【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，更具体地，涉及半导体构件及其制造方法、存储系统。
技术介绍
1、在半导体存储器件中，多晶硅薄膜与绝缘层之间的界面会产生具有未成键轨道的悬挂键，这些悬挂键也称为“缺陷”。由于“缺陷”的存在，会导致半导体存储器件存储性能的退化。
技术实现思路
1、本申请提供了可至少部分解决相关技术中存在的上述问题中的至少之一的半导体构件及其制造方法、存储系统。
2、本申请实施方式第一方面提供了一种半导体构件的制造方法，包括：在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复，所述第一晶圆包括存储单元；将所述第一晶圆与第二晶圆键合以形成半导体构件，所述第二晶圆包括器件层；以及在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件。
3、在一些实施方式中，在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复的步骤包括：在所述第一晶圆的第一侧或者第二侧形成第一介质层，所述第一介质层中含有氢键，其中，所述第一侧为与所述第二晶圆键合的一侧，所述第二侧为与所述第一侧相对的另一侧；以及在所述第一温度下执行退火工艺，以钝化所述存储单元中的缺陷。
4、在一些实施方式中，在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复之后，所述制造方法还包括：在所述第一晶圆的所述第一侧形成与所述第二晶圆键合的键合触点。
5、在一些实施方式中，所述第一介质层的材料为含有氢键的氮化物、含有氢键的多晶硅或含有氢键的氮碳化物中的至少一种；其中，所述第一介质层的氢含量高于1e21cm-3。
6、在一些实施方式中，在
7、在一些实施方式中，所述第一温度的范围为500℃～800℃。
8、在一些实施方式中，在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件之前，所述制造方法还包括：去除所述第一介质层的至少部分。
9、在一些实施方式中，在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件的步骤包括：在所述第二温度下执行退火工艺，以修复所述半导体构件。
10、在一些实施方式中，所述第一晶圆的所述第二侧设置有衬底；其中，在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件之前，所述制造方法还包括：去除所述衬底。在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件的步骤包括：在所述第一晶圆的所述第二侧形成第二介质层，所述第二介质层中含有氢键；以及在所述第二温度下执行退火工艺，以修复所述半导体构件的缺陷。
11、在一些实施方式中，所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度。
12、在一些实施方式中，所述第二温度的范围为400℃～450℃。
13、本申请实施方式第二方面提供一种半导体构件，包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括存储单元；以及第二晶圆，所述第二晶圆与所述第一晶圆键合连接形成键合界面，所述第二晶圆包括器件层。在所述第一晶圆的、朝向所述键合界面的一侧包括第一介质层，所述第一介质层的材料包括氮化物、多晶硅或氮碳化物中的至少一种。
14、在一些实施方式中，所述第一介质层的厚度的范围为2μm～10μm。
15、在一些实施方式中，半导体构件还包括：封装层，所述封装层位于所述第一晶圆和所述第二晶圆的远离所述键合界面的一侧。
16、在一些实施方式中，半导体构件还包括：第二介质层，所述第二介质层位于所述第一晶圆的远离所述第二晶圆的一侧与所述封装层之间，所述第二介质层的材料包括氮化物、多晶硅或氮碳化物中的至少一种。
17、本申请实施方式第三方面提供一种半导体构件，包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括存储单元；第二晶圆，所述第二晶圆与所述第一晶圆键合连接形成键合界面，所述第二晶圆包括器件层；以及封装层，所述封装层位于所述第一晶圆和所述第二晶圆的远离所述键合界面的一侧；其中，所述第一晶圆的远离所述第二晶圆的一侧与所述封装层之间包括第二介质层，所述第二介质层的材料包括氮化物、多晶硅或氮碳化物中的至少一种。
18、在一些实施方式中，所述第二介质层的厚度小于所述封装层的厚度。
19、在一些实施方式中，所述第二介质层的厚度的范围为1μm～5μm。
20、在一些实施方式中，半导体构件还包括：第一介质层，所述第一介质层位于所述第一晶圆的、朝向所述键合界面的一侧，所述第一介质层的材料包括氮化物、多晶硅或氮碳化物中的至少一种。
21、本申请实施方式第四方面提供一种存储系统，包括：根据本申请第二方面或者第三方面提供的半导体构件；以及控制器，与所述半导体构件电连接，用于控制所述半导体构件。
22、本申请示例性实施方式提供的半导体构件的制造方法，对存储单元中的缺陷进行两次修复，且将采用较高温度的缺陷修复过程实施在晶圆键合之前，可在避免高温处理对器件层产生影响的前提下对存储单元中的缺陷进行深度修复，改善存储器件的存储性能。
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1.一种半导体构件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复之后，所述制造方法还包括：
4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述第一介质层的材料为含有氢键的氮化物、含有氢键的多晶硅或含有氢键的氮碳化物中的至少一种；
5.根据权利要求2所述的制造方法，其中，在所述第一温度下执行退火工艺的时间范围为2h～10h。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一温度的范围为500℃～800℃。
7.根据权利要求2所述的制造方法，其中，在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件之前，所述制造方法还包括：
8.根据权利要求2至7中任一项所述的制造方法，其中，在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件的步骤包括：
9.根据权利要求2至7中任一项所述的制造方法，其中，所述第一晶圆的所述第二侧设置有衬底；
10.根据权利要
11.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第二温度的范围为400℃～450℃。
12.一种半导体构件，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的半导体构件，其中，
14.根据权利要求12所述的半导体构件，其中，还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体构件，其中，还包括：
16.一种半导体构件，其特征在于，包括：
17.根据权利要求15所述的半导体构件，其中，
18.根据权利要求15所述的半导体构件，其中，
19.根据权利要求15所述的半导体构件，其中，还包括：
20.一种存储系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体构件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复之后，所述制造方法还包括：
4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述第一介质层的材料为含有氢键的氮化物、含有氢键的多晶硅或含有氢键的氮碳化物中的至少一种；
5.根据权利要求2所述的制造方法，其中，在所述第一温度下执行退火工艺的时间范围为2h～10h。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一温度的范围为500℃～800℃。
7.根据权利要求2所述的制造方法，其中，在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件之前，所述制造方法还包括：
8.根据权利要求2至7中任一项所述的制造方法，其中，在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件的步...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭盛，陆智勇，张文博，毛晓明，程朝晖，高晶，薛磊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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