【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体功率器件，特别是涉及一种半导体超结功率器件。
技术介绍
1、现有技术的半导体超结功率器件在关断时，当漏源电压vds小于0v时，半导体超结功率器件内寄生的体二极管处于正偏压状态，反向电流从源极经体二极管流至漏极，此时体二极管的电流存在注入少子载流子现象，而这些少子载流子在半导体超结功率器件再一次开启时进行反向恢复，导致较大的反向恢复电流，反向恢复时间长。目前，改善半导体超结功率器件的反向恢复速度的方法有：将半导体超结功率器件并联sic肖特基二极管，此时，为了抑制反向恢复电流从半导体超结功率器件流通，需要提高二极管的正向导通压降vfsd，这增加了半导体超结功率器件在开启过程中的米勒平台电压，在应用时需要高的栅极驱动电压。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种半导体超结功率器件，在提高反向恢复速度的同时并不增加开关过程中的米勒平台电压，从而不需要额外增加栅极驱动电压。
2、本专利技术实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：
3、n型半导体层；
4、位于所述n型半导体层内的多个p型柱；
5、位于所述n型半导体层内且位于所述p型柱顶部的p型体区；
6、位于所述p型体区内的n型源区；
7、位于所述p型体区内的钳位栅，所述钳位栅通过第一栅介质层与所述p型体区隔离；
8、与所述n型源区和所述钳位栅电性连接的源极金属层，所述源极金属层与所述p型体区之间形成p-n结二极管结构；<...
【技术保护点】
1.半导体超结功率器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和栅极。
3.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅极结构是覆盖所述电流沟道和器件内寄生的JFET区的全栅结构。
4.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅极结构是覆盖并超出所述电流沟道且在寄生的JFET区之上断开的分栅结构。
5.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述源极金属层与所述p型体区接触形成肖特基势垒二极管结构；或者，所述p型体区内设有n型掺杂区，所述p型体区与所述n型掺杂区形成p-n结二极管结构，所述源极金属层与所述n型掺杂区电性连接。
6.如权利要求5所述的半导体超结功率器件，其特征在于，在所述电流沟道的长度方向上，所述源极金属层与所述p型体区的接触区域位于所述n型源区与所述钳位栅之间，所述n型掺杂区位于所述n型源区与所述钳位栅之间。
7.如权利要求5所述的半导体超结功率器件，其特征在于，在所述电流沟道的宽度方向上，所述源极
8.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述钳位栅的底部位于所述p型体区内或者向下延伸至所述p型柱内。
...【技术特征摘要】
1.半导体超结功率器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和栅极。
3.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅极结构是覆盖所述电流沟道和器件内寄生的jfet区的全栅结构。
4.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅极结构是覆盖并超出所述电流沟道且在寄生的jfet区之上断开的分栅结构。
5.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述源极金属层与所述p型体区接触形成肖特基势垒二极管结构；或者，所述p型体区内设有n型掺杂区，所述p型体区与所述n型掺杂区形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏飞，袁愿林，刘磊，王睿，
申请(专利权)人：苏州东微半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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