【技术实现步骤摘要】
本公开通常涉及固态电流控制器件领域，并且特别地，涉及晶闸管器件，并且更特别地，涉及具有改进的击穿区的晶闸管器件。
技术介绍
1、现代电子设备依靠半导体器件二极管来实现各种功能，包括例如在各个方向传导电流。这种器件是使用n型和p型半导体材料制造的，并且可以包括晶闸管半导体器件，例如可控硅整流器(silicon controlled rectifier，scr)、triac半导体器件和/或任何其他类型的器件。此类器件可被用于需要控制高功率和/或高电压的系统中。在制造这种器件期间，具有第一类型导电性的半导体衬底被暴露在第二类型物质的注入、扩散或沉积中，包括具有第二类型物质的层的外延生长。在提供第二类型物质之后，可以执行退火以扩散和激活第二导电类型的物质。然而，现有的半导体器件包括单个或多个击穿区，但在这些区域的不同面积中提供不一致和/或不平衡的电流切换，从而响应于功率浪涌而提供降低的性能。
技术实现思路
1、提供以下
技术实现思路
是为了以简化形式介绍概念的选择，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。本
技术实现思路
不旨在确定所要求保护的主题内容的关键或基本特征，也不旨在帮助确定所要求保护主题内容的范围。
2、在一些实施方案中，当前主题涉及一种半导体器件装置。该装置可以包括半导体器件的击穿区的击穿区结构。击穿区结构可以包括主干、配置成从主干向外延伸的一个或多个突起、配置成使用一个或多个突起形成的一个或多个入口。包括主干、突起和入口的击穿区结构可以被定位在半导体器件的击穿区内的预定
3、在一些实施方案中，当前主题可以包括以下可选特征中的一个或多个。一个或多个突起可以被配置为从主干向外延伸。一个或多个突起中的至少一个可以被配置为相对于主干以预定角度延伸。一个或多个突起中的至少一个可以被配置为相对于主干正交地延伸。
4、在一些实施方案中，一个或多个突起可以被配置为被定位在主干的每一侧上。一个或多个突起中的至少两个可以被配置为相对于主干彼此相对地定位。一个或多个突起可以被配置为使用相对于主干的预定顺序而被定位。
5、在一些实施方案中，一个或多个突起可以被配置为具有相同的以下至少一个：大小、形状、形式及其任意组合。在一些替代实施方案中，一个或多个突起可以被配置为具有不同的以下至少一个：大小、形状、形式及其任意组合。
6、在一些实施方案中，一个或多个突起中的至少一个可以被配置为使用以下至少一个进行掺杂：预定类型的杂质以及预定浓度的杂质。一个或多个突起中的至少一个可以被配置为使用以下至少一个进行掺杂：n型杂质、p型杂质及其任意组合。此外，一个或多个突起的杂质的掺杂和浓度中的至少一个可以被配置为在一个或多个突起上是均匀的。可替选地或附加地，一个或多个突起的杂质的掺杂和浓度中的至少一个可以被配置为在一个或多个突起上是不均匀的。
7、在一些实施方案中，一个或多个入口中的每一个可以被配置为使用一个或多个突起中的一对和主干的一部分形成。一个或多个入口可以被配置为被定位在主干的每一侧上。在一些实施方案中，一个或多个入口中的至少两个可以被配置为相对于主干彼此相对地定位。此外，一个或多个入口可以被配置为使用相对于主干的预定顺序而被定位。
8、在一些实施方案中，一个或多个入口可被配置为具有相同的以下至少一个：大小、形状、形式及其任意组合。可替选地或附加地，一个或多个入口可被配置为具有不同的以下至少一个：大小、形状、形式及其任意组合。
9、在一些实施方案中，一个或多个入口中的至少一个可以被配置为使用以下至少一个进行掺杂：预定类型的杂质以及预定浓度的杂质。一个或多个入口中的至少一个可以被配置为使用以下至少一个进行掺杂：n型杂质、p型杂质及其任意组合。此外，一个或多个入口的杂质的掺杂和浓度中的至少一个可以被配置为在一个或多个入口上是均匀的。可替选地或附加地，一个或多个入口的杂质的掺杂和浓度中的至少一个可以被配置为在一个或多个入口上是不均匀的。
10、在一些实施方案中，填充材料可以被配置为具有第一浓度和/或类型的杂质，并且主干、一个或多个突起和一个或多个入口中的至少一个可以被配置成具有第二浓度和/或类型的杂质。
11、在一些实施方案中，当前主题涉及半导体器件。半导体器件可以包括半导体器件的击穿区的击穿区结构。击穿区结构可以包括主干、配置成从主干向外延伸的一个或多个突起、配置成使用一个或多个突起形成的一个或多个入口。包括主干、突起和入口的击穿区结构可以被定位在半导体器件的击穿区内的预定位置处。半导体器件还可以包括被配置为填充半导体器件的击穿区的填充材料。填充材料可以被配置为具有第一浓度和/或类型的杂质，并且主干、一个或多个突起和一个或多个入口中的至少一个被配置成具有第二浓度和/或类型的杂质。
12、在一些实施方案中，当前主题涉及一种用于制造半导体器件的方法。该方法可以包括提供半导体器件的击穿区的击穿区结构的主干，该击穿区结构是通过形成一个或多个突起和形成一个或多个入口而形成的；将包括主干、突起和入口的击穿区结构定位在半导体器件的击穿区内的预定位置处，并用填充材料填充击穿区，其中填充材料被配置为具有第一浓度和/或类型的杂质，并且主干、一个或多个突起和一个或多个入口中的至少一个被配置为具有第二浓度和/或类型的杂质。
13、本文描述的主题内容的一个或多个变体的细节在附图和下面的描述中阐述。本文所述主题的其他特征和优点将从说明书和附图以及权利要求书中显而易见。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为从所述主干向外延伸。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少一个被配置为相对于所述主干以预定角度延伸。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少一个被配置为相对于所述主干正交地延伸。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为定位在所述主干的每一侧上。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少两个被配置为相对于所述主干彼此相对地定位。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为使用相对于所述主干的预定顺序而被定位。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为具有相同的以下至少一项：大小、形状、形式及其任意组合。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为具有不同的以下至少一项：大小、形状、形式及其任意组合。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少一个被配置为使用以下至少之一进行掺杂：n型杂质、p型杂质及其任意组合。
12.根据权利要求10所述的装置，其中，所述一个或多个突起的杂质的掺杂和浓度中的至少一个被配置为在所述一个或多个突起上是均匀的。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，所述一个或多个突起的杂质的掺杂和浓度中的至少一个被配置为在所述一个或多个突起上是不均匀的。
14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个入口中的每一个被配置为使用所述一个或多个突起中的一对和所述主干的一部分形成。
15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述一个或多个入口被配置为被定位在所述主干的每一侧上。
16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述一个或多个入口中的至少两个被配置为相对于所述主干彼此相对地定位。
17.根据权利要求15所述的装置，其中，所述一个或多个入口被配置为使用相对于所述主干的预定顺序而被定位。
18.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个入口被配置为具有相同的以下至少一项：大小、形状、形式及其任意组合。
19.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个入口被配置为具有不同的以下至少一项：大小、形状、形式及其任意组合。
20.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个入口中的至少一个被配置为使用以下至少之一进行掺杂：预定类型的杂质以及预定浓度的杂质。
21.根据权利要求20所述的装置，其中，所述一个或多个入口中的至少一个被配置为使用以下至少之一进行掺杂：n型杂质、p型杂质及其任意组合。
22.根据权利要求20所述的装置，其中，所述一个或多个入口的杂质的掺杂和浓度中的至少一个被配置为在所述一个或多个入口上是均匀的。
23.根据权利要求20所述的装置，其中，所述一个或多个入口的杂质的掺杂和浓度中的至少一个被配置为在所述一个或多个入口上是不均匀的。
24.根据权利要求1所述的装置，其中，所述填充材料被配置为具有第一浓度和/或类型的杂质，并且所述主干、所述一个或多个突起和所述一个或多个入口中的至少一个被配置为具有第二浓度和/或类型的杂质。
25.一种半导体器件，包括：
26.一种方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为从所述主干向外延伸。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少一个被配置为相对于所述主干以预定角度延伸。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少一个被配置为相对于所述主干正交地延伸。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为定位在所述主干的每一侧上。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少两个被配置为相对于所述主干彼此相对地定位。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为使用相对于所述主干的预定顺序而被定位。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为具有相同的以下至少一项：大小、形状、形式及其任意组合。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起被配置为具有不同的以下至少一项：大小、形状、形式及其任意组合。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少一个被配置为使用以下至少之一进行掺杂：预定类型的杂质以及预定浓度的杂质。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述一个或多个突起中的至少一个被配置为使用以下至少之一进行掺杂：n型杂质、p型杂质及其任意组合。
12.根据权利要求10所述的装置，其中，所述一个或多个突起的杂质的掺杂和浓度中的至少一个被配置为在所述一个或多个突起上是均匀的。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，所述一个或多个突起的杂质的掺杂和浓度中的至少一个被配置为在所述一个或多个突起上是不均匀的。
14.根据权利要求1所述的装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：周继峰，张环，高超，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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