【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及半导体装置，并且可以适当地用于例如并入多个半导体芯片的半导体装置。
2、这里，公开了以下列出的技术。
3、[专利文献1]pct国际公开号2015-114758
4、半导体封装形式的半导体装置可以通过以下方式来制造：将半导体芯片安装在管芯焊盘上，经由导线将半导体芯片的焊盘电极与引线电连接，以及对它们进行树脂密封。
5、专利文献1公开了一种技术，其中半导体芯片中的两个线圈彼此感应耦合，从而发射电信号。
技术实现思路
1、在其中通过使用设置在三个半导体芯片中的一个半导体芯片内的彼此磁耦合的两个线圈来在三个半导体芯片中的另外两个半导体芯片之间发射信号的半导体装置中，需要提高半导体装置的性能。
2、通过本说明书和附图的描述，其他目的和新颖特征将变得很清楚。
3、根据一个实施例的一种半导体装置包括：第一芯片安装部分；第二芯片安装部分；安装在第一芯片安装部分上的第一半导体芯片；安装在第二芯片安装部分上的第二半导体芯片；安装在第一芯片安装部分上并且具有多个变压器的第三半导体芯片；以及密封第一半导体芯片、第二半导体芯片、第三半导体芯片、第一芯片安装部分和第二芯片安装部分的密封体。这里，多个变压器中的每个变压器具有彼此磁耦合的初级线圈和次级线圈。此外，第一芯片安装部分和第二芯片安装部分在第一方向上彼此相邻。此外，第一半导体芯片和第三半导体芯片在垂直于第一方向的第二方向上彼此相邻。此外，在平面图中，第三半导
4、根据一个实施例，可以提高半导体装置的性能。此外，可以减小半导体装置的尺寸。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第一发射焊盘和所述多个第一接收焊盘沿着所述第一半导体芯片的所述第一侧被布置。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第二发射焊盘和所述多个第二接收焊盘沿着所述第二半导体芯片的所述第二侧被布置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第二接收焊盘被布置为与所述多个第二发射焊盘相比更靠近所述第一半导体芯片。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述一个或多个第二变压器的数目大于所述一个或多个第一变压器的数目。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
10.一种半导体装置，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第二发射焊盘和所述多个第二接收焊盘沿着所述第二半导体芯片的所述第二侧布置。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第一发射焊盘和所述多个第一接收焊盘沿着所述第一半导体芯片的所述第一侧布置。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第一接收焊盘被布置为与所述多个第一发射焊盘相比更靠近所述第二半导体芯片。
14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述一个或多个第一变压器的数目大于所述一个或多个第二变压器的数目。
15.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，
17.根据权利要求16所述的半导体装置，
18.根据权利要求10所述的半导体装置，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第一发射焊盘和所述多个第一接收焊盘沿着所述第一半导体芯片的所述第一侧被布置。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第二发射焊盘和所述多个第二接收焊盘沿着所述第二半导体芯片的所述第二侧被布置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中在平面图中，所述多个第二接收焊盘被布置为与所述多个第二发射焊盘相比更靠近所述第一半导体芯片。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述一个或多个第二变压器的数目大于所述一个或多个第一变压器的数目。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
10.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：细川嵩道，佃龙明，桝村好博，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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