔插塞；
17.如权利要求13所述的掩膜制造装置，其特征在于，所述掩膜包括多个第二子掩膜；所述拆分单元获得多个第二子掩膜预备设计；
18.如权利要求12所述的掩膜制造装置，其特征在于，所述掩膜包括多个第二子掩膜；
19.一种存储介质，所述存储介质为计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现权利要求1至10中任一项所述掩膜设计方法的步骤。
20.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至10中任一项所述掩膜设计方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜包括第一子掩膜和第二子掩膜，所述掩膜制造方法包括：
2.如权利要求1所述的掩膜制造方法，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的掩膜制造方法，其特征在于，获得第一子掩膜设计的步骤中，拆分所述掩膜设计，获得所述第一子掩膜设计和第二子掩膜预备设计；
4.如权利要求3所述的掩膜制造方法，其特征在于，在所述第二子掩膜预备设计中设置修补图形，获得所述第二子掩膜设计的步骤还包括：
5.如权利要求4所述的掩膜制造方法，其特征在于，获得所述第二子掩膜设计的步骤还包括：
6.如权利要求5所述的掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜适宜于形成上层金属和下层金属之间的过孔插塞；
7.如权利要求4所述的掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜适宜于形成上层金属和下层金属之间的过孔插塞；
8.如权利要求3所述的掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜包括多个第二子掩膜；
9.如权利要求8所述的掩膜制造方法，其特征在于，从多个所述第二子掩膜预备设计中选择一个以设置修补图形的步骤中，选择第一位置的修补图形符合设计规则的一个所述第二子掩膜预备设计以设置所述修补图形，获得所述第二子掩膜设计。
10.如权利要求2所述的掩膜制造方法，其特征在于，所述掩膜包括多个第二子掩膜；
【专利技术属性】
技术研发人员：王兰芳，黄宜斌，陈巧丽，崔淼，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。