【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频器件，尤其是一种多层基板结构、射频模组及电子设备。
技术介绍
1、射频模组即射频前端模组(后端往往为分立器件)，之前由于分立器件也能满足厂商需要，所以出现了泾渭分明的高端设备用模组，低端设备用分立的现象，模组能够提供更高的集成度和高性能，而5g时代由于对单一产品射频元器件数目的需求出现了急剧增长，分立方案所占用的面积超出了接受的极限，调试的时间也会更长，因此模组化成为了移动通信市场的发展趋势。
2、射频前端模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个模组，从而提高集成度和性能，并使体积小型化。根据集成方式的不同，主集天线射频链路可分为：femid(集成射频开关、滤波器和双工器)、pamid(集成多模式多频带pa和femid)、lpamid(lna、集成多模式多频带pa和femid)等；分集天线射频链路可分为：difem(集成射频开关和滤波器)、lfem(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)等。滤波器和其他器件的设计制造水平是进行模组产品开发的基础。
3、lna(lownoiseamplifier)作为射频模组中的重要器件，属于有源模块，对于接收机系统的性能十分关键，用于从天线中获取极其微弱的不确定信号并放大，同时还要识别噪声，其主要参数包括噪声系数、增益、输入输出匹配、线性度、反向隔离度等。实际产品设计之中，由于lna的匹配相对较为复杂，例如对于lna输入端而言，需要达到噪声和增益的折中，考虑到物理限制而很难只顾及最小噪声或者最大增益，
4、不同于pa(power amplifier，功率放大器)等其他器件匹配的设计工作，lna匹配往往需要使用较大的电感，例如常需要使用10-30nh左右的电感，这给目前的产品设计带来了较大的困难。然而，现有技术中，往往是利用smd(surface mounted devices，表面贴装器件)来实现lna匹配中的电感需求，但是，一方面，smd技术成本较高；另一方面，也是更重要的，smd占用空间较大，会降低产品的集成度，给产品设计自由度造成较大的困难。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术问题，本专利技术提供一种多层基板结构、射频模组及电子设备，以使得lna匹配满足电感需求的同时降低制造成本，并且提高产品的集成度。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种多层基板结构，包括：n层基板以及绕线电感，其中，第m层为接地层；所述绕线电感的绕线范围为第1层至第1-m/2层，并且，所述绕线电感的位置靠近第一功能器件的输入端且远离第二功能器件的输出端，使得所述绕线电感所产生的磁场区域在俯视方向上，不超出所述第一功能器件的范围。
3、可选地，所述绕线电感的位置靠近第一功能器件的输入端包括：靠近所述第一功能器件的输入端进行螺旋绕线，以使得从第一功能器件的输入端来看，该绕线电感的射频特性表现为纯电感。
4、可选地，所述第一功能器件为低噪声放大器，所述第二功能器件为滤波器。
5、可选地，所述绕线电感通过在基板上进行螺旋绕线形成互感得到具有感值的电感走线，其电感走线方式包括串联电感走线和并联电感走线；所述多层基板结构之间通过层间通孔设置绕线电感。
6、本专利技术提供还提供一种射频模组，包括：低噪声放大器、滤波器以及多层基板结构，所述多层基板结构包括n层基板以及绕线电感，所述多层基板结构用以实现对低噪声放大器器件的匹配，其中，
7、所述多层基板结构中的第m层为接地层，所述绕线电感的绕线范围为第1层至第1-m/2层，并且，所述绕线电感的位置靠近所述低噪声放大器的输入端且远离滤波器的输出端，使得所述绕线电感所产生的磁场区域在俯视方向上，不超出所述低噪声放大器的范围。
8、可选地，所述绕线电感的位置靠近所述低噪声放大器的输入端包括：靠近所述低噪声放大器的输入端进行螺旋绕线，以使得从低噪声放大器的输入端来看，该绕线电感的射频特性表现为纯电感。
9、可选地，所述绕线电感通过在基板上进行螺旋绕线形成互感得到具有感值的电感走线，其电感走线方式包括串联电感走线和并联电感走线；所述多层基板结构之间通过层间通孔设置绕线电感。
10、可选地，在多层基板的第n层作为连接层，所述连接层上设置有输入端和输出端，所述低噪声放大器连接至所述输入端，所述滤波器连接至所述输出端。
11、可选地，还包括天线开关模块、耦合器以及射频功率放大器，天线开关模块接入多路所述滤波器，所述多路滤波器分为多组支路，其中一组支路通过所述耦合器接入对应的所述滤波器，且该组支路连接所述射频功率放大器，作为功率放大器的发射支路。
12、本专利技术提供还提供一种电子设备，所述电子设备包含上述方案中任一所述的多层基板结构。
13、本专利技术的有益效果体现在，多层基板结构，包括n层基板以及绕线电感，其中，第m层为接地层；绕线电感的绕线范围为第1层至第1-m/2层，并且，绕线电感的位置靠近第一功能器件的输入端且远离第二功能器件的输出端，使得绕线电感所产生的磁场区域在俯视方向上，不超出第一功能器件的范围。由于限定了绕线电感所在的层数范围和位置，绕线电感所在的层数范围保证了实现足够大的电感值的同时，节省片上面积并提高电感的自振频率(即将自振频率移出工作频段范围)；绕线电感所在的位置保证了阻抗匹配不会发生偏移，不因电感绕线造成器件失配从而影响传输性能。
14、本专利技术所提供的射频模组中，包括低噪声放大器、滤波器以及上述中的多层基板结构，绕线电感的位置靠近所述低噪声放大器的输入端且远离滤波器的输出端，使得所述绕线电感所产生的磁场区域在俯视方向上，不超出所述低噪声放大器的范围。从而使得对低噪声放大器的匹配过程中，能够进一步提高产品集成度，实现相同的电感值的同时，能够提高自振频率，更好的保障绕线电感成感性，保障传输性能。使得对低噪声放大器网络匹配中的电感值以及自振频率进一步得到平衡，从而使得该射频模组达到更好的使用效果。
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1.一种多层基板结构，其特征在于，包括：n层基板以及绕线电感，其中，第m层为接地层；
2.根据权利要求1所述的多层基板结构，其特征在于：所述绕线电感的位置靠近第一功能器件的输入端包括：靠近所述第一功能器件的输入端进行螺旋绕线，以使得从第一功能器件的输入端来看，该绕线电感的射频特性表现为纯电感。
3.根据权利要求1或2所述的多层基板结构，其特征在于：所述第一功能器件为低噪声放大器，所述第二功能器件为滤波器。
4.根据权利要求1所述的多层基板结构，其特征在于：所述绕线电感通过在基板上进行螺旋绕线形成互感得到具有感值的电感走线，其电感走线方式包括串联电感走线和并联电感走线；所述多层基板结构之间通过层间通孔设置绕线电感。
5.一种射频模组，其特征在于，包括：低噪声放大器、滤波器以及多层基板结构，所述多层基板结构包括n层基板以及绕线电感，所述多层基板结构用以实现对低噪声放大器器件的匹配，其中，所述多层基板结构中的第m层为接地层，所述绕线电感的绕线范围为第1层至第1-m/2层，并且，所述绕线电感的位置靠近所述低噪声放大器的输入端且远离滤波器的输
6.根据权利要求5所述的射频模组，其特征在于：所述绕线电感的位置靠近所述低噪声放大器的输入端包括：靠近所述低噪声放大器的输入端进行螺旋绕线，以使得从低噪声放大器的输入端来看，该绕线电感的射频特性表现为纯电感。
7.根据权利要求5所述的射频模组，其特征在于：所述绕线电感通过在基板上进行螺旋绕线形成互感得到具有感值的电感走线，其电感走线方式包括串联电感走线和并联电感走线；所述多层基板结构之间通过层间通孔设置绕线电感。
8.根据权利要求5所述的射频模组，其特征在于：在多层基板的第n层作为连接层，所述连接层上设置有输入端和输出端，所述低噪声放大器连接至所述输入端，所述滤波器连接至所述输出端。
9.根据权利要求5所述的射频模组，其特征在于，还包括天线开关模块、耦合器以及射频功率放大器，天线开关模块接入多路所述滤波器，所述多路滤波器分为多组支路，其中一组支路通过所述耦合器接入对应的所述滤波器，且该组支路连接所述射频功率放大器，作为功率放大器的发射支路。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包含如权利要求1-4任一所述的多层基板结构。
...【技术特征摘要】
1.一种多层基板结构，其特征在于，包括：n层基板以及绕线电感，其中，第m层为接地层；
2.根据权利要求1所述的多层基板结构，其特征在于：所述绕线电感的位置靠近第一功能器件的输入端包括：靠近所述第一功能器件的输入端进行螺旋绕线，以使得从第一功能器件的输入端来看，该绕线电感的射频特性表现为纯电感。
3.根据权利要求1或2所述的多层基板结构，其特征在于：所述第一功能器件为低噪声放大器，所述第二功能器件为滤波器。
4.根据权利要求1所述的多层基板结构，其特征在于：所述绕线电感通过在基板上进行螺旋绕线形成互感得到具有感值的电感走线，其电感走线方式包括串联电感走线和并联电感走线；所述多层基板结构之间通过层间通孔设置绕线电感。
5.一种射频模组，其特征在于，包括：低噪声放大器、滤波器以及多层基板结构，所述多层基板结构包括n层基板以及绕线电感，所述多层基板结构用以实现对低噪声放大器器件的匹配，其中，所述多层基板结构中的第m层为接地层，所述绕线电感的绕线范围为第1层至第1-m/2层，并且，所述绕线电感的位置靠近所述低噪声放大器的输入端且远离滤波器的输出端，使得所述绕线电感所产生的磁场区域在俯视方...
【专利技术属性】
技术研发人员：任骏，郑磊，高安明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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