【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体设备及待处理晶圆的温度测量方法。
技术介绍
1、半导体设备中通常设有腔室，以为半导体器件的制造营造一封闭且可控的空间，从而用于执行各种半导体处理工艺。
2、示例地，半导体设备用于执行溅射工艺，例如可以在真空条件下，采用低电压及大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，从而利用电场的加速作用使被蒸发物质及其反应产物沉积在晶圆上。前述溅射工艺尤其适用于在晶圆上形成金属薄膜，以通过金属薄膜在电路器件之间形成导电通路。
3、然而，基于溅射工艺所形成的不同层金属薄膜之间容易出现分层剥离（peeling）的风险。并且，导致不同层金属薄膜之间分层剥离的原因之一在于溅射工艺执行过程中的温度难以精确控制。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种半导体设备及待处理晶圆的温度测量方法，以精准且及时地测量待处理晶圆在处理工艺中的温度变化，从而有效提升产品良率，尤其是超薄晶圆的产品良率。
2、一方面，本公开一些实施例提供了一种半导体设备，包括：设备本体和晶圆温测装置。设备本体具有腔室和腔温检测模块。腔温检测模块包括：温测插头及与温测插头连接但可拆卸的腔温检测线。晶圆温测装置包括：虚设晶圆和至少一个温测传感器。虚设晶圆的厚度等于待处理晶圆的厚度。温测传感器设置于虚设晶圆的一侧。温测传感器具有引出端，所述引出端用于从腔室内引出，并用于在拆除腔温检测线和温测插头之间的连接后，使引
3、在本公开一些实施例中，虚设晶圆的厚度小于或等于200μm。
4、在本公开一些实施例中，温测传感器包括k型电偶线。
5、在本公开一些实施例中，温测传感器的一端通过固化结构与虚设晶圆固定连接。
6、在本公开一些实施例中，半导体设备还包括：设置于腔室内的至少两个加热托盘。其中，所述至少两个加热托盘中的一个加热托盘用于承载晶圆温测装置，且晶圆温测装置中虚设晶圆设置温测传感器的一侧背离加热托盘。
7、另一方面，本公开一些实施例还提供了一种待处理晶圆的温度测量方法，包括如下步骤。
8、提供晶圆温测装置。晶圆温测装置包括虚设晶圆以及设置于虚设晶圆一侧的至少一个温测传感器。虚设晶圆的厚度与待处理晶圆的厚度相等。
9、从半导体设备上拔出腔温检测模块的温测插头。
10、拆除腔温检测模块中腔温检测线与温测插头之间的连接。
11、将晶圆温测装置置于半导体设备的腔室内，并使温测传感器的引出端从腔室内引出，且使温测传感器的引出端与温测插头连接。
12、将温测插头插接至半导体设备中对应的温测接口，通过晶圆温测装置测量待处理晶圆在处理工艺中的温度变化。
13、在本公开一些实施例中，虚设晶圆的厚度小于或等于200μm。
14、在本公开一些实施例中，提供晶圆温测装置，包括：提供厚度与待处理晶圆相等的虚设晶圆；通过固化结构将温测传感器的一端固定至虚设晶圆的一侧。
15、在本公开一些实施例中，待处理晶圆的温度测量方法还包括如下步骤。
16、在结束温度测量并待晶圆温测装置的温度降低至目标阈值之后，将连接温测传感器的温测插头从半导体设备上拔出。
17、拆除温测传感器与温测插头之间的连接。
18、将腔温检测线与温测插头连接，以复原腔温检测模块。
19、在本公开一些实施例中，目标阈值小于或等于50℃。
20、本公开实施例可以/至少具有以下优点：
21、本公开上述实施例中，可以在厚度等于待处理晶圆的虚设晶圆上设置温测传感器以形成晶圆温测装置，并可以利用半导体设备中原有的腔温检测模块，在拆除其腔温检测线和所述温测插头之间的连接后，使晶圆温测装置中温测传感器的引出端与该温测插头连接，并插接至半导体设备中对应的温测接口。如此，本公开实施例能够在不改变现有半导体设备结构的前提下，针对各种厚度范围（尤其是超薄厚度）的待处理晶圆，通过对应的晶圆温测装置进行待处理晶圆处理工艺中的温度测量，从而精准且及时地测量待处理晶圆在处理工艺中的温度变化，以有效提升产品良率及产品可靠性。
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1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述虚设晶圆的厚度小于或等于200μm。
3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述温测传感器包括K型电偶线。
4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述温测传感器的一端通过固化结构与所述虚设晶圆固定连接。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体设备，其特征在于，还包括：设置于所述腔室内的至少两个加热托盘；
6.一种待处理晶圆的温度测量方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的温度测量方法，其特征在于，所述虚设晶圆的厚度小于或等于200μm。
8.根据权利要求6所述的温度测量方法，其特征在于，所述提供晶圆温测装置，包括：
9.根据权利要求6~8中任一项所述的温度测量方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的温度测量方法，其特征在于，所述目标阈值小于或等于50℃。
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述虚设晶圆的厚度小于或等于200μm。
3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述温测传感器包括k型电偶线。
4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述温测传感器的一端通过固化结构与所述虚设晶圆固定连接。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体设备，其特征在于，还包括：设置于所述腔室内的至少两...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈宣，杨燕康，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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