半导体管芯封装制造技术

本技术提供一种半导体管芯封装，半导体管芯封装中所包括的半导体管芯可包括位于半导体管芯的装置区中的多个去耦合沟渠电容器区。去耦合沟渠电容器区中的至少二者或更多者包括具有不同深度的去耦合沟渠电容器结构。可将去耦合沟渠电容器区中的去耦合沟渠电容器结构的深度选择成在降低半导体管芯封装的翘曲、断裂及/或破裂的可能性的同时提供足够的电容来满足半导体管芯封装的电路的电路去耦合参数。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种集成电路，且尤其是涉及一种半导体管芯封装。

技术介绍

1、可使用各种半导体装置封装技术来将一个或多个半导体管芯并入至半导体装置封装中。在一些情形中，可在半导体装置封装中堆叠半导体管芯，以达成半导体装置封装的较小水平占用面积或侧向占用面积及/或提高半导体装置封装的密度。可被实行以将多个半导体管芯整合于半导体装置封装中的半导体装置封装技术可包括集成扇出(integratedfanout，info)、叠层封装(package on package，pop)、晶圆上芯片(chip on wafer，cow)、晶圆上晶圆(wafer on wafer，wow)及/或衬底上晶圆上芯片(chip on wafer onsubstrate，cowos)以及其他实例。

技术实现思路

1、依据本技术实施例，一种半导体管芯封装，包括：第一半导体管芯以及第二半导体管芯。所述第一半导体管芯，包括：第一装置区与第一内连区。所述第一装置区，包括第一去耦合沟渠电容器区及第二去耦合沟渠电容器区，所述第一去耦合沟渠电容器区包括第一去耦合沟渠电容器结构，所述第二去耦合沟渠电容器区包括第二去耦合沟渠电容器结构。所述第一去耦合沟渠电容器区中的所述第一去耦合沟渠电容器结构的第一高度与所述第二去耦合沟渠电容器区中的所述第二去耦合沟渠电容器结构的第二高度是不同的高度。所述第一内连区，在所述第一内连区的第一侧处在垂直方向上与所述第一装置区相邻且包括与所述第一去耦合沟渠电容器结构及所述第二去耦合沟渠电容器结构电性连接的多个金属化层。所述第二半导体管芯，在所述第一内连区的与所述第一侧相对的第二侧处与所述第一半导体管芯接合，所述第二半导体管芯包括：第二装置区与第二内连区。所述第二装置区，包括一个或多个半导体装置。所述第二内连区，在垂直方向上与所述第二装置区相邻。

2、依据本技术实施例，一种半导体管芯封装，包括：第一半导体管芯、第二半导体管芯以及所述密封环结构。所述第一半导体管芯，包括：第一装置区与第一内连区。所述第一装置区，包括第一去耦合沟渠电容器区及第二去耦合沟渠电容器区，所述第一去耦合沟渠电容器区包括第一去耦合沟渠电容器结构，所述第二去耦合沟渠电容器区包括第二去耦合沟渠电容器结构。所述第一内连区，在所述第一内连区的第一侧处在垂直方向上与所述第一装置区相邻。所述第二半导体管芯，在所述第一内连区的与所述第一侧相对的第二侧处与所述第一半导体管芯接合。所述第二半导体管芯包括：第二装置区与第二内连区。所述第二装置区，包括：一个或多个半导体装置以及静电放电(esd)保护电路。所述第二内连区，在垂直方向上与所述第二装置区相邻。所述密封环结构，延伸穿过所述第一内连区及所述第二内连区。所述密封环结构将所述静电放电保护电路与所述第一去耦合沟渠电容器结构及所述第二去耦合沟渠电容器结构电性连接。

3、为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

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【技术保护点】

1.一种半导体管芯封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第一高度及所述第二高度是相对于所述第一装置区的半导体衬底的底表面而言；

3.根据权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第一装置区的第三去耦合沟渠电容器区中的第三去耦合沟渠电容器结构的第三高度与所述第一高度及所述第二高度不同，所述第一高度及所述第三高度包括于较所述第二高度小近似15％至较所述第二高度大近似15％的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第二去耦合沟渠电容器区中的所述第二去耦合沟渠电容器结构被定位成相对于所述第一去耦合沟渠电容器区中的所述第一去耦合沟渠电容器结构更靠近所述半导体管芯封装的外边缘；且

5.根据权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第一去耦合沟渠电容器区中的所述第一去耦合沟渠电容器结构的第一宽度与所述第二去耦合沟渠电容器区中的所述第二去耦合沟渠电容器结构的第二宽度是不同的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第二高度大于所述第一高度；且

7.一种半导体管芯封装，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述密封环结构包括：

9.根据权利要求7所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述一个或多个半导体装置与所述静电放电保护电路通过位于所述第二内连区中的一个或多个金属化层而电性连接。

10.根据权利要求7所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第一去耦合沟渠电容器区中的所述第一去耦合沟渠电容器结构的第一高度与所述第二去耦合沟渠电容器区中的所述第二去耦合沟渠电容器结构的第二高度是不同的高度。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体管芯封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第一高度及所述第二高度是相对于所述第一装置区的半导体衬底的底表面而言；

3.根据权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第一装置区的第三去耦合沟渠电容器区中的第三去耦合沟渠电容器结构的第三高度与所述第一高度及所述第二高度不同，所述第一高度及所述第三高度包括于较所述第二高度小近似15％至较所述第二高度大近似15％的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第二去耦合沟渠电容器区中的所述第二去耦合沟渠电容器结构被定位成相对于所述第一去耦合沟渠电容器区中的所述第一去耦合沟渠电容器结构更靠近所述半导体管芯封装的外边缘；且

5.根据权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述第一去耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏淑慧，徐英杰，郑新立，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：