【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
1、薄膜晶体管液晶显示装置(thin film transistor-liquid crystal display，tft-lcd)具有画质好、低功耗的优点，在显示领域中占据主导地位。tft作为tft-lcd的像素开关，可以控制液晶的旋转以使得显示面板可以呈现不同的色彩。
2、在铜工艺tft的制程中，栅极和源漏极通常是使用刻蚀液对第一金属层和第二金属层进行刻蚀后形成，形成的锥角(taper angle)基本相同。这种制备工艺形成的栅极和源漏极的锥角难以控制，容易出现锥角过大或过小的情况，其中，在锥角过大时易造成断线，在锥角过小时可能导致阻抗增大，产生信号传输延迟，因而，目前采用此种制备工艺制备的阵列基板，产品良率比较低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，用于提高产品良率。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：
3、在衬底基板上形成栅极层，所述栅极层包括自下而上层叠设置的第一子栅极层和第二子栅极层；
4、在所述衬底基板和所述栅极层的上方依次形成绝缘层、半导体层以及源漏极层，所述源漏极层包括自下而上层叠设置的第一子源漏极层和第二子源漏极层；其中，所述第一子栅极层采用第一沉积速率形成，所述第一子源漏极层采用第二沉积速率形成，所述第一沉积速率小于所述第二沉积速率；
<...【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一子栅极层和所述第一子源漏极层的材料均为钼；所述第二子栅极层和所述第二子源漏极层的材料均为铜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅极层，所述栅极层包括自下而上层叠设置的第一子栅极层和第二子栅极层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括有机酸、有机碱、双氧水、水和螯合剂的混合溶液。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在对所述光刻胶层进行图案化处理之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括层叠设置的第一子绝缘层、第二子绝缘层和第三子绝缘层；所述第一子绝缘层、第二子绝缘层和第三子绝缘层的沉积速率逐渐减小。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括层叠设置的有源层和欧姆接触层；
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述第一子栅极层的厚度与所述第一子源漏极层的厚度相同，
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板是基于权利要求1-8任一项所述的方法制备的。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的对向基板，以及位于所述阵列基板和所述对向基板之间的显示介质层。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一子栅极层和所述第一子源漏极层的材料均为钼；所述第二子栅极层和所述第二子源漏极层的材料均为铜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅极层，所述栅极层包括自下而上层叠设置的第一子栅极层和第二子栅极层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括有机酸、有机碱、双氧水、水和螯合剂的混合溶液。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在对所述光刻胶层进行图案化处理之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴文兵，李宁宁，雍万飞，詹仁宏，卓恩宗，刘素梅，叶利丹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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