【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及数字集成电路领域的存储电路领域，具体为一种sram存储单元及存储器。
技术介绍
1、在静态随机存储器(static random-access memory，sram)的存储单元工作时，其在面对高能粒子撞击时，高能粒子会在半导体材料中产生电子空穴对，被电场俘获之后产生电荷累积，产生sram非正常工作的电压脉冲，可能将sram存储单元中互锁的值产生破坏，出现错误翻转，进而对大规模sram产生严重逻辑错误。
2、传统sram存储单元为6管单元结构，其电路结构如图1所示，其电路结构功耗较高，噪声容限低，易产生单粒子翻转。传统加固方法有dice电路、三模冗余电路都会产生很多功耗，电路结构也更为复杂。
3、中国科学技术大学提出了一种抗单粒子翻转的sram存储单元电路及存储器，申请号：202210301952.1，其电路如图2所示，包含11个mos，在电路结构pmos和nmos完全对称的基础上增加了额外的nmos控制管，电路结构较为复杂，mos数量多，其电路结构还有进一步提升的余地。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种抗单粒子反转的sram存储单元电路及存储器，提升了对抗单粒子翻转的性能，且mos管数量相对较少，电路结构相对简单。当数据进行写操作时，cl信号开始进行输入，逻辑增强电路的第一、第二支路同时工作，使得存储单元的互锁能力减弱，更容易写入数据。
2、本专利技术的技术解决方案
3、一种抗单粒子翻转的sram存储单元电路，包括：nmos管mn1、nmos管mn2、nmos管mn3、nmos管mn4、nmos管mn5、nmos管mn6、pmos管mp1、pmos管mp2和pmos管mp4；
4、nmos管mn1的源极与nmos管mn4的源极和地电性连接；nmos管mn1的栅极与nmos管mn5的源极，pmos管mp4的漏极，nmos管mn4的漏极，pmos管mp1的栅极，pmos管mp2的栅极，nmos管mn2的栅极电性连接；nmos管mn1的漏极与nmos管mn2的源极，nmos管mn3的源极电性连接；
5、nmos管mn2的源极与nmos管mn3的源极，nmos管mn1的漏极电性连接；nmos管mn2的栅极与pmos管mp1的栅极，pmos管mp2的栅极，nmos管mn1的栅极，pmos管mp4的漏极，nmos管mn4的漏极，nmos管mn5的源极电性连接；
6、nmos管mn2的漏极与nmos管mn3的漏极，pmos管mp2的漏极，nmos管mn2的漏极，pmos管mp4的栅极，nmos管mn4的栅极，nmos管mn6的源极电性连接；
7、nmos管mn3的栅极与写控制线cl信号电性连接。
8、nmos管mn5的栅极，nmos管mn6的栅极与字线wl信号电性连接，nmos管mn5的漏极与第一位线blb信号连接；
9、nmos管mn6的漏极与第二位线bl信号电性连接。
10、pmos管mp1的漏极、pmos管mp4的漏极和vdd电性连接，pmos管mp1的源极与pmos管mp2漏极电性连接。
11、优选地，令nmos管mn2、pmos管mp1、pmos管mp2和nmos管mn1的栅极，以及pmos管mp4和nmos管mn4的漏极电性连接点为第一存储节点q，令nmos管mn2、nmos管mn3、pmos管mp2的漏极和pmos管mp4和nmos管mn4的栅极电性连接点为第二存储节点qb；
12、所述第一存储节点q和第二存储节点qb为互锁节点。
13、优选地，各个pmos管和nmos管的宽长比比例如下：
14、pmos管mp1：pmos管mp2：pmos管mp4:nmos管mn1：nmos管mn2：nmos管mn3：nmos管mn4＝6:6:2:2:1:1:1。
15、第二方面，
16、一种抗单粒子翻转的存储器，其存储电路采用第一方面所述的一种抗单粒子翻转的sram存储单元电路。
17、本专利技术与现有技术相比的优点在于：
18、本专利技术与传统加固方法dice、三模冗余等都减少了逻辑管数量，降低了电路复杂度和功耗。与中国科学技术大学提出相近专利相比，减少了两个mos，电路结构更为简单，采用了写入非对称电路结构，能降低电路的写入功耗，能效比更高。
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1.一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路，其特征在于，包括：NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、PMOS管MP1、PMOS管MP2和PMOS管MP4；
2.如权利要求1所述的一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路，其特征在于，令NMOS管MN2、PMOS管MP1、PMOS管MP2和NMOS管MN1的栅极，以及PMOS管MP4和NMOS管MN4的漏极电性连接点为第一存储节点Q，令NMOS管MN2、NMOS管MN3、PMOS管MP2的漏极和PMOS管MP4和NMOS管MN4的栅极电性连接点为第二存储节点Qb；
3.如权利要求1所述的一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路器，其特征在于，各个PMOS管和NMOS管的宽长比比例如下：
4.一种抗单粒子翻转的存储器，其特征在于，其存储电路采用权利要求1～3任意之一所述的一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路。
【技术特征摘要】
1.一种抗单粒子翻转的sram存储单元电路，其特征在于，包括：nmos管mn1、nmos管mn2、nmos管mn3、nmos管mn4、nmos管mn5、nmos管mn6、pmos管mp1、pmos管mp2和pmos管mp4；
2.如权利要求1所述的一种抗单粒子翻转的sram存储单元电路，其特征在于，令nmos管mn2、pmos管mp1、pmos管mp2和nmos管mn1的栅极，以及pmos管mp4和nmos管mn4的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳林，任荣康，李建成，陆时进，刘琳，赵佳，黄新壮，刘晨静，刘劭璠，
申请(专利权)人：北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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