本申请提供了一种高电子迁移率晶体管、Doherty功率放大器及电子设备，涉及半导体技术领域，本申请采用一种新型的沟道高电子迁移率晶体管对Doherty功率放大器中多路功放电路的功率放大器进行替代，从而能够减少Doherty功率放大器采用裸片(die)的数量。该高电子迁移率晶体管包括衬底以及设置在衬底上从下到上层叠设置的第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层、帽层。其中，第一势垒层位于第一沟道层远离衬底的一侧，第二势垒层位于第二沟道层远离衬底的一侧。该晶体管还包括栅极、源极、第一漏极、第二漏极。帽层设置在第二势垒层远离衬底的一侧，源极、栅极、第二漏极设置在帽层上，第一漏极设置在第一沟道层上、且与第一沟道层电连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
pct国内申请，权...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁瑶，汤岑，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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