【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文的实施方案涉及半导体衬底处理系统，且更具体地涉及在等离子体处理系统中使用的喷头。
技术介绍
1、半导体衬底处理装置被使用以通过包括蚀刻、物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强原子层沉积(peald)、脉冲沉积层(pdl)、等离子体增强脉冲沉积层(pepdl)、和抗蚀剂去除的技术而处理半导体衬底。半导体衬底处理装置的一种类型是等离子体处理装置。许多半导体处理将晶片暴露于等离子体并将晶片暴露于高于环境温度或室温的温度。可在处理室中的半导体衬底处理装置中激发等离子体。或者，等离子体可远离处理室(即，在外部)而产生。在处理室外部产生的等离子体称为远程等离子体，并且可使用任何方法产生，包括电容耦合等离子体(ccp)、电感耦合等离子体(icp)、变压器耦合等离子体(tcp)、和微波(mw)等离子体。
2、这里提供的
技术介绍
是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、本文提供了一种用于半导体处理装置中所述的喷头。所述喷头包含：基部，其具有在所述喷头内的充气室；以及圆柱部，其从所述基部垂直延伸，所述基部具有比所述圆柱部的外径更大的直径，其中所述基部包含第一组孔和第二组孔，所述第一组孔中的每一者具有第一直径和第一长度，且所述第二组孔中的每一者具
2、在一些实施方案中，所述第一组孔与所述第二组孔被配置成六边形图案、三角形图案、或六边形图案和三角形图案的组合。在一些实施方案中，所述第一组孔与所述第二组孔的密度介于每平方英寸约3孔和每平方英寸约6孔之间。在一些实施方案中，所述第一长度(l1)比所述第一直径(d1)的比率介于约8和约15之间。在一些实施方案中，所述第一长度(l1)比所述第一直径(d1)的比率介于约10和约12之间。在一些实施方案中，所述第一直径介于约0.03英寸和约0.1英寸之间。在一些实施方案中，所述喷头还包含：第一部件，其具有所述基部与所述圆柱部；第二部件，其是盘形的并且包含与所述基部中的所述第一组孔对齐的第一通孔，其中所述第二部件具有顶表面、侧表面和底表面，所述底表面附接至与所述圆柱部相反的一侧上的所述第一部件的所述基部，并限定与所述第二组孔流体连通且与所述第一组孔分离的所述充气室；以及第三部件，其是盘形的并且包含第二通孔，所述第二通孔与所述第二部件中的所述第一通孔以及所述第一部件中的所述第一组孔对齐，并且具有附接至所述第二部件的所述顶表面的底表面。在一些实施方案中，所述第二部件的所述顶表面包含沿着所述顶表面的周边且位于所述顶表面的相对端上的成对的弧形沟槽，且其中所述第二部件的所述顶表面还包含在所述成对的弧形沟槽之间延伸的多个沟槽。在一些实施方案中，所述第三部件包含与所述充气室流体连通的气体入口、与所述成对的弧形沟槽中的第一者流体连通的流体入口、以及与所述成对的弧形沟槽中的第二者流体连通的流体出口。在一些实施方案中，所述喷头被配置成限制从所述第二组孔所供应的气体反向扩散穿过所述第一组孔。在一些实施方案中，所述圆柱部的所述内径大于被处理的衬底的直径。在一些实施方案中，所述第一组孔被配置成六边形图案，其中所述第二组孔位于由所述第一组孔限定的六边形内的三角形的顶点上，并且其中所述第一组孔中的一者位于所述三角形中的每一者内。在一些实施方案中，所述第二组孔被配置成六边形图案，其中所述第一组孔位于由所述第二组孔所限定的六边形内的三角形的顶点上，并且其中所述三角形中的每一者内存在所述第二组孔中的一者。在一些实施方案中，所述第一组孔的数量比所述第二组孔的数量的比率介于约1.00和约1.05之间。
3、本文还提供了一种用于半导体处理装置中的喷头。所述喷头包含：第一部件，其包含盘形部和从所述盘形部垂直延伸的圆柱部，所述盘形部具有比所述圆柱部的外径更大的直径，所述盘形部包含第一组孔和第二组孔，所述第一组孔中的每一者具有第一长度和第一直径，且所述第二组孔中的每一者具有第二长度和第二直径，其中所述第一直径大于所述第二直径且所述第一长度大于所述第二长度，其中所述第一组孔和所述第二组孔从所述盘形部的中心到所述圆柱部的内径分布，其中所述第一组孔的横截面面积的和比所述圆柱部的横截面面积的比率介于约0.5％和约3.0％之间。所述喷头还包括：第二部件，其是盘形的并且包含与所述第一部件中的所述第一组孔对齐的第一通孔，其中所述第二部件具有顶表面、侧表面和底表面，所述底表面附接至与所述圆柱部相反的一侧上的所述第一部件的所述盘形部，并限定充气室，所述充气室与所述第一部件中的所述第二组孔流体连通且与所述第一部件中的所述第一组孔分离。所述喷头还包括：第三部件，其是盘形的并且包含第二通孔，所述第二通孔与所述第二部件中的所述第一通孔以及所述第一部件中的所述第一组孔对齐，其中所述第三部件具有附接至所述第二部件的所述顶表面的底表面。
4、在一些实施方案中，所述第二部件的所述顶表面包含沿着所述第二部件的所述顶表面的周边且位于所述顶表面的相对端上的成对的弧形沟槽，且其中所述第二部件的所述顶表面还包含在所述成对的弧形沟槽之间延伸的多个沟槽。在一些实施方案中，所述第三部件还包含环形脊部，所述环形脊部沿着所述第三部件的周边而位于所述第三部件的顶表面上，其中所述第三部件还包含从所述环形脊部的内径延伸至所述第三部件的所述顶表面的中心的凹部。在一些实施方案中，所述第一组孔与所述第二组孔被配置成六边形图案、三角形图案、或六边形图案和三角形图案的组合。在一些实施方案中，所述第一组孔与所述第二组孔的密度介于每平方英寸约3孔和每平方英寸约6孔之间。在一些实施方案中，所述第一长度(l1)与所述第一直径(d1)的比率介于约8和约15之间。
5、本文还提供了一种等离子体装置，其包含：处理室；基座，其在所述处理室内并且被配置成支撑衬底；等离子体源，其被配置在所述处理室之上；以及喷头，其被配置在所述处理室和所述等离子体源之间。所述喷头包含：基部，其具有在所述喷头内的充气室；以及圆柱部，其从所述基部垂直延伸，所述基部具有比所述圆柱部的外径更大的直径，其中所述基部包含第一组孔和第二组孔，所述第一组孔中的每一者具有第一直径和第一长度，且所述第二组孔中的每一者具有第二直径和第二长度，其中所述第一组孔和所述第二组孔从所述基部的中心到所述圆柱部的内径分布，其中所述第一组孔从所述基部的顶表面延伸到所述基部的底表面，其中所述第二组孔从所述充气室延伸到所述基部的所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于半导体处理装置中所述的喷头，所述喷头包含：
2.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一组孔与所述第二组孔被配置成六边形图案、三角形图案、或六边形图案和三角形图案的组合。
3.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一组孔与所述第二组孔的密度介于每平方英寸约3孔和每平方英寸约6孔之间。
4.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一长度(L1)比所述第一直径(D1)的比率介于约8和约15之间。
5.根据权利要求4所述的喷头，其中所述第一长度(L1)比所述第一直径(D1)的比率介于约10和约12之间。
6.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一直径介于约0.03英寸和约0.1英寸之间。
7.根据权利要求1所述的喷头，其还包含：
8.根据权利要求7所述的喷头，其中所述第二部件的所述顶表面包含沿着所述顶表面的周边且位于所述顶表面的相对端上的成对的弧形沟槽，且其中所述第二部件的所述顶表面还包含在所述成对的弧形沟槽之间延伸的多个沟槽。
9.根据权利要求8所述的喷头，其中所述第三部件包含与所述充
10.根据权利要求1所述的喷头，其中所述喷头被配置成限制从所述第二组孔所供应的气体反向扩散穿过所述第一组孔。
11.根据权利要求1所述的喷头，其中所述圆柱部的所述内径大于被处理的衬底的直径。
12.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一组孔被配置成六边形图案，其中所述第二组孔位于由所述第一组孔限定的六边形内的三角形的顶点上，并且其中所述第一组孔中的一者位于所述三角形中的每一者内。
13.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第二组孔被配置成六边形图案，其中所述第一组孔位于由所述第二组孔所限定的六边形内的三角形的顶点上，并且其中所述三角形中的每一者内存在所述第二组孔中的一者。
14.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一组孔的数量比所述第二组孔的数量的比率介于约1.00和约1.05之间。
15.一种用于半导体处理装置中的喷头，所述喷头包含：
16.根据权利要求15所述的喷头，其中所述第二部件的所述顶表面包含沿着所述第二部件的所述顶表面的周边且位于所述顶表面的相对端上的成对的弧形沟槽，且其中所述第二部件的所述顶表面还包含在所述成对的弧形沟槽之间延伸的多个沟槽。
17.根据权利要求15所述的喷头，其中所述第三部件还包含环形脊部，所述环形脊部沿着所述第三部件的周边而位于所述第三部件的顶表面上，其中所述第三部件还包含从所述环形脊部的内径延伸至所述第三部件的所述顶表面的中心的凹部。
18.根据权利要求15所述的喷头，其中所述第一组孔与所述第二组孔被配置成六边形图案、三角形图案、或六边形图案和三角形图案的组合。
19.根据权利要求15所述的喷头，其中所述第一组孔与所述第二组孔的密度介于每平方英寸约3孔和每平方英寸约6孔之间。
20.根据权利要求15所述的喷头，其中所述第一长度(L1)与所述第一直径(D1)的比率介于约8和约15之间。
21.一种等离子体装置，其包含：
22.根据权利要求21所述的等离子体装置，其中所述等离子体源被配置成产生等离子体并将所述等离子体供应至所述喷头，其中在所述喷头中的所述第一组孔被配置成过滤来自所述等离子体的离子并使来自所述等离子体的自由基通过所述喷头进入所述处理室中。
23.根据权利要求21所述的等离子体装置，其中所述第一组孔与所述第二组孔被配置成六边形图案、三角形图案、或六边形图案和三角形图案的组合。
24.根据权利要求21所述的等离子体装置，其中所述第一组孔与所述第二组孔的密度介于每平方英寸约3孔和每平方英寸约6孔之间。
25.根据权利要求21所述的等离子体装置，其中所述第一长度(L1)比所述第一直径(D1)的比率介于约8和约15之间。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于半导体处理装置中所述的喷头，所述喷头包含：
2.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一组孔与所述第二组孔被配置成六边形图案、三角形图案、或六边形图案和三角形图案的组合。
3.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一组孔与所述第二组孔的密度介于每平方英寸约3孔和每平方英寸约6孔之间。
4.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一长度(l1)比所述第一直径(d1)的比率介于约8和约15之间。
5.根据权利要求4所述的喷头，其中所述第一长度(l1)比所述第一直径(d1)的比率介于约10和约12之间。
6.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一直径介于约0.03英寸和约0.1英寸之间。
7.根据权利要求1所述的喷头，其还包含：
8.根据权利要求7所述的喷头，其中所述第二部件的所述顶表面包含沿着所述顶表面的周边且位于所述顶表面的相对端上的成对的弧形沟槽，且其中所述第二部件的所述顶表面还包含在所述成对的弧形沟槽之间延伸的多个沟槽。
9.根据权利要求8所述的喷头，其中所述第三部件包含与所述充气室流体连通的气体入口、与所述成对的弧形沟槽中的第一者流体连通的流体入口、以及与所述成对的弧形沟槽中的第二者流体连通的流体出口。
10.根据权利要求1所述的喷头，其中所述喷头被配置成限制从所述第二组孔所供应的气体反向扩散穿过所述第一组孔。
11.根据权利要求1所述的喷头，其中所述圆柱部的所述内径大于被处理的衬底的直径。
12.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第一组孔被配置成六边形图案，其中所述第二组孔位于由所述第一组孔限定的六边形内的三角形的顶点上，并且其中所述第一组孔中的一者位于所述三角形中的每一者内。
13.根据权利要求1所述的喷头，其中所述第二组孔被配置成六边形图案，其中所述第一组孔位于由所述第二组孔所限定的六边形内的三角形的顶点上，并且其中所述三角形中的每一者内存在所述第二组孔中的一者。
【专利技术属性】
技术研发人员：亚伦·布莱克·米勒，戈皮纳特·布海马拉塞蒂，凯尔·瓦特·哈特，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。