【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置制造和集成电路，更具体地，涉及包括光检测器的结构以及形成包括光检测器的结构的方法。
技术介绍
1、光子芯片被用在许多应用和系统中，包括但不限于数据通信系统和数据计算系统。光子芯片将光学组件和电子组件集成到一个统一的平台中。除其他因素外，通过将两种类型的组件集成在同一芯片上可以减少布局面积、成本和操作开销。
2、光子芯片可以包括将可以被调制为光信号的光转换成电信号的光检测器。由于光检测器的光吸收材料(例如，锗)和将光提供给光吸收材料的波导芯的材料(例如，硅)，光检测器可能会遭受模式不匹配和显着背反射(back reflection)的影响。模式不匹配和背反射降低了光检测器的耦合效率。具体地，与横向电偏振光(transverse-electricpolarized light)的耦合效率相比，横向磁偏振光(transverse-magnetic polarizedlight)的耦合效率可能较低。
3、需要改进的光检测器的结构以及形成光检测器的结构的方法。
技术实现思路
1、在本专利技术的一个实施例中，一种结构包括光检测器，该光检测器包括具有侧边缘的垫和设置在该垫上的光吸收层。该结构还包括波导芯，该波导芯包括定位成邻近该垫的该侧边缘和该光吸收层的锥形区段。该锥形区段的宽度尺寸随着距离该垫的该侧边缘的距离的减小而减小。
2、在本专利技术的一个实施例中，一种方法包括形成光检测器，该光检测器包括具有侧边缘的垫和设置在该垫上的光吸收层。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一波导芯的该锥形区段具有与该垫的该第一侧边缘间隔开间隙的端部。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该间隙小于或等于两微米。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该锥形区段邻接该垫的该第一侧边缘。
5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该第一波导芯包括第一材料，并且该第二波导芯包括具有与该第一材料不同成分的第二材料。
7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该第一波导芯包括第一材料，并且该第二波导芯包括具有与该第一材料不同成分的第二材料。
9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该光检测器的该垫具有与该第一侧边缘相对的第二侧边缘，该光吸收层设置在该第一侧边缘与该第二侧边缘间的该垫上，且还包括：
10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该光吸收层位于该第一波导芯的该锥形区段和该第二波导芯的
11.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该光吸收层包括第一锥形区段。
12.如权利要求11所述的结构，其特征在于，该光吸收层包括与该第一锥形区段邻接的第二锥形区段。
13.如权利要求12所述的结构，其特征在于，该光吸收层的该第一锥形区段具有第一宽度尺寸，该第一宽度尺寸随着与该光吸收层的该第二锥形区段的距离的减小而减小，并且该光吸收层的该第二锥形区段具有第二宽度尺寸，该第二宽度尺寸随着与该光吸收层的该第一锥形区段的距离的减小而减小。
14.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
15.如权利要求14所述的结构，其特征在于，该第一波导芯段是锥形的并且该第二波导芯段是锥形的。
16.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一波导芯的该锥形区段包括多个段。
17.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一波导芯和该垫包括单晶硅。
18.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一波导芯包括第一材料，并且该垫包括具有与该第一材料不同成分的第二材料。
19.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该光吸收层位于该垫包括本征半导体材料的部分上，并且还包括：
20.一种方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一波导芯的该锥形区段具有与该垫的该第一侧边缘间隔开间隙的端部。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该间隙小于或等于两微米。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该锥形区段邻接该垫的该第一侧边缘。
5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该第一波导芯包括第一材料，并且该第二波导芯包括具有与该第一材料不同成分的第二材料。
7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该第一波导芯包括第一材料，并且该第二波导芯包括具有与该第一材料不同成分的第二材料。
9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该光检测器的该垫具有与该第一侧边缘相对的第二侧边缘，该光吸收层设置在该第一侧边缘与该第二侧边缘间的该垫上，且还包括：
10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该光吸收层位于该第一波导芯的该锥形区段和该第二波导芯的该锥形区段间。
11.如权利要求1所述的结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：卞宇生，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。