System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体存储器模块以及包括其的计算机系统技术方案_技高网

半导体存储器模块以及包括其的计算机系统技术方案

技术编号:41788555 阅读:2 留言:0更新日期:2024-06-24 20:15
提供一种半导体存储器模块和计算机系统。半导体存储器模块包括模块基板、多个半导体器件以及多个外部端子。模块基板具有相对的第一表面和第二表面。半导体器件被安装在模块基板中的第一表面和第二表面之中的至少一个的第一区域上。外部端子被布置在模块基板的第一表面和第二表面之中的至少一个的第二区域中。第一区域中的第一表面与第二表面之间的距离短于第二区域中的第一表面与第二表面之间的距离。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例总体上涉及一种半导体存储器模块以及包括其的计算机系统,并且更具体地,涉及一种具有薄厚度的半导体存储器模块和包括该半导体存储器模块的计算机系统。


技术介绍

1、包括半导体存储器件的半导体存储器模块可以被应用于各种电子产品。

2、应用于各种电子产品的半导体存储器模块可以包括:印刷电路板(pcb)和多个半导体器件或半导体存储器件,所述多个半导体器件或半导体存储器件安装在pcb的至少一个表面上。

3、然而,当其上安装半导体存储器模块的计算机系统可以被驱动时,在半导体存储器模块中的半导体器件可能同时被驱动以生成高热量。半导体器件的热量可能使半导体存储器模块的性能劣化。因此,现代半导体存储器模块可以包括:散热板,其被配置为有效地散热。散热板可以提高半导体存储器模块的性能。相反,散热板还可以增大半导体存储器模块的厚度。


技术实现思路

1、实施例涉及一种具有薄的厚度的半导体存储器模块。

2、实施例还涉及一种包括上述半导体存储器模块的计算机系统。

3、根据实施例,半导体存储器模块可以包括模块基板、多个半导体器件以及多个外部端子。模块基板可以具有相对的第一表面和第二表面。半导体器件可以被安装在模块基板中的第一表面和第二表面之中的至少一个的第一区域上。外部端子可以被布置在模块基板的第一表面和第二表面之中的至少一个的第二区域中。第一区域中的第一表面与第二表面之间的距离可以短于第二区域中的第一表面与第二表面之间的距离。

4、在实施例中,每个半导体器件可以包括多个存储部件,所述多个存储部件包括至少一个存储芯片。至少一个存储部件可以被布置在存储芯片的一侧处以使最上面的存储芯片暴露。

5、在实施例中,每个半导体器件可以包括多个存储部件、至少一个驱动部件以及至少一个温度传感器。每个存储部件可以包括至少一个半导体芯片。驱动部件可以包括至少一个半导体芯片。温度传感器可以检测存储部件和驱动部件的温度。存储部件和驱动部件中的至少一者可以包括被暴露的最上面的半导体芯片。半导体存储器模块还可以包括散热板,所述散热板被配置为接触被暴露的存储部件的最上面的半导体芯片和被暴露的驱动部件的最上面的半导体芯片。

6、根据实施例,半导体存储器模块可以包括模块基板、多个半导体封装以及散热板。模块基板可以具有第一表面和第二表面。多个电路图案可以被布置在第一表面与第二表面之间。具有不同长度的多个竖直导电路径可以形成在第一表面与第二表面之间。半导体封装可以被安装在模块基板中的第一表面和第二表面之中的至少一个的第一区域上。每个半导体封装可以包括被暴露的半导体芯片。散热板可以附接到模块基板的第一表面和第二表面之中的至少一个。散热板可以物理地接触半导体封装的被暴露的半导体芯片。

7、在实施例中,半导体存储器模块还可以包括多个第一外部端子和多个第二外部端子。第一外部端子可以被布置在模块基板的第一表面的一个边缘区域中。第二外部端子可以对应于第一外部端子。第二外部端子可以被布置在模块基板的第二表面的一个边缘区域上。多个竖直导电路径之中的最短长度可以短于第一外部端子与第二外部端子之间的距离。

8、在实施例中,其上可以安装半导体封装的模块基板可以具有比其上可以布置第一外部端子和第二外部端子的模块基板的厚度薄的厚度。

9、根据实施例,计算机系统可以包括中央处理单元(cpu)、多个模块连接器以及薄的半导体存储器模块。cpu可以被安装在主板上。模块连接器可以被安装在cpu处。多个半导体器件可以被安装在半导体存储器模块的表面上。半导体存储器模块可以具有:被安装在每个模块连接器上的边缘区域。半导体存储器模块可以包括模块基板。模块基板可以具有:可以安装半导体器件的区域、和边缘区域。该区域可以具有比边缘区域的厚度薄的厚度。

10、根据实施例,模块基板和半导体器件中的至少一者可以具有薄的厚度以制造薄的半导体存储器模块。因此,尽管可能增加计算机系统上的半导体存储器模块的数量,但是可以在半导体存储器模块之间确保冷却液可以流过的足够的间隙。结果,可以将具有期望性能的大量半导体存储器模块安装在具有有限面积的主板上。

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【技术保护点】

1.一种半导体存储器模块,所述半导体存储器模块包括:

2.如权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,所述多个半导体器件中的每个半导体器件包括至少一个存储部件,并且所述存储部件包括至少一个存储芯片和模制层,所述模制层被布置在所述至少一个存储芯片的侧表面上以使最上面的存储芯片暴露。

3.如权利要求1所述的半导体存储器模块,还包括:散热板,所述散热板附接到所述模块基板的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个。

4.如权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,所述多个半导体器件中的每个半导体器件包括:包含至少一个半导体芯片的多个存储部件、包含至少一个半导体芯片的至少一个驱动部件、以及用于检测所述半导体器件的温度的至少一个温度传感器,并且所述存储部件和所述驱动部件的至少一者中的最上面的半导体芯片被暴露。

5.如权利要求4所述的半导体存储器模块,其中,散热板直接地接触被暴露的所述存储部件的最上面的半导体芯片和所述驱动部件的最上面的半导体芯片。

6.如权利要求4所述的半导体存储器模块,其中,所述存储部件和所述驱动部件包括模制层,所述模制层围绕所述至少一个半导体芯片的侧表面。

7.一种半导体存储器模块,所述半导体存储器模块包括:

8.如权利要求7所述的半导体存储器模块,还包括:

9.如权利要求8所述的半导体存储器模块,其中,所述竖直导电路径之中的最短长度短于所述第一外部端子与所述第二外部端子之间的距离。

10.如权利要求8所述的半导体存储器模块,其中,安装所述半导体封装的所述模块基板的厚度比布置所述第一外部端子和所述第二外部端子的所述模块基板的厚度薄。

11.如权利要求7所述的半导体存储器模块,其中,所述散热板覆盖安装在所述模块基板的所述第一表面和所述第二表面之中的至少一个上的所述半导体封装。

12.如权利要求7所述的半导体存储器模块,其中,每个所述半导体封装包括:

13.如权利要求10所述的半导体存储器模块,其中,所述被暴露的半导体芯片包括存储芯片。

14.一种计算机系统,所述计算机系统包括:

15.如权利要求14所述的计算机系统,其中,所述半导体封装中的至少一个包括:

16.如权利要求15所述的计算机系统,其中,每个所述半导体存储器模块包括散热板,所述散热板物理地接触位于同一平面上的所述半导体器件。

17.如权利要求15所述的计算机系统,其中,所述模块基板具有第一表面和第二表面,所述多个半导体器件被安装在所述模块基板的所述第一表面和所述第二表面上,第一散热板物理地接触位于所述第一表面上的所述半导体器件,并且第二散热板物理地接触位于所述第二表面上的所述多个半导体器件。

18.如权利要求17所述的计算机系统,其中,多个外部端子被布置在与所述模块基板的所述第一表面和所述第二表面相对应的所述边缘区域中,并且所述外部端子与所述模块连接器电连接。

19.如权利要求14所述的计算机系统,其中,位于所述模块连接器上的所述薄的半导体存储器模块之间的间隙大于所述薄的半导体存储器模块的宽度的一半。

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器模块,所述半导体存储器模块包括:

2.如权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,所述多个半导体器件中的每个半导体器件包括至少一个存储部件,并且所述存储部件包括至少一个存储芯片和模制层,所述模制层被布置在所述至少一个存储芯片的侧表面上以使最上面的存储芯片暴露。

3.如权利要求1所述的半导体存储器模块,还包括:散热板,所述散热板附接到所述模块基板的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个。

4.如权利要求1所述的半导体存储器模块,其中,所述多个半导体器件中的每个半导体器件包括:包含至少一个半导体芯片的多个存储部件、包含至少一个半导体芯片的至少一个驱动部件、以及用于检测所述半导体器件的温度的至少一个温度传感器,并且所述存储部件和所述驱动部件的至少一者中的最上面的半导体芯片被暴露。

5.如权利要求4所述的半导体存储器模块,其中,散热板直接地接触被暴露的所述存储部件的最上面的半导体芯片和所述驱动部件的最上面的半导体芯片。

6.如权利要求4所述的半导体存储器模块,其中,所述存储部件和所述驱动部件包括模制层,所述模制层围绕所述至少一个半导体芯片的侧表面。

7.一种半导体存储器模块,所述半导体存储器模块包括:

8.如权利要求7所述的半导体存储器模块,还包括:

9.如权利要求8所述的半导体存储器模块,其中,所述竖直导电路径之中的最短长度短于所述第一外部端子与所述第二外部端子之间的距离。

10.如权利要求8所述的半导体存储器模块,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:张仁硕崔南铉朴玟豪李贤培
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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