【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善中压器件gidl漏电的方法。
技术介绍
1、现有28nm技术节点的高压显示驱动工艺制成中，中压器件(8v)和core/sram(0.9v)共用相同的侧墙，因为sram周期的硬性限制，导致侧墙不能做厚。进而导致中压器件器件的gidl(栅诱导漏极泄漏电流)漏电较为严重。目前业界主要通过ldd(轻掺杂漏)调整来改善gidl，但是改善有限，工艺窗口很小。
2、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善中压器件gidl漏电的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善中压器件gidl漏电的方法，用于解决现有技术中主要通过ldd(轻掺杂漏)调整来改善gidl，但是改善有限，工艺窗口很小的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善中压器件gidl漏电的方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，所述衬底上包括第一、二中压器件区、以及低压器件区，所述第一、二中压器件区为互补的mos器件区，在所述衬底上形成有栅极介质层，所述第一、二中压器件区以及低压器件区上的所述栅极介质层上分别形成有第一至三栅极叠层，所述第一至三栅极叠层的侧壁形成有侧墙结构；
4、步骤二、在所述第一、二中压器件区以及低压器件区上形成第一牺牲层，形成覆盖所述第一牺牲层的第一光刻胶层，光刻打开所述第一中压器件区上的所述第一光刻胶层，使得所述第一中压器件区上的所述第一牺牲层裸露，回刻蚀所述裸露的所述
5、步骤三、在所述第一、二中压器件区以及低压器件区上形成第二牺牲层，形成覆盖所述第二牺牲层的第二光刻胶层，光刻打开所述第二中压器件区上的所述第二光刻胶层，使得所述第二中压器件区上的所述第二牺牲层裸露，回刻蚀所述裸露的所述第二牺牲层，以形成第二侧墙、去除裸露的所述栅极介质层，利用离子注入形成第二中压器件区上的源、漏区，去除所述第二侧墙和所述第二光刻胶层；
6、步骤四、利用剩余的所述栅极介质层来作为阻挡层，在所述源、漏区上自对准形成金属硅化物。
7、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
8、优选地，步骤一中的所述第一中压器件区为nmos器件区，所述第二中压器件区为pmos器件区。
9、优选地，步骤一中的所述第一中压器件区为pmos器件区，所述第二中压器件区为nmos器件区。
10、优选地，步骤一中的所述栅极介质层的材料为二氧化硅。
11、优选地，步骤一中的所述第一至三栅极叠层由自下而上依次堆叠的栅极多晶硅层、氮化硅硬掩膜层、二氧化硅硬掩膜层组成。
12、优选地，步骤二中的所述第一牺牲层为apf层。
13、优选地，步骤二中利用灰化工艺和湿法清洗的方法去除所述第一侧墙和所述第一光刻胶层。
14、优选地，步骤三中的所述第二牺牲层为apf层。
15、优选地，步骤三中利用灰化工艺和湿法清洗的方法去除所述第二侧墙和所述第二光刻胶层。
16、优选地，步骤四中的所述在所述源、漏区上形成金属硅化物的方法包括：在所述衬底上形成覆盖所述源、漏区的金属层；在所述金属层上形成保护层；利用退火在所述源、漏区上形成所述金属硅化物；去除剩余的所述金属层和保护层。
17、如上所述，本专利技术的改善中压器件gidl漏电的方法，具有以下有益效果：
18、本专利技术在保证低压器件区侧墙厚度和膜层不变的情况下，增加了中压器件区的侧墙宽度，使得漏端到沟道的距离增加，从而有效降低了中压器件区的gidl漏电。
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1.一种改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
3.根据权利要求1所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一中压器件区为NMOS器件区，所述第二中压器件区为PMOS器件区。
4.根据权利要求1所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一中压器件区为PMOS器件区，所述第二中压器件区为NMOS器件区。
5.根据权利要求1所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极介质层的材料为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一至三栅极叠层由自下而上依次堆叠的栅极多晶硅层、氮化硅硬掩膜层、二氧化硅硬掩膜层组成。
7.根据权利要求1所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一牺牲层为APF层。
8.根据权利要求7
9.根据权利要求1所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤三中的所述第二牺牲层为APF层。
10.根据权利要求9所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤三中利用灰化工艺和湿法清洗的方法去除所述第二侧墙和所述第二光刻胶层。
11.根据权利要求1所述的改善中压器件GIDL漏电的方法，其特征在于：步骤四中的所述在所述源、漏区上形成金属硅化物的方法包括：在所述衬底上形成覆盖所述源、漏区的金属层；在所述金属层上形成保护层；利用退火在所述源、漏区上形成所述金属硅化物；去除剩余的所述金属层和保护层。
...【技术特征摘要】
1.一种改善中压器件gidl漏电的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善中压器件gidl漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
3.根据权利要求1所述的改善中压器件gidl漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一中压器件区为nmos器件区，所述第二中压器件区为pmos器件区。
4.根据权利要求1所述的改善中压器件gidl漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一中压器件区为pmos器件区，所述第二中压器件区为nmos器件区。
5.根据权利要求1所述的改善中压器件gidl漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极介质层的材料为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的改善中压器件gidl漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一至三栅极叠层由自下而上依次堆叠的栅极多晶硅层、氮化硅硬掩膜层、二氧化硅硬掩膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：王奇伟，徐凯峰，彭翔，程器，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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