【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理方法以及基板处理装置。
技术介绍
1、为了制造半导体元件，对基板执行光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜蒸镀以及清洗等各种工艺而在基板上形成期望的图案。其中，蚀刻工艺作为去除在基板上形成的膜中的选择的加热区域的工艺，使用湿式蚀刻和干式蚀刻。
2、其中，为了干式蚀刻，使用利用等离子体的蚀刻装置。通常，为了形成等离子体，在腔室的内部空间形成电磁场，电磁场将提供于腔室内的工艺气体激发成等离子体状态。
3、等离子体是指由离子或电子、自由基等形成的离子化的气体状态。等离子体可以通过非常高的温度、强电场或者射频电子场(rf electromagnetic fields)生成。半导体元件制造工艺可以使用等离子体而执行蚀刻工艺。
4、在一部分等离子体工艺中，为了热处理基板，使用在基板上方配置有热源的急速热处理装置(rtp装置、rapid thermal process装置)。上热源可以比下热源快速加热基板。通常，利用上热源的热处理装置通过空冷(air cooling)方式冷却基板而保持基板的温度。空冷方式具有能够以简单的构造冷却基板的优点，但是冷却速度慢且冷却效率低，对应于急剧的基板温度上升而恒定保持基板的温度存在难度。例如，当重复基板的加热和冷却的ald(atomic layer deposition，原子层蒸镀)工艺或ale(atomic layer etching，原子层蚀刻)工艺时，空冷方式的冷却相比于基板的加热速度而冷却速度过于慢，越重复工艺而基板和处理空间的温度可能越上升。由此，
5、另一方面，为了冷却基板而使用的又另一方式即水冷方式是冷却效率比空冷方式高，但是只有在基板w安放于支承部件(例如：冷却板)的状态下能够冷却基板。另外，由于是用于冷却基板的冷却部件以冷却流路的形式提供于支承部件内部而冷却热间接传递到基板的结构，在一部分环境(例如：真空环境)下热传递效率也下降。另外，根据向冷却部件提供的冷却用流体的使用温度范围而冷却温度可能受限，不能急速冷却基板。
技术实现思路
1、本专利技术为了解决上述的问题，旨在提供能够急速冷却基板而在整个处理工艺期间将基板的温度保持在恒定温度范围的基板处理方法以及基板处理装置。
2、另外，本专利技术旨在提供能够调节基板的冷却效率的基板处理方法以及基板处理装置。
3、本专利技术所要解决的课题不限于上述的课题，在本专利技术所属
中具有普通知识的人员可以从本说明书以及所述附图明确地理解未提及的课题。
4、根据本专利技术的一实施例，可以提供一种基板处理方法，包括：加热步骤，加热基板表面；以及冷却步骤，向所述基板的下面供应冷却气体来冷却所述基板。
5、在一实施例中，可以是，所述加热步骤以及所述冷却步骤在所述基板从安放所述基板的支承部件的上面上升的状态下执行。
6、在一实施例中，可以是，所述冷却步骤包括控制冷却条件的过程，所述冷却条件包括所述冷却气体的喷射量以及所述冷却气体的温度。
7、在一实施例中，可以是，所述冷却条件还包括所述基板和所述支承部件上面之间的隔开距离。
8、在一实施例中，可以是，所述冷却步骤与所述加热步骤同时执行，或在所述加热步骤之后立即执行。
9、在一实施例中，可以是，所述加热步骤通过包括微波发生器、激光发生器以及红外线灯中的任一种的上热源执行。
10、在一实施例中，可以是，所述加热步骤包括控制加热条件的过程，所述加热条件包括所述基板和加热单元间的隔开距离。
11、根据本专利技术的一实施例，可以提供一种基板处理装置，包括：腔室，在内部具有处理空间；支承部件，配置于所述处理空间的内部空间而安放处理对象基板，并设置有多个气体喷出孔；升降销，使所述基板从所述支承部件升降；冷却单元，通过所述气体喷出孔喷出冷却气体来冷却所述基板；加热单元，向所述处理空间供应热能而加热所述基板；以及控制器，控制所述升降销、所述冷却单元以及所述加热单元。
12、在一实施例中，可以是，所述控制器控制所述升降销以在所述基板与所述支承部件上面隔开的状态下通过所述加热单元以及所述冷却单元执行基板处理工艺。
13、在一实施例中，可以是，所述控制器控制所述冷却单元来控制对所述基板的冷却气体喷出量以及冷却气体的温度。
14、在一实施例中，可以是，当所述冷却单元冷却所述基板时，所述控制器通过控制所述升降销的升降高度来调节所述基板和所述支承部件上面间的隔开距离。
15、在一实施例中，可以是，当所述加热单元加热所述基板时，所述控制器通过控制所述升降销的升降高度来调节所述基板和所述加热单元间的隔开距离。
16、在一实施例中，可以是，所述加热单元包括微波发生器、激光发生器以及红外线灯中的任一种。
17、根据本专利技术的一实施例，可以提供一种基板处理方法，将基板表面以原子层单位蚀刻。可以是，所述基板处理方法包括：表面处理步骤，利用等离子体来改性所述基板的表面；以及热处理步骤，用于使得在所述表面处理步骤中表面处理的基板的表面发生脱落反应，所述表面处理步骤以及所述热处理步骤构成一个循环并重复1次以上。可以是，所述热处理步骤包括：加热步骤，加热基板表面；以及冷却步骤，向所述基板的下面供应冷却气体来冷却所述基板。
18、在一实施例中，可以是，所述加热步骤以及所述冷却步骤以使所述基板从安放所述基板的支承部件的上面上升的状态执行。
19、在一实施例中，可以是，所述冷却步骤包括控制冷却条件的过程，所述冷却条件包括所述冷却气体的喷射量、所述冷却气体的温度、所述基板和所述支承部件上面间的隔开距离。
20、在一实施例中，可以是，所述冷却步骤冷却所述基板而将所述基板的温度保持在设定温度范围，并在执行所述加热步骤之后执行或与所述加热步骤同时执行。
21、在一实施例中，可以是，所述加热步骤通过包括微波发生器、激光发生器以及红外线灯中的任一种的上热源执行，并包括调节所述基板和所述上热源间的距离的步骤。
22、在一实施例中，可以是，所述表面处理步骤包括：氧化步骤，向存在所述基板的处理空间供应包括氧气的工艺气体，并将所述工艺气体等离子体化来氧化所述基板表面；以及改性步骤，向所述处理空间供应前体来取代通过所述氧化步骤氧化的表面的配体。
23、在一实施例中，可以是，所述表面处理步骤还包括：吹扫步骤，吹扫所述处理空间，所述吹扫步骤在所述氧化步骤和所述改性步骤之间以及所述改性步骤之后执行。
24、根据本专利技术的实施例，利用直接冷却方式而提高冷却速度以及冷却效率，可以防止重复工艺引起的基板整体以及处理空间的温度上升现象。由此，能够将基板整体以及处理空间的温度保持在恒定范围，因此可以本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
8.一种基板处理装置，包括：
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
14.一种基板处理方法，将基板表面以原子层单位蚀刻，其中，
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，
1
19.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，
20.根据权利要求19所述的基板处理方法，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
8.一种基板处理装置，包括：
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
11.根据权利要求10所述的基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永照，李相政，全珉星，李太焕，洪旻憙，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。