【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率模块，尤其是涉及一种用于功率模块的基板、导电基体及其功率模块。
技术介绍
1、在功率半导体模块领域，为增加器件的散热、载流等能力，通常使用dbc(directbond copper，陶瓷覆铜板)作为igbt芯片的载体。相关技术框架引脚与dbc的焊接区域通过焊膏进行焊接，然而，焊膏的焊接性较差，降低了框架引脚与dbc的焊接区域的焊接稳定性，且增加了功率模块的报废风险。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种用于功率模块的基板，保证了混合钎膏层的焊接性，从而可以保证导电体与绝缘基片的连接可靠性，进而提高了功率模块的良率，降低了功率模块的报废风险。
2、本专利技术的另一个目的在于提出一种采用上述用于功率模块的基板的用于功率模块的导电基体。
3、本专利技术的再一个目的在于提出一种采用上述用于功率模块的导电基体的功率模块。
4、根据本专利技术第一方面实施例的用于功率模块的基板，包括绝缘基片；至少一个导电体，所述导电体设在所述绝缘基片的厚度方向的一侧，所述导电体上形成有多个通孔，多个所述通孔沿所述绝缘基片的长度方向间隔开，所述通孔适于安装功率模块的框架的引脚；至少一个混合钎膏层，所述混合钎膏层位于所述导电体和所述绝缘基片之间，所述混合钎膏层的形状与所述导电体的形状相适配，在所述绝缘基片的厚度方向上部分所述混合钎膏层与多个所述通孔相对；其中，所述混合钎膏层包括cusnti钎
5、根据本专利技术实施例的用于功率模块的基板，在导电体形成有适于安装功率模块的框架的引脚的通孔，框架的引脚在焊接过程中受限于通孔，保证了基板和引脚的相对位置的稳定性。同时，混合钎膏层中的氧化亚铜的粒径满足：45μm≤d≤65μm，有效避免钎焊时混合钎膏层的液态混合钎膏外溢，保证了混合钎膏层的焊接性，从而可以保证导电体与绝缘基片的连接可靠性，进而提高了功率模块的良率，降低了功率模块的报废风险。
6、根据本专利技术的一些实施例，所述氧化亚铜的质量占比为ɑ，其中，所述ɑ满足：1％≤ɑ≤2％。
7、根据本专利技术的一些实施例，所述导电体包括多个子导电部，多个所述子导电部沿所述绝缘基片的长度方向间隔开，每个所述子导电部上形成有所述通孔；所述混合钎膏层包括多个子连接部，多个所述子连接部沿所述绝缘基片的长度方向间隔开，多个所述子连接部与多个所述子导电部一一对应。
8、根据本专利技术的一些实施例，在所述绝缘基片的厚度方向的投影面上，所述混合钎膏层的边缘不凸出于所述导电体的边缘。
9、根据本专利技术的一些实施例，在所述绝缘基片的厚度方向的投影面上，所述混合钎膏层覆盖多个所述通孔的底部。
10、根据本专利技术第二方面实施例的用于功率模块的导电基体，包括基板，所述基板为根据本专利技术上述第一方面实施例的用于功率模块的基板；框架，所述框架位于所述基板的厚度方向的一侧，所述框架包括多个功率引脚，多个所述功率引脚与所述基板的多个通孔一一对应，每个所述功率引脚的连接部通过锡膏固定在所述通孔内。
11、根据本专利技术的一些实施例，所述锡膏通过印刷方式或喷印方式放置于所述通孔内，且至少部分所述连接部位于所述通孔内。
12、根据本专利技术的一些实施例，在所述基板的厚度方向的投影面上，所述通孔的横截面积大于所述连接部的横截面积。
13、根据本专利技术的一些实施例，在所述基板的长度方向上，所述通孔的边缘与所述连接部的边缘之间的最小距离为l1，其中，所述l1满足：0.05mm≤l1≤0.1mm；和/或在所述基板的宽度方向上，所述通孔的边缘与所述连接部的边缘之间的最小距离为l2，其中，所述l2满足：0.05mm≤l2≤0.1mm。
14、根据本专利技术第三方面实施例的功率模块，包括根据本专利技术上述第二方面实施例的用于功率模块的导电基体。
15、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种用于功率模块的基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于功率模块的基板，其特征在于，所述氧化亚铜的质量占比为ɑ，其中，所述ɑ满足：1％≤ɑ≤2％。
3.根据权利要求1所述的用于功率模块的基板，其特征在于，所述导电体包括多个子导电部，多个所述子导电部沿所述绝缘基片的长度方向间隔开，每个所述子导电部上形成有所述通孔；
4.根据权利要求1-3任一项所述的用于功率模块的基板，其特征在于，在所述绝缘基片的厚度方向的投影面上，所述混合钎膏层的边缘不凸出于所述导电体的边缘。
5.根据权利要求4所述的用于功率模块的基板，其特征在于，在所述绝缘基片的厚度方向的投影面上，所述混合钎膏层覆盖多个所述通孔的底部。
6.一种用于功率模块的导电基体，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的用于功率模块的导电基体，其特征在于，所述锡膏通过印刷方式或喷印方式放置于所述通孔内，且至少部分所述连接部位于所述通孔内。
8.根据权利要求7所述的用于功率模块的导电基体，其特征在于，在所述基板的厚度方向的投影面上，所
9.根据权利要求7所述的用于功率模块的导电基体，其特征在于，在所述基板的长度方向上，所述通孔的边缘与所述连接部的边缘之间的最小距离为L1，其中，所述L1满足：0.05mm≤L1≤0.1mm；和/或
10.一种功率模块，其特征在于，包括根据权利要求6-9任一项所述用于功率模块的导电基体。
...【技术特征摘要】
1.一种用于功率模块的基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于功率模块的基板，其特征在于，所述氧化亚铜的质量占比为ɑ，其中，所述ɑ满足：1％≤ɑ≤2％。
3.根据权利要求1所述的用于功率模块的基板，其特征在于，所述导电体包括多个子导电部，多个所述子导电部沿所述绝缘基片的长度方向间隔开，每个所述子导电部上形成有所述通孔；
4.根据权利要求1-3任一项所述的用于功率模块的基板，其特征在于，在所述绝缘基片的厚度方向的投影面上，所述混合钎膏层的边缘不凸出于所述导电体的边缘。
5.根据权利要求4所述的用于功率模块的基板，其特征在于，在所述绝缘基片的厚度方向的投影面上，所述混合钎膏层覆盖多个所述通孔的底部。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：梁孟，岑锦升，董军，杨强，刘恒，江伟，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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