System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种多光谱伪装装置及制造方法制造方法及图纸_技高网
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一种多光谱伪装装置及制造方法制造方法及图纸

技术编号:41768096 阅读:2 留言:0更新日期:2024-06-21 21:45
本发明专利技术提供了一种多光谱伪装装置及制造方法,属于多光谱伪装技术领域。多光谱伪装装置包括:顶部红外波段伪装层,包括顶层PET衬底及形成于顶层PET衬底上的ITO/ZnS层叠膜,所述ITO/ZnS层叠膜由周期间隔的若干ITO膜和ZnS膜层叠在一起形成,且所述ITO/ZnS层叠膜分割成方形单元阵列;中间阻抗匹配层;及底部微波段伪装层,包括底层PET衬底及形成于底层PET衬底上的ITO膜,且所述ITO膜具有Koch分形结构。本发明专利技术多光谱伪装装置具备较好的光学透明性、曲面共形及辐射散热特性,能够满足多种波段伪装效果,包括可见光、激光、红外及微波波段,具备极强的实际应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多光谱伪装,尤其涉及一种多光谱伪装装置及制造方法


技术介绍

1、在自然界中,许多动物都运用伪装来保护自己,它们通过模仿自然界中的色彩、形状和纹理等特征,使自身融入环境中,从而避免被侵略者发现和攻击。在现代军事应用和安全防御中,伪装同样发挥着重要的作用。军事上的伪装可以使军事目标在战场上隐蔽起来,减少被敌方侦查和攻击的风险,同时,伪装还可以用于保护军事设施、装备和人员,提高作战效果和生存能力。随着先进探测技术的不断发展和融合,传统的单波段伪装方法已经难以满足当前的应用要求,单波段伪装方法只能在特定的光谱范围内起效,容易被先进的侦查设备和技术所突破,比如,视觉隐身主要依赖于色彩和形状的伪装,而红外隐身则是通过减少热辐射来降低被探测的概率,因此,为了应对多光谱探测技术的挑战,兼容多光谱伪装策略已成为当前的发展方向。

2、兼容多光谱伪装的目的是为了在不同的探测波段上隐藏目标的特征,从而综合考虑所有探测波段的伪装原理。不同的探测波段对于伪装的要求和原理也有所不同。如何在不同的伪装原理中寻找平衡,以满足不同的伪装需求,进而达到最佳的伪装效果,已成为行业内亟待解决的问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种具有实际应用前景的、高性能、功能化多光谱伪装装置及制造方法。

2、为实现上述目的,本专利技术采用以下技术手段:

3、本专利技术的第一方面提供一种多光谱伪装装置,包括:

4、顶部红外波段伪装层,包括顶层pet衬底及形成于顶层pet衬底上的ito/zns层叠膜,所述ito/zns层叠膜由周期间隔的若干ito膜和zns膜层叠在一起形成,且所述ito/zns层叠膜分割成方形单元阵列,每个方形单元的边长a满足:140微米<a<1000微米,相邻方形单元的间距b满足:0<b<10微米;

5、中间由pdms构成的微波段阻抗匹配层;及

6、底部微波段伪装层,包括底层pet衬底及形成于底层pet衬底上的ito膜,且所述ito膜具有koch分形结构。

7、作为进一步的改进,所述ito/zns层叠膜由周期间隔的5层ito膜和zns膜层叠在一起形成,其中,所述ito膜设有3层,所述zns膜设有2层。

8、作为进一步的改进,5层所述ito膜和zns膜分别为t1、t2、t3、t4和t5,t1的厚度为0.2~1.0微米;t2的厚度为0.5~1.2微米;t3的厚度为0.01~0.025微米;t4的厚度为0.01~0.025微米;t5的厚度为0.005~0.015微米。

9、作为进一步的改进,所述顶层pet衬底及底层pet衬底的厚度为0.05~0.175毫米。

10、作为进一步的改进,所述中间阻抗匹配层的pdms厚度为2.5~3.5毫米;

11、所述具有koch分形结构的ito膜的厚度为0.2~0.3微米。

12、作为进一步的改进,所述底部微波段伪装层还包括底层pdms层。

13、作为进一步的改进,所述底层pdms层的厚度为3.5~4.5毫米。

14、本专利技术的第二方面提供一种多光谱伪装装置的制造方法,包括以下步骤:

15、步骤一、制作顶部红外波段伪装层:在顶层pet衬底上涂胶,经过曝光、显影后,在其表面形成方形单元阵列生长框;再在顶层pet衬底上间隔形成若干层ito膜和zns膜,其中,ito膜和zns膜均通过磁控溅射工艺制作;最后,将样品浸泡于丙酮溶液来去除残胶;

16、步骤二、制作底部微波段伪装层:在底层pet衬底上通过磁控溅射工艺沉积ito薄膜,再对ito薄膜进行激光刻蚀以形成koch分形结构;

17、步骤三、将顶部红外波段伪装层和底部微波段伪装层贴合至中间阻抗匹配层的两侧;

18、其中,步骤一和步骤二可同时制作或先后制作。

19、作为进一步的改进,所述koch分形结构为初始形态为等边三角形的二级分形结构。

20、作为进一步的改进,所述步骤二还包括将成形的pet衬底贴合于底层pdms层以完成底部微波段伪装层制作;

21、磁控溅射形成ito膜的工艺参数为:靶材in2o3:sno2=90:10纯度99.99%,30sccm的氩气环境,磁控功率150~250w,工作气压0.6~0.8pa,样品台温度100℃,样品台转速15r/min;

22、磁控溅射形成zns膜的工艺参数:靶材zns纯度99.99%,20sccm的氩气环境,磁控功率80~140w,工作气压0.5~0.7pa,样品台温度100℃,样品台转速15r/min。

23、相比于现有技术,本专利技术带来以下技术效果:

24、本专利技术的多光谱伪装装置包括顶部红外波段伪装层、中间阻抗匹配层及底部微波段伪装层,顶部红外波段伪装层包括ito/zns层叠膜,该ito/zns层叠膜由周期间隔的若干ito膜和zns膜层叠在一起形成,且所述ito/zns层叠膜分割成方形单元阵列,每个方形单元的边长a满足:140微米<a<1000微米,相邻方形单元的间距b满足:0<b<10微米;ito/zns层叠膜在激光(1.05、1.55μm)和非大气窗口(5-8μm)波段具有较高的吸光度,同时在中长波红外区域(3-5μm、8-14μm)具有较低的发射率;加上对ito/zns层叠膜进行特定尺寸(即比红外波长大得多,比微波波长小得多)周期性分割,满足该尺寸要求可以在实现微波透明的同时,保证红外伪装性能;中间阻抗匹配层的作用为实现介质与自由空间的阻抗匹配,以此减少微波在吸收层界面处的散射,提高微波波段(2-18ghz)吸收性能;底部微波段伪装层包括具有koch分形结构的ito膜,可以有效的拓宽吸收带宽,且其自身的高度对称性可以引入极化不敏感特性,实现广角吸收;综合上述结构设置,结合本专利技术所用的材料均具有较好的柔性,使得本专利技术多光谱伪装装置具备较好的光学透明性、曲面共形及辐射散热特性,能够满足多种波段伪装效果,包括可见光、激光、红外及微波波段,具备极强的实际应用前景。

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【技术保护点】

1.一种多光谱伪装装置,其特征在于,包括

2.如权利要求1所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述ITO/ZnS层叠膜由周期间隔的5层ITO膜和ZnS膜层叠在一起形成,其中,所述ITO膜设有3层,所述ZnS膜设有2层。

3.如权利要求2所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述5层ITO膜和ZnS膜分别为t1、t2、t3、t4和t5,t1的厚度为0.2~1.0微米;t2的厚度为0.5~1.2微米;t3的厚度为0.01~0.025微米;t4的厚度为0.01~0.025微米;t5的厚度为0.005~0.015微米。

4.如权利要求3所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述顶层PET衬底及底层PET衬底的厚度为0.05~0.175毫米。

5.如权利要求4所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述中间阻抗匹配层的厚度为2.5~3.5毫米;

6.如权利要求1所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述底部微波段伪装层还包括底层PDMS层。

7.如权利要求6所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述底层PDMS层的厚度为3.5~4.5毫米。</p>

8.一种多光谱伪装装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

9.如权利要求8所述的多光谱伪装装置的制作方法,其特征在于,所述Koch分形结构为初始形态为等边三角形的二级分形结构。

10.如权利要求8所述的多光谱伪装装置的制作方法,其特征在于,所述步骤二还包括将成形的PET衬底贴合于底层PDMS层以完成底部微波段伪装层制作;

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【技术特征摘要】

1.一种多光谱伪装装置,其特征在于,包括

2.如权利要求1所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述ito/zns层叠膜由周期间隔的5层ito膜和zns膜层叠在一起形成,其中,所述ito膜设有3层,所述zns膜设有2层。

3.如权利要求2所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述5层ito膜和zns膜分别为t1、t2、t3、t4和t5,t1的厚度为0.2~1.0微米;t2的厚度为0.5~1.2微米;t3的厚度为0.01~0.025微米;t4的厚度为0.01~0.025微米;t5的厚度为0.005~0.015微米。

4.如权利要求3所述的多光谱伪装装置,其特征在于,所述顶层pet衬底及底层pet衬底的厚度为0.05~0.175毫米。

【专利技术属性】
技术研发人员:邹艳红罗杰邬壮方祥曾亚男杨云涛刘亮亮唐陶鑫
申请(专利权)人:湖南大学
类型:发明
国别省市:

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