【技术实现步骤摘要】
本申请涉及温度检测，具体涉及一种温度检测装置及电子设备。
技术介绍
1、现在针对温度检测的电路基本都是采用ntc热敏电阻与一固定电阻分压，微处理器根据ntc热敏电阻的电压推算温度。但ntc热敏电阻的阻值随温度变化而变化，固定电阻的阻值过大或过小都可能导致ntc热敏电阻在低温时分压过大或高温时分压过小，以至于微处理器根据ntc热敏电阻的分压确定的温度误差较大，检测精度低。
2、针对以上问题，本领域技术人员一直在寻求解决方法。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题在于，针对上述现有技术的缺陷，提供一种温度检测装置及电子设备。
2、为了实现上述目的，本申请是通过如下的技术方案来实现：
3、一种温度检测装置，包括测试电源、第一分压电阻、第二分压电阻、热敏电阻、微处理器、切换电路；
4、所述测试电源用于提供测试电压；
5、所述第一分压电阻连接于所述测试电源与所述热敏电阻的一端之间，所述热敏电阻的另一端接地；
6、所述热敏电阻用于设置在预设的测温区域，所述微处理器与所述热敏电阻电性连接，用于采集所述热敏电阻两端的电压差，根据所述电压差确定所述测温区域的温度；
7、所述第二分压电阻选择性地连接于所述电源与所述热敏电阻的一端之间；
8、所述切换电路连接于所述测试电源与所述第二分压电阻之间，所述切换电路用于当所述测温区域的温度超出预设的温度阈值时导通以将所述第二分压电阻连接到所述电源与所述热敏电阻之间
9、可选地，所述切换电路包括第一开关和第二开关；
10、所述第一开关的控制端与所述微处理器连接，所述第一开关的第一通路端与所述第二开关的控制端连接，所述第一开关的第二通路端接地，所述第一开关用于根据所述微处理器输出的控制信号导通或截止；
11、所述第二开关的第一通路端与所述电源电性连接，所述第二开关的第二通路端与所述第二分压电阻电性连接，所述第二开关用于当所述测温区域的温度超出预设的温度阈值时导通以将所述第二分压电阻连接到所述电源与所述热敏电阻之间，和当所述测温区域的温度未超出预设的温度阈值时断开以使得仅有所述第一分压电阻连接于所述电源与所述热敏电阻之间。
12、可选地，所述微处理器包括通信接口，所述通信接口与所述第一开关的控制端电性连接；所述通信接口用于在测温区域的温度小于预设的温度阈值时输出第一控制信号以控制所述切换电路断开，以及在测温区域的温度大于预设的温度阈值时输出第二控制信号以控制所述切换电路导通。
13、可选地，还包括数据分析模块，所述数据分析模块与所述微处理器电性连接，用于标定所述预设的温度阈值并输出至所述微处理器。
14、可选地，所述装置还包括第一保护电阻和第二保护电阻；
15、所述第一保护电阻连接于所述微处理器与所述第一开关的控制端之间，所述第二保护电阻连接于所述第一开关的控制端与第一开关的第二通路端之间关。
16、可选地，所述装置还包括第三保护电阻；所述第三保护电阻连接于所述第二开关的控制端与所述电源之间。
17、可选地，所述微处理器还包括电源接口，所述温度检测装置还包括辅助电源；所述辅助电源与所述电源接口、所述数据分析模块电性连接，用于为所述微处理器和所述数据分析模块供电。
18、可选地，所述第一开关为npn型三极管；所述npn型三极管的基极与所述微处理器连接，所述npn型三极管的集电极耦接于所述电源，所述npn型三极管的发射极接地。
19、可选地，所述第二开关为p型mos管；所述p型mos管的栅极与所述npn型三极管的集电极连接，所述p型mos管的源极与所述电源连接，所述p型mos管的漏极与所述第二分压电阻连接。
20、本申请还提供一种电子设备，包括上述的温度检测装置，所述温度检测装置用于对所述电子设备中的预设的测温区域进行温度检测。
21、本申请提供了一种温度检测装置及电子设备，利用切换电路控制第二分压电阻是否连接到电源与热敏电阻之间进而控制连接到电源与热敏电阻之间，可提升热敏电阻的温度检测精度。
22、为让本申请的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种温度检测装置，其特征在于，包括测试电源、第一分压电阻、第二分压电阻、热敏电阻、微处理器、切换电路；
2.如权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，所述切换电路包括第一开关和第二开关；
3.如权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，所述微处理器包括通信接口，所述通信接口与所述第一开关的控制端电性连接；所述通信接口用于在测温区域的温度小于预设的温度阈值时输出第一控制信号以控制所述切换电路断开，以及在测温区域的温度大于预设的温度阈值时输出第二控制信号以控制所述切换电路导通。
4.如权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，还包括数据分析模块，所述数据分析模块与所述微处理器电性连接，用于标定所述预设的温度阈值并输出至所述微处理器。
5.如权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，所述装置还包括第一保护电阻和第二保护电阻；
6.如权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，所述装置还包括第三保护电阻；所述第三保护电阻连接于所述第二开关的控制端与所述电源之间。
7.如权利要求4所述的温度检测装置，其特征在于，所
8.如权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，所述第一开关为NPN型三极管；所述NPN型三极管的基极与所述微处理器连接，所述NPN型三极管的集电极耦接于所述电源，所述NPN型三极管的发射极接地。
9.如权利要求8所述的温度检测装置，其特征在于，所述第二开关为P型MOS管；所述P型MOS管的栅极与所述NPN型三极管的集电极连接，所述P型MOS管的源极与所述电源连接，所述P型MOS管的漏极与所述第二分压电阻连接。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的温度检测装置，所述温度检测装置用于对所述电子设备中的预设的测温区域进行温度检测。
...【技术特征摘要】
1.一种温度检测装置，其特征在于，包括测试电源、第一分压电阻、第二分压电阻、热敏电阻、微处理器、切换电路；
2.如权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，所述切换电路包括第一开关和第二开关；
3.如权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，所述微处理器包括通信接口，所述通信接口与所述第一开关的控制端电性连接；所述通信接口用于在测温区域的温度小于预设的温度阈值时输出第一控制信号以控制所述切换电路断开，以及在测温区域的温度大于预设的温度阈值时输出第二控制信号以控制所述切换电路导通。
4.如权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，还包括数据分析模块，所述数据分析模块与所述微处理器电性连接，用于标定所述预设的温度阈值并输出至所述微处理器。
5.如权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，所述装置还包括第一保护电阻和第二保护电阻；
6.如权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，所述装置还包括第三保护电阻；所...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚臣，官守城，马新甜，
申请(专利权)人：杭州闪充聚能新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：
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