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阵列基板制造技术

技术编号:41772080 阅读:2 留言:0更新日期:2024-06-21 21:48
本申请提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底、驱动器件层、钝化层以及像素电极层,其中,像素电极层包括第一灰阶电极和第二灰阶电极,第二灰阶电极的至少一部分和第一灰阶电极位于同一个像素区域内,第一灰阶电极通过第一过孔与薄膜晶体管的漏极电连接,第二灰阶电极与第一灰阶电极绝缘。本申请可以增加显示模组的总灰阶数,提高显示模组的显示画质。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,具体涉及一种阵列基板


技术介绍

1、电泳电子纸显示模组通过驱动芯片向栅极发送栅极驱动信号,以控制搭接在半导体层上的源极和漏极导通,并通过驱动芯片向源极传输灰阶信号,使像素电极层能够与对置基板的电极形成垂直电场,从而驱动位于阵列基板的像素电极层和对置基板的电极之间的带电粒子,以使显示模组能够显示不同的灰阶,从而实现画面显示。

2、现有电泳电子纸显示模组在固定的压差下,采用多帧驱动的方式只能形成16个灰阶,电泳电子纸显示模组的显示画质较差。

3、故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种阵列基板,以提高电泳电子纸显示模组的显示画质。

2、为解决上述问题,本申请的技术方案如下:

3、第一方面,本申请提出了一种阵列基板,所述阵列基板包括:

4、衬底;

5、驱动器件层,设于所述衬底上,所述驱动器件层包括栅极走线、薄膜晶体管和源极走线,相邻的两条所述栅极走线和相邻的两条所述源极走线界定一个像素区域;

6、钝化层,覆盖于所述薄膜晶体管上,所述钝化层设有第一过孔,所述第一过孔贯穿所述钝化层,所述第一过孔暴露所述薄膜晶体管的漏极;以及

7、像素电极层,设于所述钝化层上,所述像素电极层包括第一灰阶电极和第二灰阶电极,所述第二灰阶电极的至少一部分和所述第一灰阶电极位于同一个所述像素区域内,所述第一灰阶电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述第二灰阶电极与所述第一灰阶电极绝缘。

8、可选的,在本申请一些实施例中,在垂直于所述衬底的平面的方向上,所述第二灰阶电极的至少一部分覆盖所述源极走线的至少一部分。

9、可选的,在本申请一些实施例中,所述第二灰阶电极设有第一开孔,所述第一开孔贯穿所述第二灰阶电极,所述第一开孔的至少一部分位于所述源极走线的一部分的上方。

10、可选的,在本申请一些实施例中,在垂直于所述衬底的平面的方向上,所述第二灰阶电极的一部分覆盖所述薄膜晶体管的源极的至少一部分。

11、可选的,在本申请一些实施例中,所述阵列基板还包括导电走线,所述导电走线设于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上,所述钝化层设有第二过孔,所述第二过孔贯穿所述钝化层,并暴露所述导电走线,所述第二灰阶电极通过所述第二过孔与所述导电走线电连接。

12、可选的,在本申请一些实施例中,所述第一灰阶电极设有第二开孔,所述第二开孔贯穿所述第一灰阶电极,所述第二灰阶电极位于所述第二开孔内。

13、可选的,在本申请一些实施例中,在垂直于所述衬底的平面的视角下,所述第一灰阶电极和所述第二灰阶电极盘绕于同一中心的周围,在所述像素区域的中心指向所述像素区域的边缘的方向上,所述第一灰阶电极和所述第二灰阶电极交替排布。

14、可选的,在本申请一些实施例中,所述第一灰阶电极与所述第二灰阶电极的间隔距离小于或等于14um。

15、可选的,在本申请一些实施例中,至少两个所述像素区域内的所述第二灰阶电极电连接。

16、可选的,在本申请一些实施例中,所述阵列基板还包括绑定垫和灰阶数据线,所述绑定垫与所述灰阶数据线的输入端电连接,所述灰阶数据线的输出端与所述第二灰阶电极电连接。

17、在本申请中,通过在一个像素区域内设置第一灰阶电极和第二灰阶电极,第一灰阶电极与漏极电连接,使像素区域内的第一灰阶电极的覆盖部分显示第一灰阶,像素区域内的第二灰阶电极的覆盖部分显示第二灰阶,第一灰阶和第二灰阶组成一个新的灰阶,从而增加显示模组的总灰阶数,进而提高显示模组的显示画质。本申请的第一灰阶电极和第二灰阶电极绝缘,第一灰阶电极和第二灰阶电极分别接收灰阶信号,在一个扫描期间内,当第二灰阶电极的灰阶信号的波形的上升沿或下降沿早于或等于第一灰阶电极的灰阶信号的上升沿或下降沿时,能够提前驱动带电粒子移动到接近即将到来的第一灰阶电极的灰阶信号所对应的灰阶的初始状态,从而节约了带电粒子在第一灰阶电极的灰阶信号的驱动下的移动时间,从而提高显示模组的灰阶刷新速度。

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【技术保护点】

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底的平面的方向上,所述第二灰阶电极的至少一部分覆盖所述源极走线的至少一部分。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二灰阶电极设有第一开孔,所述第一开孔贯穿所述第二灰阶电极,所述第一开孔的至少一部分位于所述源极走线的一部分的上方。

4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底的平面的方向上,所述第二灰阶电极的一部分覆盖所述薄膜晶体管的源极的至少一部分。

5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括导电走线,所述导电走线设于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上,所述钝化层设有第二过孔,所述第二过孔贯穿所述钝化层,并暴露所述导电走线,所述第二灰阶电极通过所述第二过孔与所述导电走线电连接。

6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一灰阶电极设有第二开孔,所述第二开孔贯穿所述第一灰阶电极,所述第二灰阶电极位于所述第二开孔内。

7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底的平面的视角下,所述第一灰阶电极和所述第二灰阶电极盘绕于同一中心的周围,在所述像素区域的中心指向所述像素区域的边缘的方向上,所述第一灰阶电极和所述第二灰阶电极交替排布。

8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一灰阶电极与所述第二灰阶电极的间隔距离小于或等于14um。

9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少两个所述像素区域内的所述第二灰阶电极电连接。

10.如权利要求1至9任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括绑定垫和灰阶数据线,所述绑定垫与所述灰阶数据线的输入端电连接,所述灰阶数据线的输出端与所述第二灰阶电极电连接。

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【技术特征摘要】

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底的平面的方向上,所述第二灰阶电极的至少一部分覆盖所述源极走线的至少一部分。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二灰阶电极设有第一开孔,所述第一开孔贯穿所述第二灰阶电极,所述第一开孔的至少一部分位于所述源极走线的一部分的上方。

4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底的平面的方向上,所述第二灰阶电极的一部分覆盖所述薄膜晶体管的源极的至少一部分。

5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括导电走线,所述导电走线设于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上,所述钝化层设有第二过孔,所述第二过孔贯穿所述钝化层,并暴露所述导电走线,所述第二灰阶电极通过所述第二过孔与所述导电走线电连接。

6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:熊志豪韦彩凤吴迪
申请(专利权)人:苏州华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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