【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体的，涉及一种金属硅化物的制备方法。
技术介绍
1、目前大多数集成电路都是集成多个晶体管，多个晶体管互联协同完成某种功能，当晶体管与其他组件连接时，晶体管的接触电阻会影响整个集成电路的运行效果。随着集成电路集成度的提高，晶体管的尺寸要求也越来越小，而接触电阻对整个集成电路的影响也变的越来越突出，因此需要更小的接触电阻。受关键尺寸的影响，不同金属材料形成的金属硅化物阻值相差较大，对于成熟制程的器件，通过材料选择和退火工艺可以得到阻值较低的欧姆接触；但对于先进制程的器件，现有技术中还未找到不会对器件造成影响的合适的低阻材料及制程。对于先进制程工艺，目前业内一般选择tisi作为金属硅化物，并进行低温退火，得到的是一种高阻相的接触，因此，如何优化工艺制程使金属硅化物的阻值进一步降低，是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供一种金属硅化物的制备方法，首先利用tial合金作为靶材，同时采用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方式，在硅衬底表面沉积形成tial膜层，最后采用快速退火工艺在硅衬底表面生成金属硅化物tialsi。金属硅化物tialsi具有更小的接触电阻，有助于减小器件的功耗；且在退火形成金属硅化物tialsi的过程中，由于ti和al容易结合，并且可在晶界处相互阻挡，因此，通过控制退火温度能够有效改善al/ti的扩散导致的漏电问题。另外，同时采用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方式进行镀膜，能够得到更加致密、均匀的膜层，
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种金属硅化物的制备方法，包括如下步骤：
3、s1：提供硅衬底；
4、s2：利用tial合金靶材，同时采用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方式，在所述硅衬底表面沉积形成tial膜层；
5、s3：采用快速退火工艺，使所述tial膜层与所述硅衬底反应生成tialsi层。
6、可选的，步骤s1还包括以下步骤：
7、在所述硅衬底内形成隔离区；
8、在相邻的所述隔离区之间，在所述硅衬底内形成至少一个晶体管。
9、可选的，在所述硅衬底内形成至少一个晶体管包括：
10、在所述硅衬底表面依次形成栅绝缘介质层和栅极层，在所述栅极层和栅绝缘介质层的两侧形成侧墙，以形成栅极结构；
11、在所述栅极结构两侧的所述硅衬底内分别形成源极和漏极。
12、可选的，所述tial合金靶材中al的质量浓度介于1％至15％。
13、可选的，步骤s2中，在沉积形成tial膜层时，将反应腔室的温度设置为0℃～100℃，压强设置为1mtorr～100mtorr。
14、可选的，在沉积形成tial膜层时，向所述反应腔室中通入溅射气体，所述溅射气体的流量介于10sccm～150sccm。
15、可选的，步骤s2中，溅射时间介于5s至50s。
16、可选的，所述射频磁控溅射的功率介于1000w至4000w。
17、可选的，所述直流磁控溅射的功率介于400w至2500w。
18、可选的，步骤s3中，所述快速退火工艺的退火温度介于400℃至800℃。
19、本专利技术提供的金属硅化物的制备方法，至少具有以下有益效果：
20、本专利技术提供的金属硅化物的制备方法，首先利用tial合金作为靶材，同时采用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方式，在硅衬底表面沉积形成tial膜层，最后采用快速退火工艺在硅衬底表面生成金属硅化物tialsi。金属硅化物tialsi具有更小的接触电阻，有助于减小器件的功耗；且在退火形成金属硅化物tialsi的过程中，由于ti和al容易结合，并且可在晶界处相互阻挡，因此，通过控制退火温度能够有效改善al/ti的扩散导致的漏电问题。另外，同时采用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方式进行镀膜，能够得到更加致密、均匀的膜层，有利于提高器件的性能。
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1.一种金属硅化物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，步骤S1还包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，在所述硅衬底内形成至少一个晶体管包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述TiAl合金靶材中Al的质量浓度介于1％至15％。
5.根据权利要求1-3任一项所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在沉积形成TiAl膜层时，将反应腔室的温度设置为0℃～100℃，压强设置为1mTorr～100mTorr。
6.根据权利要求5所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，在沉积形成TiAl膜层时，向所述反应腔室中通入溅射气体，所述溅射气体的流量介于10sccm～150sccm。
7.根据权利要求6所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，步骤S2中，溅射时间介于5s至50s。
8.根据权利要求1-3任一项所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述射频磁控溅射的功率介
9.根据权利要求1-3任一项所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述直流磁控溅射的功率介于400w至2500w。
10.根据权利要求1-3任一项所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述快速退火工艺的退火温度介于400℃至800℃。
...【技术特征摘要】
1.一种金属硅化物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，步骤s1还包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，在所述硅衬底内形成至少一个晶体管包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述tial合金靶材中al的质量浓度介于1％至15％。
5.根据权利要求1-3任一项所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，步骤s2中，在沉积形成tial膜层时，将反应腔室的温度设置为0℃～100℃，压强设置为1mtorr～100mtorr。
6.根据权利要求5所述的金属硅化物的...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏晓平，肖恩才，孟昭生，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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