本发明专利技术的无碱玻璃板的特征在于，作为玻璃组成，以mol％计含有：SiO<subgt;2</subgt; 69％～76％、Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt; 12％～15％、B<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt; 0～2％、Li<subgt;2</subgt;O+Na<subgt;2</subgt;O+K<subgt;2</subgt;O0～0.5％、MgO 2％～10％、CaO 2％～12％、SrO大于0且为5％以下、BaO大于0且为5％以下、MgO+CaO+SrO+BaO 12％～18％，并且mol％比即Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;/(MgO+CaO+SrO+BaO)为0.5～1.5、mol％比即SrO/BaO为0.3～1.6。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及无碱玻璃板，尤其涉及适合于有机el显示器的无碱玻璃板。
技术介绍
1、有机el显示器等电子器件由于薄型且动态图像显示优异，并且耗电低，因此被用于柔性器件、移动电话的显示器等用途。
2、作为有机el显示器的基板，广泛使用玻璃板。该用途的玻璃板主要要求以下特性。
3、(1)为了防止碱离子扩散到在热处理工序中成膜后的半导体物质中的情况，而几乎不包含碱金属氧化物，即为无碱玻璃(是玻璃组成中的碱氧化物的含量为0.5mol％以下的玻璃)；
4、(2)为了使玻璃板廉价化，而利用容易提高表面品质的溢流下拉法成形，且生产率优异，特别是熔融性、耐失透性优异；
5、(3)在ltps(low temperature poly silicon：低温多晶硅)工艺、氧化物tft工艺中，为了降低玻璃板的热收缩，而使应变点提高。
6、另外，在各种信息设备中，使用了磁盘、光盘等信息存储介质。
7、作为信息存储介质用的基板，代替以往的铝合金基板，广泛使用玻璃板。近年来，为了应对更高存储密度化的需求，正在研究使用了能量辅助磁存储方式的磁存储介质、即：能量辅助磁存储介质。对于能量辅助磁存储介质，也使用玻璃板，并且在玻璃板的表面上成膜有磁性层等。在能量辅助磁存储介质中，作为磁性层的磁性材料，使用具有大的磁各向异性系数ku(以下，称为“高ku”)的有序合金。
8、现有技术文献
9、专利文献
10、专利文献1：日本特开2012-106919号公报
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p>11、专利文献2：日本特开2021-086643号公报
技术实现思路
1、专利技术欲解决的技术问题
2、然而，有机el器件也广泛地在有机el电视中发展。有机el电视机强烈需要大型化、薄型化，8k等高分辨率显示器的需求也更加强烈。因此，这些用途的玻璃板在大型化、薄型化的同时，需要能够应对高分辨率要求的热尺寸稳定性。进而，在有机el电视中，为了降低与液晶显示器的价格差，而需要低成本，玻璃板也同样需要低成本。但是，若玻璃板大型化、薄型化，则玻璃板容易挠曲，制造成本高涨。
3、由玻璃制造商成形的玻璃板将经历切断、缓冷、检查、清洗等工序，在这些工序中，玻璃板被投入到形成有多层搁板的盒中并搬出。该盒通常能够在形成于左右内侧面的搁板上载置玻璃板的相对的两边并沿水平方向保持，但大型且薄的玻璃板的挠曲量大，因此在向盒中投入玻璃板时，玻璃板的一部分会与盒接触而破损，或者在搬出时，容易大幅摆动而变得不稳定。这样方式的盒也被电子器件制造商使用，因此发生同样的不良情况。为了解决该问题，提高玻璃板的杨氏模量、降低挠曲量是有效的。
4、另外，如上所述，在用于得到高分辨率的显示器的ltps或氧化物tft工艺中，为了降低大型玻璃板的热收缩，需要提高玻璃板的应变点。
5、但是，若想要提高玻璃板的杨氏模量和应变点，则玻璃组成的平衡被破坏，生产率降低，特别是耐失透性显著降低，液相粘度增加，因此无法通过溢流下拉法成形。另外，熔融性降低，或者玻璃的成型温度变高，成型体寿命容易变短。其结果是，玻璃板的原板成本会高涨。
6、另外，为了在高速旋转时不发生大的变形，要求磁存储介质用玻璃板具有高刚性(杨氏模量)。详细而言，在盘状的磁存储介质中，在使介质绕中心轴高速旋转的同时，使磁头沿半径方向移动，并且沿着旋转方向进行信息的写入、读取。近年来，用于提高该写入速度、读取速度的转速从5400rpm向7200rpm、进一步向10000rpm这样高速化的方向发展，但在盘状的磁存储介质中，预先根据距中心轴的距离来分配存储信息的位置。因此，若玻璃板在旋转中发生变形，则磁头的位置发生偏移，难以进行准确的读取。
7、另外，近年来，通过在磁头搭载dfh(dynamic flying height：动态飞行高度)机构，从而实现磁头的存储再现元件部与磁存储介质表面之间间隙的大幅狭小化(降低浮起量)，实现更高存储密度化。dfh机构是指，在磁头的存储再现元件部附近设置极小的加热器等加热部而仅使元件部周边朝向介质表面方向热膨胀的机构。通过具备这样的机构，从而磁头与介质的磁性层之间的距离接近，因此能够拾取更小磁性粒子的信号，能够实现高存储密度化。另一方面，磁头的存储再现元件部与磁存储介质的表面之间的间隙极小，例如为2nm以下，因此即使是微小的冲击，也有可能造成磁头与磁存储介质的表面碰撞。该倾向在旋转速度越高时越显著。因此，在高速旋转时，防止产生成为该碰撞原因的玻璃板的挠曲、抖动(振抖)变得重要。
8、另外，为了提高磁性层的有序化程度(有序度)而实现高ku化，有时在磁性层的成膜时或成膜前后，以800℃左右的高温对包含玻璃板的基材进行热处理。存储密度越高，该热处理温度是越需要高温，因此要求比以往的磁存储介质用玻璃板更高的耐热性、即应变点高。另外，在成膜磁性层之后，有时也对包含玻璃板的基材执行激光照射。这样的热处理、激光照射还具有提高包含fept系合金等的磁性层的退火温度、矫顽力这样的目的。
9、但是，如上所述，想要提高玻璃板的杨氏模量和应变点时，玻璃组成的平衡被破坏，生产率降低，特别是耐失透性显著降低，液相粘度增加，因此无法通过溢流下拉法成形。另外，熔融性降低，或者玻璃的成型温度变高，成型体的寿命容易变短。其结果是，玻璃板的原板成本高涨。
10、因此，本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其技术课题在于提供生产率优异并且应变点和杨氏模量充分高的无碱玻璃板。
11、用于解决问题的技术手段
12、本专利技术人反复进行了各种实验，结果发现，通过严格地限制无碱玻璃板的玻璃组成，能够解决上述技术课题，并作为本专利技术提出。即，(1)本专利技术的无碱玻璃板的特征在于，作为玻璃组成，以mol％计含有：sio2 69％～76％、al2o3 12％～15％、b2o3 0～2％、li2o+na2o+k2o0～0.5％、mgo 2％～10％、cao 2％～12％、sro大于0且为5％以下、bao大于0且为5％以下、mgo+cao+sro+bao 12％～18％，并且mol％比即al2o3/(mgo+cao+sro+bao)为0.5～1.5，mol％比即sro/bao为0.3～1.6。在此，“li2o+na2o+k2o”是指li2o、na2o及k2o的总量。“mgo+cao+sro+bao”是指mgo、cao、sro和bao的总量。“al2o3/(mgo+cao+sro+bao)”是指将al2o3的mol％含量除以mgo、cao、sro及bao的总量而得的值。“sro/bao”是指将sro的mol％含量除以bao的mol％含量而得到的值。
13、另外，(2)在上述(1)的无碱玻璃板中，优选地，作为玻璃组成，以mol％计含有：sio2 70％～75％、al2o3 13％～14％、b2o3 0～1％、li2o+na2o+k2o 0～0.1％、mgo 2％～9％、cao 2％～11％、本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种无碱玻璃板，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的无碱玻璃板，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的无碱玻璃板，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的无碱玻璃板，其特征在于，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，BaO的含量为1.5mol％～2.5mol％。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
7.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
8.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
9.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
10.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
11.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
12.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
13.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
14.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种无碱玻璃板，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的无碱玻璃板，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的无碱玻璃板，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的无碱玻璃板，其特征在于，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，bao的含量为1.5mol％～2.5mol％。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
7.根据权利要求1至4中任一项所述的无碱玻璃板，其特征在于，
8.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：西宫未侑，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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