【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
1、在制造半导体装置时，对半导体晶片的表面进行药液清洗处理、湿蚀刻处理等的液处理。为了通过这样的液处理除去附着于基片的液体，有时使用使用超临界状态的处理流体(也称为“超临界处理流体”)的干燥方法(参照专利文献1)。特别是在基片具有微小的凹凸图案(也称为“微小图案”)的情况下，使用超临界处理流体的干燥方法对于抑制由液体的表面张力引起的微小图案的毁坏并且使基片干燥这一方面非常有效。
2、另一方面，即使在使用超临界处理流体抑制微小图案的毁坏并且使基片干燥的情况下，当在干燥处理后观察基片的表面状态时，有时微小图案的毁坏也很明显。这样的微小图案的毁坏存在凹凸图案越微小则越增大的倾向。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2018-74103号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供在进行具有微小图案的基片的干燥的情况下，有利于抑制微小图案的毁坏的技术。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本专利技术的一个方式涉及基片处理装置，其包括：干燥装置，其进行使用超临界处理流体使基片干燥的干燥处理，其中，基片具有形成有微小图案的处理面；和表面改性装置，其进行使基片的处理面疏水化的表面改性处理，表面改性装置在干燥处理后进行表面改性处理。
5、专利技术效果
6、依照本专利技术，在进行具有微小图案的基
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1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
10.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
11.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
12.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
13.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的基片处理方法，其特征在于：
15.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：
16.如权利要求13或14所述的基片处理方法
17.如权利要求13或14所述的基片处理方法，其特征在于：
18.如权利要求13或14所述的基片处理方法，其特征在于，包括：
19.如权利要求13或14所述的基片处理方法，其特征在于：
20.如权利要求17所述的基片处理方法，其特征在于：
21.如权利要求13或14所述的基片处理方法，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
10.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
11.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：五师源太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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