【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属箔，尤其是涉及一种可剥离金属箔、覆金属层叠板、线路板及半导体材料。
技术介绍
1、随着pcb行业的蓬勃发展，电解金属箔作为5g通信用高频高速印刷电路板的关键材料，无论在原材料覆铜板或者pcb的制造环节中，电解金属箔发挥的作用愈发重要。超薄金属箔是电解金属箔的重要发展方向，目前电解金属箔的厚度逐渐向12μm、9μm、5μm，甚至更薄的方向发展，但是由于超薄金属箔的机械强度较低，其制备时难以实现从阴极辊上完整剥离，而且在运输过程中容易发生卷曲、褶皱或撕裂等现象，从而影响后续应用。目前提出有带载体的超薄金属箔的制备技术，由于超薄金属箔具备了载体的支撑，因此能够提高其机械强度。
2、带载体的可剥离金属箔广泛用于与基材通过热压加工进行层叠，然后将金属箔层与载体层剥离，作为覆铜层压板使用。然而，在实际使用过程中，金属箔层的厚度较小，金属箔层从载体层剥离后极易产生不均匀的氧化，从而影响后续蚀刻液对线路的蚀刻精度。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种可剥离金属箔、覆金属层叠板、线路板及半导体材料，通过载体层从功能层剥离后，功能层靠近载体层的一侧面上残留有活泼元素，从而能够快速形成氧化膜，对功能层进行保护，有助于减缓功能层剥离后的氧化速度，提高可剥离金属箔的使用可靠性。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术第一方面提供一种可剥离金属箔，所述可剥离金属箔包括载体层、剥离层和功能层；所述剥离层设置于所述载体层的一侧表面，所述功能层设置于所述剥离层上远离所述载体
3、作为优选方案，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的的ni和/或zn的含量大于10mg/m2。
4、作为优选方案，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的ni含量为10～100mg/m2。
5、作为优选方案，所述功能层靠近所述载体层的一侧面中，ni含量为18～35mg/m2的面积占比为80～100％。
6、作为优选方案，所述剥离层在所述功能层靠近所述载体层的一侧面中上形成多个残留区，所述残留区的ni含量为18～35mg/m2，且所述残留区的最小直径为1μm～3μm。
7、作为优选方案，多个所述残留区之间的最小间距为1μm～2.5μm。
8、作为优选方案，每1cm2中所述残留区的个数为1～20个。
9、作为优选方案，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的zn含量为5.5～95mg/m2。
10、作为优选方案，所述剥离层的厚度为2nm～100nm。
11、作为优选方案，所述载体层从所述功能层剥离后，ni含量为15～35mg/m2的残留区的占比为50％～100％、ni含量为35～100mg/m2的残留区的占比为20％～100％、ni含量为10～15mg/m2的残留区的占比为0％～25％，所有所述残留区的占比总和为100％。
12、作为优选方案，所述载体层与所述功能层之间的剥离强度为0.1n/cm～1n/cm。
13、作为优选方案，所述剥离层通过电镀工艺、真空溅射工艺、涂布工艺中的任意一种加工于所述载体层上。
14、作为优选方案，所述可剥离金属箔还包括真空层，所述真空层设置于所述载体层与所述剥离层之间。
15、作为优选方案，所述载体层的断裂伸长率为1％～11％。
16、本专利技术实施例第二方面提供一种覆金属层叠板，所述覆金属层叠板采用如第一方面任一项所述的可剥离金属箔中的所述功能层作为材料之一制作而成。
17、本专利技术实施例第三方面提供一种线路板，所述线路板采用如第一方面任一项所述的可剥离金属箔中的所述功能层作为材料之一制作而成或如第二方面所述的覆金属层叠板作为材料之一制作而成。
18、本专利技术实施例第四方面提供一种半导体材料，所述半导体材料由第一方面任一项所述的可剥离金属箔中的所述功能层作为材料之一制作而成。
19、相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于以下所述中的至少一点：
20、(1)通过载体层从功能层剥离后，功能层靠近载体层的一侧面上残留有活泼元素，从而能够快速形成氧化膜，对功能层进行保护，有助于减缓功能层剥离后的氧化速度。
21、(2)通过限定残留元素中ni和/或zn的含量大于10mg/m2，从而能够利用剥离后残留的ni和/或zn对功能层进行抗氧化保护，进一步提高可剥离金属箔的使用可靠性。
22、(3)通过利用残留的剥离层材质对功能层进行抗氧化保护，能够减少利用药水清洗功能层上氧化物的步骤及药水用量，从而能够提高生产效率，降低生产成本。
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1.一种可剥离金属箔，其特征在于，所述可剥离金属箔包括载体层、剥离层和功能层；所述剥离层设置于所述载体层的一侧表面，所述功能层设置于所述剥离层上远离所述载体层的一侧表面，且所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上残留有活泼元素，所述活泼元素的活泼性强于所述功能层的元素的活泼性。
2.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的Ni和/或Zn的含量大于10mg/m2。
3.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的Ni含量为10～100mg/m2。
4.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述功能层靠近所述载体层的一侧面中，Ni含量为18～35mg/m2的面积占比为80～100％。
5.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述剥离层在所述功能层靠近所述载体层的一侧面中上形成多个残留区，所述残留区的Ni含量为18～35mg/m2，且所述残留区的最小直径为1μm～3μ
6.如权利要求4所述的可剥离金属箔，其特征在于，多个所述残留区之间的最小间距为1μm～2.5μm。
7.如权利要求4所述的可剥离金属箔，其特征在于，每1cm2中所述残留区的个数为1～20个。
8.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的Zn含量为5.5～95mg/m2。
9.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述剥离层的厚度为2nm～100nm。
10.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层从所述功能层剥离后，Ni含量为15～35mg/m2的残留区的占比为50％～100％、Ni含量为35～100mg/m2的残留区的占比为20％～100％、Ni含量为10～15mg/m2的残留区的占比为0％～25％，所有所述残留区的占比总和为100％。
11.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层与所述功能层之间的剥离强度为0.1N/cm～1N/cm。
12.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述剥离层通过电镀工艺、真空溅射工艺、涂布工艺中的任意一种加工于所述载体层上。
13.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述可剥离金属箔还包括真空层，所述真空层设置于所述载体层与所述剥离层之间。
14.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层的断裂伸长率为1％～11％。
15.一种覆金属层叠板，其特征在于，所述覆金属层叠板采用如权利要求1至14任一项所述的可剥离金属箔中的所述功能层作为材料之一制作而成。
16.一种线路板，其特征在于，所述线路板采用如权利要求1至14任一项所述的可剥离金属箔中的所述功能层作为材料之一制作而成或如权利要求15所述的覆金属层叠板作为材料之一制作而成。
17.一种半导体材料，其特征在于，所述半导体材料由权利要求1至14任一项所述的可剥离金属箔中的所述功能层作为材料之一制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种可剥离金属箔，其特征在于，所述可剥离金属箔包括载体层、剥离层和功能层；所述剥离层设置于所述载体层的一侧表面，所述功能层设置于所述剥离层上远离所述载体层的一侧表面，且所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上残留有活泼元素，所述活泼元素的活泼性强于所述功能层的元素的活泼性。
2.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的ni和/或zn的含量大于10mg/m2。
3.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的ni含量为10～100mg/m2。
4.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述功能层靠近所述载体层的一侧面中，ni含量为18～35mg/m2的面积占比为80～100％。
5.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述剥离层在所述功能层靠近所述载体层的一侧面中上形成多个残留区，所述残留区的ni含量为18～35mg/m2，且所述残留区的最小直径为1μm～3μm。
6.如权利要求4所述的可剥离金属箔，其特征在于，多个所述残留区之间的最小间距为1μm～2.5μm。
7.如权利要求4所述的可剥离金属箔，其特征在于，每1cm2中所述残留区的个数为1～20个。
8.如权利要求1所述的可剥离金属箔，其特征在于，所述载体层从所述功能层剥离后，所述功能层靠近所述载体层的一侧面上的zn含量为5.5～95mg/m2。
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏陟，周涵钰，
申请(专利权)人：广州方邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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