【技术实现步骤摘要】
本技术涉及高压二极管生产领域,具体涉及一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具。
技术介绍
1、高压二极管硅片叠层合金之前必须要经过表面金属化,扩散硅片表面吹砂、一次镀镍,然后进行高温烧结,表面镍层和衬底硅层深度结合,形成镍硅合金。传统硅片烧结工序是将一批硅片一起置于石英舟内,在烧结炉中通以氮氢混合气烧结。由于大量硅片集聚在一起,内外硅片所处气氛、温度不均一,引起硅片间镍硅合金形成差异,从而影响硅块合金焊接强度,造成硅块引线焊接不良、断条,影响工序合格率。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题, 本技术提出了一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,设计巧妙,结构合理紧凑,采用新型冶具烧结硅片,表面镍硅合金状态均一稳定。
2、本技术的技术方案:
3、一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,其特征在于,它包括底座、侧板、折边、横撑,底座两侧分别安装一侧板,两侧侧板上面分别设计一水平方向的折边,两侧侧板之间两端分别通过一横撑连接,所述侧板上面开有若干竖向条形孔,若干竖向条形孔上端分别延伸到折边上面。
4、所述的底座是矩形框架,矩形框架两端中间位置通过一横向底撑连接。
5、所述的两侧侧板的外侧下端分别设计有一倾斜45度角的侧翼。
6、所述的竖向条形孔包括上端宽孔、下端窄孔和锥型过度孔,上端宽孔下端通过锥型过度孔连接下端窄孔,上端宽孔上端延伸到折边靠近边缘处,下端窄孔延伸到侧板靠近底部位置。
7、所述的烧结治具采用不锈钢金属材
8、本技术的优点是:
9、1、设计一次镀镍硅片用烧结冶具,硅片放于冶具中进行烧结,每片烧结气体气氛、温度均一,烧结后硅片外观质量一致,镍硅合金层均匀稳定。
10、2、烧结冶具与镀镍硅片花篮无缝衔接,配合紧密,倒转方便,生产操作性好。
11、3、采用新型冶具烧结硅片,表面镍硅合金状态均一稳定,合金后硅片组合焊接润湿性良好,后道硅块引线组立焊接强度高,断条少,工序合格率比之前提高了2.5%。
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1.一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,其特征在于,它包括底座、侧板、折边、横撑,底座两侧分别安装一侧板,两侧侧板上面分别设计一水平方向的折边,两侧侧板之间两端分别通过一横撑连接,所述侧板上面开有若干竖向条形孔,若干竖向条形孔上端分别延伸到折边上面。
2.根据权利要求1所述的一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,其特征在于,所述的底座是矩形框架,矩形框架两端中间位置通过一横向底撑连接。
3.根据权利要求1所述的一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,其特征在于,所述的两侧侧板的外侧下端分别设计有一倾斜45度角的侧翼。
4.根据权利要求1所述的一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,其特征在于,所述的竖向条形孔包括上端宽孔、下端窄孔和锥型过度孔,上端宽孔下端通过锥型过度孔连接下端窄孔,上端宽孔上端延伸到折边靠近边缘处,下端窄孔延伸到侧板靠近底部位置。
5.根据权利要求1所述的一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,其特征在于,所述的烧结冶具采用金属材料制作成型。
【技术特征摘要】
1.一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,其特征在于,它包括底座、侧板、折边、横撑,底座两侧分别安装一侧板,两侧侧板上面分别设计一水平方向的折边,两侧侧板之间两端分别通过一横撑连接,所述侧板上面开有若干竖向条形孔,若干竖向条形孔上端分别延伸到折边上面。
2.根据权利要求1所述的一种高压二极管一次镀镍硅片用烧结冶具,其特征在于,所述的底座是矩形框架,矩形框架两端中间位置通过一横向底撑连接。
3.根据权利要求1所述的一种高压二极管一次...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈许平,李宁生,
申请(专利权)人:江苏皋鑫电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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