【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种高亮度倒装车规led芯片及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管（led）是一种将电能转化为光能的固体发光器件，随着技术的更新迭代，越来越多的被应用于各个领域。其中，在车用照明领域的应用尤其广泛，车用照明对led芯片的光电性能要求非常高，特别是亮度。为了提高led芯片的光电性能，满足车用照明对亮度的需求，现有的车规led芯片多采用垂直结构，这种结构的芯片在芯片加工过程中需进行蓝宝石衬底上的芯片层与硅基板做键合，后进行剥离蓝宝石衬底和外延表面粗化等工序，点亮时，p面从硅基板驱动，n面打线连接，产品工艺复杂，制作成本高。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种高亮度倒装车规芯片及其制备方法，旨在改善相关技术中存在缺陷。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种高亮度倒装车规led芯片的制备方法，包括如下步骤：
3、在衬底上依次生长出缓冲层、n型半导体层、多量子阱层、p型半导体层；
4、在所述p型半导体层的表面蒸镀电流扩展层，并进行mesa台阶面的刻蚀；
5、控制刻蚀倾斜角度，刻蚀至所述n型半导体层表面停止，以增加所述多量子阱层的面积；
6、在所述电流扩展层表面制作电流阻挡层；
7、在所述电流阻挡层上制作银镜膜层和银镜保护层；
8、制作pn金属焊盘，并对晶圆进行划裂和固晶；
9、芯片裂片固晶后通过镀dbr膜层包覆芯片侧壁。
10、可选地，控
11、在所述电流扩展层涂布光刻胶，并进行烘烤；
12、对晶圆正面光刻胶涂布的区域进行曝光和显影后制备得到mesa光刻图形；
13、对中间区域的所述电流扩展层使用ito蚀刻液进行腐蚀；
14、进行mesa台阶面的刻蚀，并控制倾斜角度和深度，刻蚀后去除光刻胶。
15、可选地，在所述电流阻挡层上制作银镜膜层的步骤包括：
16、使用负性光刻胶进行光刻；
17、使用金属溅射方式在所述电流阻挡层上进行银镜镀膜以制备所述银镜膜层；
18、银镜干法剥离，并进行光刻胶掩膜去除。
19、可选地，在所述电流阻挡层上制作银镜保护层的步骤包括：
20、用负性光刻胶进行光刻；
21、使用电子束蒸发方式在所述银镜膜层上进行银镜保护层镀膜以制备所述银镜保护层；
22、银镜干法剥离，并进行光刻胶掩膜去除。
23、可选地，高亮度倒装车规led芯片的制备方法还包括制作第一保护层，包括如下步骤：
24、在所述银镜保护层上沉积一层氧化硅膜，并对晶圆使用正性光刻胶进行光刻；
25、对氧化硅进行腐蚀，并去除光刻胶掩膜。
26、可选地，高亮度倒装车规led芯片的制备方法还包括制作pn分隔金属层，包括如下步骤：
27、使用负性光刻胶对第一保护层制作完成后的晶圆正面进行光刻；
28、使用电子束蒸发方式进行pn分隔金属层镀膜；
29、pn分隔金属层干法剥离，并进行光刻胶掩膜去除。
30、可选地，高亮度倒装车规led芯片的制备方法还包括制作第二保护层，包括如下步骤：
31、在pn分隔金属层上沉积一层氧化硅膜，并对晶圆使用正性光刻胶进行光刻；
32、对氧化硅进行腐蚀，并去除光刻胶掩膜。
33、可选地，芯片裂片固晶后通过镀dbr膜层包覆芯片侧壁的步骤包括：
34、将固晶后支架的背面黏附耐高温薄膜，然后放置在镀膜载具上沉积氧化铝和氧化钛薄膜；
35、将支架放置在托盘上进行干法刻蚀表面dbr膜层，使dbr膜层仅剩首层的氧化铝，然后刻蚀后清洗。
36、此外，为实现上述目的，本专利技术还提出一种高亮度倒装车规led芯片，包括衬底、缓冲层、n型半导体层、多量子阱层、p型半导体层，n型半导体层的侧壁与所述衬底平齐，并通过控制mesa台阶面的刻蚀角度使得所述多量子阱层面积与所述衬底面积之比高于0.9。
37、可选地，在芯片的侧面设有dbr膜层。
38、在本专利技术提供的技术方案中，通过在芯片段刻蚀时不刻蚀n型半导体层，增加n型半导体层的面积，进而在刻蚀mesa台阶面时，通过控制刻蚀倾斜角度，保留更大面积的多量子阱层，以增加芯片的有效出光面积，提升芯片的亮度。此外，还在芯片的侧壁上镀上dbr膜层，以保护芯片侧面n型外延层，同时提升芯片正面出光占比。相比于现有的制作工艺，工艺简单，制作成本更低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高亮度倒装车规LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的高亮度倒装车规LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述电流阻挡层上制作银镜膜层的步骤包括：
3.如权利要求1所述的高亮度倒装车规LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述电流阻挡层上制作银镜保护层的步骤包括：
4.如权利要求1所述的高亮度倒装车规LED芯片的制备方法，其特征在于，高亮度倒装车规LED芯片的制备方法还包括制作第一保护层，包括如下步骤：
5.如权利要求4所述的高亮度倒装车规LED芯片的制备方法，其特征在于，高亮度倒装车规LED芯片的制备方法还包括制作PN分隔金属层，包括如下步骤：
6.如权利要求5所述的高亮度倒装车规LED芯片的制备方法，其特征在于，高亮度倒装车规LED芯片的制备方法还包括制作第二保护层，包括如下步骤：
7.如权利要求1所述的高亮度倒装车规LED芯片的制备方法，其特征在于，芯片裂片固晶后通过镀DBR膜层包覆芯片侧壁的步骤包括：
8.一种高亮度倒装车规芯片，通过权利要求1-7任一项
9.如权利要求8所述的高亮度倒装车规芯片，其特征在于，在芯片的侧面设有DBR膜层。
...【技术特征摘要】
1.一种高亮度倒装车规led芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的高亮度倒装车规led芯片的制备方法，其特征在于，在所述电流阻挡层上制作银镜膜层的步骤包括：
3.如权利要求1所述的高亮度倒装车规led芯片的制备方法，其特征在于，在所述电流阻挡层上制作银镜保护层的步骤包括：
4.如权利要求1所述的高亮度倒装车规led芯片的制备方法，其特征在于，高亮度倒装车规led芯片的制备方法还包括制作第一保护层，包括如下步骤：
5.如权利要求4所述的高亮度倒装车规led芯片的制备方法，其特征在于，高亮度倒装车规led芯片的制备方法还包括制作pn分隔金属层，包括如下步骤：
6.如权利要求5所述的高亮...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐佳鹏，徐晓丽，刘芳，孙雷蒙，
申请(专利权)人：华引芯武汉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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