【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测试结构及其形成方法及测试方法。
技术介绍
1、集成电路bcd(双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体，bipolar-cmos-dmos)产品是把双极型晶体管(bipolar)、互补型金属氧化物半导体场效应晶体(cmos)和双扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管(dmos)三种器件集成在一起的半导体芯片。
2、bcd产品在设计时，由于dmos通常需要承受十几伏特到几十伏特以上的高压，因此，半导体器件在工作时，金属层(metal)相应的需要承受高电压，金属层周围会形成较高的电场，在金属层的高电场下，金属层的布线下方的相邻器件的基底是否会受到金属层电场的影响而产生漏电，进而导致bcd产品性能异常，从而检测金属层中通过较大电流时相邻器件的基底是否会有影响十分重要。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种测试结构及其形成方法及测试方法，提高测试结构的测试精准度。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种测试结构，包括：基底，包括隔离层，基底露出隔离层顶面，隔离层一侧的基底中形成有与隔离层相邻的漏区，隔离层另一侧的基底中形成有与隔离层相邻的源区，漏区用于作为第一测试信号加载端，源区用于作为第二测试信号加载端；层间介质层，覆盖基底和隔离层；金属层，位于隔离层上方的层间介质层上，金属层在基底表面的投影覆盖隔离层，金属层用于作为第三测试信号加载端。
3、相应的，本专利技术实施例还提供一
4、本专利技术实施例还提供一种测试方法，包括：提供本专利技术实施例的测试结构；对第一测试信号加载端和第二测试信号加载端加载相对应的测试信号，用于使漏区和源区之间隔离层下方的基底构成测试通路；进行一次或多次电路测试，电路测试包括：对第三测试信号加载端加载相对应的测试信号，用于为漏区和源区之间的基底构成的测试通路加载测试信号；检测漏区和源区之间的基底构成的测试通路的电信号；当电信号小于预设电信号阈值时，增大第三测试信号加载端相对应的测试信号，并返回执行对第三测试信号加载端加载相对应的测试信号，直至当次电路测试中，第三测试信号加载端相对应的测试信号达到预设测试信号阈值，完成电路测试；当电信号大于或等于预设电信号阈值时，电路测试未通过，结束电路测试。
5、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
6、本专利技术实施例提供的测试结构中，漏区用于作为第一测试信号加载端，源区用于作为第二测试信号加载端，层间介质层覆盖基底和隔离层，金属层位于隔离层上方的层间介质层上，金属层在基底表面的投影覆盖隔离层，金属层用于作为第三测试信号加载端；本专利技术实施例中，金属层用于作为第三测试信号加载端，则能够通过在金属层上施加电信号(例如，较高的电压)，来模拟隔离层的实际工作环境，通过对测试结构的检测，检测隔离层在实际工作环境下(例如，高压工作环境)的隔绝性能，从而能够采用较为简单易实施的测试结构，实现对实际工作环境下隔离层的检测，有利于实现对隔离层的检测。
7、本专利技术实施例提供的测试方法中，金属层用于作为第三测试信号加载端，则能够通过在金属层上施加电信号(例如，较高的电压)，来模拟隔离层的实际工作环境，通过对测试结构的检测，检测隔离层在实际工作环境下(例如，高压工作环境)的隔绝性能，当电路测试未通过，表征隔离层未通过测试，当电路测试正常完成，表征隔离层通过测试，从而能够采用较为简单易实施的测试结构，实现对实际工作环境下隔离层的检测，有利于实现对隔离层的检测。
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1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：金属硅化物层，位于所述漏区和源区的基底顶部。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，沿由漏区指向源区的方向，所述金属层的尺寸大于所述隔离层的尺寸。
4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：体接触区，位于所述源区背向所述隔离层一侧的基底中，所述体接触区用于作为第四测试信号加载端。
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：体接触插塞，位于所述体接触区顶部并贯穿所述体接触区顶部的层间介质层。
6.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第四测试信号加载端用于加载零电位。
7.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：漏区插塞，位于所述漏区顶部并贯穿所述漏区顶部的层间介质层；
8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试信号加载端用于加载正电位，所述第二测试信号加载端用于加载零电位；
9.如权利要求1所述的
10.一种测试结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的测试结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述基底和隔离层的层间介质层之前，所述形成方法还包括：在所述漏区和源区的基底顶部形成金属硅化物层。
12.如权利要求10所述的测试结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述基底和隔离层的层间介质层之前，所述形成方法还包括：在所述源区背向所述隔离层一侧的基底中形成体接触区，所述体接触区用于作为第四信号加载端。
13.如权利要求12所述的测试结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离层上方的层间介质层上形成金属层之前，所述形成方法还包括：在所述体接触区顶部形成贯穿所述体接触区顶部的层间介质层的体接触插塞。
14.如权利要求10所述的测试结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离层上方的层间介质层上形成金属层之前，所述形成方法还包括：在所述漏区顶部形成贯穿所述漏区顶部的层间介质层的漏区插塞；
15.一种测试方法，其特征在于，包括：
16.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，当所述电信号小于预设电信号阈值时，增大所述第三测试信号加载端相对应的测试信号的步骤中，每次电路测试中，所述第三测试信号加载端相对应的测试信号等差递增。
17.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，对所述第一测试信号加载端和第二测试信号加载端加载相对应的测试信号的步骤中，对所述第一测试信号加载端加载正电位，对所述第二测试信号加载端加载零电位；
18.如权利要求17所述的测试方法，其特征在于，对所述第一测试信号加载端加载正电位的步骤中，对所述第一测试信号加载端加载的正电位为0.1V至5V；
19.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，提供所述测试结构的步骤中，所述测试结构还包括：体接触区，位于所述源区背向所述隔离层一侧的基底中，所述体接触区用于作为第四信号加载端；
20.如权利要求18所述的测试方法，其特征在于，对所述第四信号加载端加载相对应的测试信号的步骤中，对所述第四信号加载端加载零电位。
...【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：金属硅化物层，位于所述漏区和源区的基底顶部。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，沿由漏区指向源区的方向，所述金属层的尺寸大于所述隔离层的尺寸。
4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：体接触区，位于所述源区背向所述隔离层一侧的基底中，所述体接触区用于作为第四测试信号加载端。
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：体接触插塞，位于所述体接触区顶部并贯穿所述体接触区顶部的层间介质层。
6.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第四测试信号加载端用于加载零电位。
7.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：漏区插塞，位于所述漏区顶部并贯穿所述漏区顶部的层间介质层；
8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试信号加载端用于加载正电位，所述第二测试信号加载端用于加载零电位；
9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构设置于晶圆上，所述晶圆包括切割道，所述测试结构位于所述切割道中。
10.一种测试结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的测试结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述基底和隔离层的层间介质层之前，所述形成方法还包括：在所述漏区和源区的基底顶部形成金属硅化物层。
12.如权利要求10所述的测试结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述基底和隔离层的层间介质层之前，所述形成方法还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷子文，张文杨，马艳红，苑振升，马德敬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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