【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件领域，尤其涉及一种三相全桥功率模块。
技术介绍
1、目前，市场上的三相全桥功率模块，使用6个mos单管或3个半桥封装的形式组成，然后应用到无刷电机中使用。由于三相全桥功率模块采用半桥封装的形式组成，使得三相全桥功率模块的体积比较大。还有采用分立mos管方案进行应用,其存在体积大、散热效果不佳的问题。
技术实现思路
1、本技术针对以上问题，提供了一种结构简单，集成度高，提高可靠性的三相全桥功率模块。
2、本技术的技术方案为：三相全桥功率模块，包括塑封体，所述塑封体内设有框架以及设置于塑封体两侧边缘的若干引脚；
3、所述框架包括设于一侧的vs相基岛以及设于另一侧的u相基岛、v相基岛和w相基岛，
4、所述u相基岛和v相基岛之间以及所述v相基岛和w相基岛之间分别设有gnd引脚，
5、所述vs相基岛上设有三颗芯片，所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上分别设有一颗芯片；
6、所述芯片包括半导体层，所述半导体层的顶部设有源极金属层和栅极金属层，底部设有漏极金属层；
7、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
8、所述u相基岛和v相基岛上芯片的源极金属层分别连接位于u相基岛和v相基岛之间的gnd引脚，
9、所述v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层分别连接位于v相基岛和w相基岛之间的gnd引脚，
10、所述vs相基岛上三颗芯片的源极
11、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层和栅极金属层还分别一一对应连接塑封体另一侧的若干引脚。
12、所述vs相基岛、u相基岛、v相基岛和w相基岛上分别设有台阶。
13、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝线分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
14、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层通过铝线连接对应的gnd引脚。
15、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝带分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
16、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层通过铝带连接对应的gnd引脚。
17、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铜片分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
18、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层通过铜片连接对应的gnd引脚。
19、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层和栅极金属层还分别通过铝线一一对应连接塑封体一侧的若干引脚；
20、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层和栅极金属层还分别通过铝线一一对应连接塑封体另一侧的若干引脚。
21、所述框架伸出塑封体的部位设有镀锡层，所述镀锡层的厚度为8-20um。
22、本技术在工作中，通过mos管集成减少成本，方便散热，在减小体积的同时功率不减；mos 集成相比分立 mos可靠性高，可以提高产品竞争力。
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1.三相全桥功率模块，包括塑封体，其特征在于，所述塑封体内设有框架以及设置于塑封体两侧边缘的若干引脚；
2.根据权利要求1所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛、U相基岛、V相基岛和W相基岛上分别设有台阶。
3.根据权利要求1所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝线分别一一对应连接U相基岛、V相基岛和W相基岛；
4.根据权利要求1所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝带分别一一对应连接U相基岛、V相基岛和W相基岛；
5.根据权利要求1所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铜片分别一一对应连接U相基岛、V相基岛和W相基岛；
6.根据权利要求1-5中任一项所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层和栅极金属层还分别通过铝线一一对应连接塑封体一侧的若干引脚；
7.根据权利要求1所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述框架伸出塑封体的部位设有镀锡层，所述镀锡层
...【技术特征摘要】
1.三相全桥功率模块，包括塑封体，其特征在于，所述塑封体内设有框架以及设置于塑封体两侧边缘的若干引脚；
2.根据权利要求1所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述vs相基岛、u相基岛、v相基岛和w相基岛上分别设有台阶。
3.根据权利要求1所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝线分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
4.根据权利要求1所述的三相全桥功率模块，其特征在于，所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝带分别一一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈睿韬，牛利刚，薛傲，郑忠庆，邓九屹，尹志坚，孔维华，赵振中，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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