一种TVS二极管结构制造技术

本技术公开了一种TVS二极管结构，涉及二极管技术领域，包括封装外壳，封装外壳的内底部安装有下扁铜环，且下扁铜环的下部延伸至封装外壳外部，下扁铜环的下部表面涂布有第一石墨烯涂层，下扁铜环的顶部安装有引线框架，该TVS二极管结构，在装有芯片的引线框架底部贴合有下扁铜环，其下半部分位于外壳底部，而在芯片的上表面贴合有上扁铜环，其上半部分位于外壳顶部，当二极管内部产生热量时，扁铜环与芯片之间的接触面积越大，热量的传导效率就越高，通过基材的传导作用，能够快速地将内部的热量传递到外面，且涂布的石墨烯涂层可以以红外辐射的形式快速带走基材表面的热量，提高热交换效果，有助于热量的散发。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及二极管，具体为一种tvs二极管结构。

技术介绍

1、tvs二极管是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力，当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，tvs能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。

2、在电路中，tvs二极管通常被用来保护敏感的电子元件，如晶体管、集成电路等，免受过电压的损害，但是，tvs在工作时会发热，这是由于其内部电阻和电容的存在，导致电能被转化为热能，因此需要注意散热问题，为此，我们提出了一种tvs二极管结构，通过增加tvs的散热面来降低其温度，以维持电路的正常工作。

技术实现思路

1、本技术提供了一种tvs二极管结构，以解决
技术介绍
中的问题。

2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种tvs二极管结构，包括封装外壳，所述封装外壳的内底部安装有下扁铜环，且下扁铜环的下部延伸至封装外壳外部，所述下扁铜环的下部表面涂布有第一石墨烯涂层，所述下扁铜环的顶部安装有引线框架，所述引线框架上设有引脚，且引脚位于引线框架的四周，所述引线框架上设有芯片焊盘，且芯片焊盘上安装有二极管芯片，所述封装外壳的内顶部安装有上扁铜环，且上扁铜环的上部延伸至封装外壳外部，所述上扁铜环的上部表面涂布有第二石墨烯涂层，所述上扁铜环的底部与二极管芯片相贴合。

3、进一步的，所述下扁铜环的顶部涂布有第一导热膏层，且第一导热膏层介于引线框架和下扁铜环之间。

4、进一步的，所述上扁铜环的底部涂布有第二导热膏层，且第二导热膏层介于二极管芯片和上扁铜环之间。

5、进一步的，所述封装外壳的底部开设有第一装配口，所述下扁铜环的下部自第一装配口向外延伸。

6、进一步的，所述封装外壳的两侧开设有穿孔，所述引脚自穿孔向外延伸。

7、进一步的，所述封装外壳的顶部开设有第二装配口，所述上扁铜环的上部自第二装配口向外延伸。

8、与现有技术相比，本技术提供了一种tvs二极管结构，具备以下有益效果：

9、该tvs二极管结构，在装有芯片的引线框架底部贴合有下扁铜环，其下半部分位于外壳底部，而在芯片的上表面贴合有上扁铜环，其上半部分位于外壳顶部，当二极管内部产生热量时，扁铜环与芯片之间的接触面积越大，热量的传导效率就越高，通过基材的传导作用，能够快速地将内部的热量传递到外面，且涂布的石墨烯涂层可以以红外辐射的形式快速带走基材表面的热量，提高热交换效果，有助于热量的散发。

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【技术保护点】

1.一种TVS二极管结构，包括封装外壳(1)，其特征在于：所述封装外壳(1)的内底部安装有下扁铜环(2)，且下扁铜环(2)的下部延伸至封装外壳(1)外部，所述下扁铜环(2)的下部表面涂布有第一石墨烯涂层(3)，所述下扁铜环(2)的顶部安装有引线框架(4)，所述引线框架(4)上设有引脚(5)，且引脚(5)位于引线框架(4)的四周，所述引线框架(4)上设有芯片焊盘(6)，且芯片焊盘(6)上安装有二极管芯片(7)，所述封装外壳(1)的内顶部安装有上扁铜环(8)，且上扁铜环(8)的上部延伸至封装外壳(1)外部，所述上扁铜环(8)的上部表面涂布有第二石墨烯涂层(9)，所述上扁铜环(8)的底部与二极管芯片(7)相贴合。

2.根据权利要求1所述的一种TVS二极管结构，其特征在于：所述下扁铜环(2)的顶部涂布有第一导热膏层(10)，且第一导热膏层(10)介于引线框架(4)和下扁铜环(2)之间。

3.根据权利要求1所述的一种TVS二极管结构，其特征在于：所述上扁铜环(8)的底部涂布有第二导热膏层(11)，且第二导热膏层(11)介于二极管芯片(7)和上扁铜环(8)之间。>

4.根据权利要求1所述的一种TVS二极管结构，其特征在于：所述封装外壳(1)的底部开设有第一装配口(12)，所述下扁铜环(2)的下部自第一装配口(12)向外延伸。

5.根据权利要求1所述的一种TVS二极管结构，其特征在于：所述封装外壳(1)的两侧开设有穿孔(13)，所述引脚(5)自穿孔(13)向外延伸。

6.根据权利要求1所述的一种TVS二极管结构，其特征在于：所述封装外壳(1)的顶部开设有第二装配口(14)，所述上扁铜环(8)的上部自第二装配口(14)向外延伸。

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【技术特征摘要】

1.一种tvs二极管结构，包括封装外壳(1)，其特征在于：所述封装外壳(1)的内底部安装有下扁铜环(2)，且下扁铜环(2)的下部延伸至封装外壳(1)外部，所述下扁铜环(2)的下部表面涂布有第一石墨烯涂层(3)，所述下扁铜环(2)的顶部安装有引线框架(4)，所述引线框架(4)上设有引脚(5)，且引脚(5)位于引线框架(4)的四周，所述引线框架(4)上设有芯片焊盘(6)，且芯片焊盘(6)上安装有二极管芯片(7)，所述封装外壳(1)的内顶部安装有上扁铜环(8)，且上扁铜环(8)的上部延伸至封装外壳(1)外部，所述上扁铜环(8)的上部表面涂布有第二石墨烯涂层(9)，所述上扁铜环(8)的底部与二极管芯片(7)相贴合。

2.根据权利要求1所述的一种tvs二极管结构，其特征在于：所述下扁铜环(2)的顶部涂布有第一导热膏层(10)，且第一导热...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦波，谢威廉，张红，邱果平，杨静，
申请(专利权)人：深圳市德博微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：