提高同步数字体系虚级联延时补偿缓存效率的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:4179732 阅读:205 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种提高同步数字体系虚级联延时补偿缓存效率的方法及装置,属于通信技术领域,该方法包括:将至少四个虚容器VC分别映射在同步动态随机存储器SDRAM的四个存储库Bank中;将同步动态随机存储器SDRAM写请求分别写入VC的写请求先进先出FIFO寄存器中;将同步动态随机存储器SDRAM读请求分别写入VC的读请求先进先出FIFO寄存器中;轮询VC的写请求FIFO寄存器和轮询VC的读请求FIFO寄存器,减少SDRAM操作的无用开销,从而提高了SDH虚级联延时补偿缓存的效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高同步数字体系虚级联延时补偿缓存效率的方法,其特征在于,所述方法包括: 将至少四个虚容器VC分别映射在同步动态随机存储器SDRAM的四个存储库Bank中; 将同步动态随机存储器SDRAM写请求分别写入VC的写请求先进先出F IFO寄存器中;将同步动态随机存储器SDRAM读请求分别写入VC的读请求先进先出FIFO寄存器中; 轮询所述VC的写请求FIFO寄存器和轮询所述VC的读请求FIFO寄存器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:冯景斌
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司
类型:发明
国别省市:94[]

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