【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、芯片的形成方法。
技术介绍
1、切割作为芯片制造过程中不可或缺环节，把晶圆上的芯片一一地切割下来，切割工艺的好坏，也直接决定了芯片的成品率。
2、现有的晶圆切割方法主要包括机械切割和激光切割，但是这两种技术都存在一定的局限性，对产品的性能或良率会产生一定影响。例如，机械切割不可避免地会造成晶圆结构的损伤，浪费了晶圆的面积，如果损伤面积过大可能会使得芯片功能失效。激光切割虽然损伤小，但是激光产生的热量可能会导致芯片性能发生改变甚至失效。
3、因此，现有的晶圆切割方法有待进一步改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法、芯片的形成方法，以提高切割获得的芯片的性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，晶圆包括基底和位于基底上的器件层，晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区，晶圆具有器件层所在的第一面，以及与第一面相对的第二面；自第二面刻蚀晶圆，在划片道区内形成凹槽；在凹槽内形成缓冲层，缓冲层材料的韧性大于晶圆材料的韧性。
3、可选的，缓冲层的形成方法包括：在凹槽和第二面表面形成缓冲材料层；平坦化缓冲材料层直到暴露出第二面表面，形成缓冲层。
4、可选的，缓冲材料层的形成方法包括注模工艺。
5、可选的，凹槽的形成工艺包括等离子体刻蚀工艺。
6、可选
7、可选的，划片道区包括辅助区，辅助区内的器件层包括测试结构和对准标识中的一者或两者；凹槽位于辅助区的基底内。
8、可选的，划片道区还包括保护区，保护区位于辅助区和芯片区之间；位于保护区内的器件层包括保护环结构。
9、可选的，划片道区还包括阻挡区，阻挡区位于辅助区和保护区之间；位于阻挡区内的器件层包括阻挡墙结构。
10、可选的，凹槽的宽度范围为50μm至70μm；凹槽的深度范围为600μm至730μm。
11、相应的，本专利技术的技术方案还提供一种半导体结构，包括：晶圆，晶圆包括基底和位于基底上的器件层，晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区，晶圆具有器件层所在的第一面，以及与第一面相对的第二面；位于划片道区内的凹槽，凹槽自第二面向第一面延伸；位于凹槽内的缓冲层，缓冲层的材料韧性大于晶圆的材料韧性。
12、可选的，缓冲层的材料包括环氧树脂。
13、可选的，划片道区包括辅助区，辅助区内的器件层包括测试结构和对准标识中的一者或两者；凹槽位于辅助区的基底内。
14、可选的，划片道区还包括保护区，保护区位于辅助区和芯片区之间；位于保护区内的器件层包括保护环结构。
15、可选的，划片道区还包括阻挡区，阻挡区位于辅助区和保护区之间；位于阻挡区内的器件层包括阻挡墙结构。
16、可选的，凹槽的宽度范围为50μm至70μm；凹槽的深度范围为600μm至730μm。
17、相应的，本专利技术的技术方案还提供一种芯片的形成方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括，晶圆，晶圆包括基底和位于基底上的器件层，晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区，晶圆具有器件层所在的第一面，以及与第一面相对的第二面；位于划片道区内的凹槽，凹槽自第二面向第一面延伸；位于凹槽内的缓冲层，缓冲层的材料韧性大于晶圆的材料韧性；自第一面切割划片道区，使各芯片区之间相互分离，形成若干芯片。
18、可选的，划片道区包括辅助区，辅助区内的器件层包括测试结构和对准标识中的一者或两者；凹槽位于辅助区的基底内。
19、可选的，划片道区还包括保护区，保护区位于辅助区和芯片区之间；位于保护区内的器件层包括保护环结构。
20、可选的，划片道区还包括阻挡区，阻挡区位于辅助区和保护区之间；位于阻挡区内的器件层包括阻挡墙结构。
21、可选的，凹槽的宽度范围为50μm至70μm；凹槽的深度范围为600μm至730μm。
22、现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
23、本专利技术技术方案提供的半导体结构的形成方法中，自第二面刻蚀晶圆，在划片道区内形成凹槽，在凹槽内形成缓冲层，由于缓冲层材料的韧性大于晶圆材料的韧性，在对形成的半导体结构进行后续的封装过程中，可以自第一面切割划片道区，使各芯片区之间相互分离，在切割过程中，缓冲层可以起到缓冲的作用，另外，缓冲层相对原有的晶圆材料更容易切割，可减少对划片道区相邻的芯片区的影响(如切割应力引起的芯片区边缘的崩边异常)，从而提高切割获得的芯片的质量。
24、本专利技术技术方案提供的半导体结构中，位于划片道区内的凹槽，凹槽自第二面向第一面延伸，凹槽内具有缓冲层，由于缓冲层的材料韧性大于晶圆的材料韧性，在对半导体结构进行后续的封装过程中，可以自第一面切割划片道区，使各芯片区之间相互分离，在切割过程中，由于缓冲层可以起到缓冲的作用，另外，缓冲层相对原有的晶圆材料更容易切割，可减少对划片道区相邻的芯片区的影响(如切割应力引起的芯片区边缘的崩边异常)，从而提高切割获得的芯片的质量。
25、本专利技术技术方案提供的芯片的形成方法中，提供半导体结构，半导体结构中，位于划片道区内的凹槽，凹槽自第二面向第一面延伸，凹槽内具有缓冲层，由于缓冲层的材料韧性大于晶圆的材料韧性，自第一面切割划片道区，使各芯片区之间相互分离的过程中，由于缓冲层可以在切割过程中起到缓冲的作用，另外，缓冲层相对原有的晶圆材料更容易切割，可减少对划片道区相邻的芯片区的影响(如切割应力引起的芯片区边缘的崩边异常)，从而提高切割获得的芯片的质量。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的形成方法包括：在所述凹槽和所述第二面表面形成缓冲材料层；平坦化所述缓冲材料层直到暴露出所述第二面表面，形成所述缓冲层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲材料层的形成方法包括注模工艺。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的形成工艺包括等离子体刻蚀工艺。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括环氧树脂。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述划片道区包括辅助区，所述辅助区内的所述器件层包括测试结构和对准标识中的一者或两者；所述凹槽位于所述辅助区的所述基底内。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述划片道区还包括保护区，所述保护区位于所述辅助区和所述芯片区之间；位于所述保护区内的所述器件层包括保护环结构。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的宽度范围为50μm至70μm；所述凹槽的深度范围为600μm至730μm。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括环氧树脂。
12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述划片道区包括辅助区，所述辅助区内的所述器件层包括测试结构和对准标识中的一者或两者；所述凹槽位于所述辅助区的所述基底内。
13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述划片道区还包括保护区，所述保护区位于所述辅助区和所述芯片区之间；位于所述保护区内的所述器件层包括保护环结构。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述划片道区还包括阻挡区，所述阻挡区位于所述辅助区和所述保护区之间；位于所述阻挡区内的所述器件层包括阻挡墙结构。
15.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的宽度范围为50μm至70μm；所述凹槽的深度范围为600μm至730μm。
16.一种芯片的形成方法，其特征在于，包括：
17.如权利要求16所述的芯片的形成方法，其特征在于，所述划片道区包括辅助区，所述辅助区内的所述器件层包括测试结构和对准标识中的一者或两者；所述凹槽位于所述辅助区的所述基底内。
18.如权利要求17所述的芯片的形成方法，其特征在于，所述划片道区还包括保护区，所述保护区位于所述辅助区和所述芯片区之间；位于所述保护区内的所述器件层包括保护环结构。
19.如权利要求18所述的芯片的形成方法，其特征在于，所述划片道区还包括阻挡区，所述阻挡区位于所述辅助区和所述保护区之间；位于所述阻挡区内的所述器件层包括阻挡墙结构。
20.如权利要求16所述的芯片的形成方法，其特征在于，所述凹槽的宽度范围为50μm至70μm；所述凹槽的深度范围为600μm至730μm。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的形成方法包括：在所述凹槽和所述第二面表面形成缓冲材料层；平坦化所述缓冲材料层直到暴露出所述第二面表面，形成所述缓冲层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲材料层的形成方法包括注模工艺。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的形成工艺包括等离子体刻蚀工艺。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括环氧树脂。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述划片道区包括辅助区，所述辅助区内的所述器件层包括测试结构和对准标识中的一者或两者；所述凹槽位于所述辅助区的所述基底内。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述划片道区还包括保护区，所述保护区位于所述辅助区和所述芯片区之间；位于所述保护区内的所述器件层包括保护环结构。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述划片道区还包括阻挡区，所述阻挡区位于所述辅助区和所述保护区之间；位于所述阻挡区内的所述器件层包括阻挡墙结构。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的宽度范围为50μm至70μm；所述凹槽的深度范围为600μm至730μm。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括环氧树脂。
【专利技术属性】
技术研发人员：叶华，戴吟洁，费春潮，王亚平，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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