半导体元件封装制造技术

技术编号:41804340 阅读:18 留言:0更新日期:2024-06-24 20:25
本技术实施例提供一种系统晶片(SoC)晶粒封装,所述系统晶片晶粒封装附接至半导体元件封装的重布线结构,使得SoC晶粒封装的顶部表面位于邻近记忆体晶粒封装的顶部表面上方。此可经由使用增加SoC晶粒封装的高度的各种附接结构来实现。在将记忆体晶粒封装及SoC晶粒封装密封于密封层中之后,向下研磨密封层。SoC晶粒封装的顶部表面位于邻近记忆体晶粒封装的顶部表面上方使得SoC晶粒封装的顶部表面在研磨操作之后经由密封层暴露。此使得热能够经由SoC晶粒封装的顶部表面耗散。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及一种半导体元件封装


技术介绍

1、可使用各种半导体元件装填技术来将一或多个半导体晶粒并入至半导体元件封装中。在一些情况下,半导体晶粒可堆迭于半导体元件封装中以达成半导体元件封装的较小水平或侧向占据面积及/或增加半导体元件封装的密度。可经执行以将多个半导体晶粒整合于半导体元件封装中的半导体元件装填技术可包含积体扇出(integrated fanout;info)、迭层封装(package on package;pop)、晶圆上晶片(chip on wafer;cow)、晶圆上晶圆(wafer on wafer;wow)及/或基底上晶圆上晶片(chip on wafer on substrate;cowos)以及其他实例。


技术实现思路

1、本技术实施例的一态样提供一种半导体元件封装。所述半导体元件封装包括:重布线结构、多个连接端子、第一半导体晶粒封装、多个导电延伸结构以及第二半导体晶粒封装。重布线结构包括:一或多个介电层以及多个金属化层,多个金属化层包含于一或多个介电层中。多个连接端子附接至所述重布线结构的第一侧。第一半导体晶粒封装附接至与重布线结构的第一侧相对的重布线结构的第二侧。多个导电延伸结构附接至重布线结构的第二侧。第二半导体晶粒封装附接至多个导电延伸结构。第一半导体晶粒封装及第二半导体晶粒封装并排地位于半导体元件封装中。第二半导体晶粒封装的顶部表面相对于重布线结构的顶部表面的高度大致等于或相对大于半导体元件封装中的第一半导体晶粒封装的顶部表面相对于重布线结构的顶部表面的高度。

2、本技术实施例的另一态样提供一种半导体元件封装。所述半导体元件封装包括:重布线结构、多个连接端子、第一半导体晶粒封装以及第二半导体晶粒封装。重布线结构包括:一或多个介电层以及多个金属化层,多个金属化层包含于一或多个介电层中。多个连接端子附接至重布线结构的第一侧。第一半导体晶粒封装附接至与重布线结构的第一侧相对的重布线结构的第二侧。第二半导体晶粒封装与第一半导体晶粒封装并排且附接至重布线结构的第二侧。第二半导体晶粒封装包括:半导体晶粒、多个导电结构、第一聚合物层以及第二聚合物层。多个导电结构位于半导体晶粒下方且与重布线结构耦接。第一聚合物层位于半导体晶粒下方。第二聚合物层位于第一聚合物层下方。多个导电结构延伸穿过第一聚合物层及第二聚合物层。

3、本技术实施例的又一态样提供一种半导体元件封装。所述半导体元件封装包括:重布线结构、多个连接端子、第一半导体晶粒封装、转接器结构以及第二半导体晶粒封装。重布线结构包括:一或多个介电层以及多个金属化层,多个金属化层包含于一或多个介电层中。多个连接端子附接至重布线结构的第一侧。第一半导体晶粒封装附接至与重布线结构的第一侧相对的重布线结构的第二侧。转接器结构附接至重布线结构的第二侧。第二半导体晶粒封装附接至转接器结构。第一半导体晶粒封装及第二半导体晶粒封装并排地位于半导体元件封装中。第二半导体晶粒封装的顶部表面与半导体元件封装中的第一半导体晶粒封装的顶部表面大致共面或位于第一半导体晶粒封装的顶部表面上方。

4、为让本技术实施例的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件封装,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体元件封装,其中所述第二半导体晶粒封装的底部表面相对于所述重布线结构的顶部表面的高度大致等于或相对大于所述半导体元件封装中的所述第一半导体晶粒封装的底部表面相对于所述重布线结构的顶部表面的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体元件封装,更包括:

4.根据权利要求3所述的半导体元件封装,其中所述第二半导体晶粒封装的顶部表面经由所述密封层的顶部表面暴露。

5.一种半导体元件封装,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的半导体元件封装,更包括:

7.根据权利要求6所述的半导体元件封装,其中所述第二半导体晶粒封装的所述半导体晶粒的顶部表面经由所述晶粒贴合膜且经由所述结构增强层暴露。

8.一种半导体元件封装,其特征在于,包括:

9.根据权利要求8所述的半导体元件封装,其中所述转接器结构包括:

10.根据权利要求9所述的半导体元件封装,其中所述转接器结构更包括以下中的至少一者:

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件封装,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体元件封装,其中所述第二半导体晶粒封装的底部表面相对于所述重布线结构的顶部表面的高度大致等于或相对大于所述半导体元件封装中的所述第一半导体晶粒封装的底部表面相对于所述重布线结构的顶部表面的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体元件封装,更包括:

4.根据权利要求3所述的半导体元件封装,其中所述第二半导体晶粒封装的顶部表面经由所述密封层的顶部表面暴露。

5.一...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴志伟邱文智施应庆袁嘉男苏安治
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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