【技术实现步骤摘要】
本公开涉及垂直非易失性存储器件及其制造方法。
技术介绍
1、半导体指属于导体与绝缘体之间的区域并且在预定条件下具有导电性的材料。这样的半导体材料用于制造各种半导体器件，例如，半导体存储器件。存储器件被分类为易失性存储器件或非易失性存储器件。在非易失性存储器件中，即使电源被关闭，非易失性存储器件的内容也不丢失，并且非易失性存储器件可以用于诸如便携式电话、数码相机或pc的各种电子设备。
2、根据增加存储容量的最近趋势，有必要改进非易失性存储器件的集成度。二维地布置在平面上的此类存储器件的集成度可能是有限的。因此，正在提出三维地布置的垂直非易失性存储器件。
技术实现思路
1、本公开的各方面可以通过将垂直非易失性存储器件的电荷存储层布置为彼此间隔开来改善半导体存储器件的可靠性。
2、根据一些实施例，一种垂直非易失性存储器件包括：单元衬底；模制结构，所述模制结构包括依次堆叠在所述单元衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，所述半导体图案在与所述单元衬底的顶表面相交的第一方向上延伸通过所述模制结构；第一电荷绝缘层，所述第一电荷绝缘层位于所述第一绝缘图案与所述半导体图案之间；第二电荷绝缘层，所述第二电荷绝缘层与所述第一电荷绝缘层间隔开，并且位于所述第二绝缘图案与所述半导体图案之间；电荷存储层，所述电荷存储层位于所述第一电荷绝缘层与所述第二电荷绝缘层之间并且位于所述第一栅电极与所述半导体图案之间；以及第一阻挡绝缘层，所述第一阻挡绝缘层位于所述第一栅电极与
3、所述第一阻挡绝缘层可以位于所述第一电荷绝缘层与所述第二电荷绝缘层之间。
4、所述电荷存储层的与所述半导体图案相对的第二表面在所述第一方向上的第三长度可以长于所述第二长度。
5、所述第一阻挡绝缘层在所述第一方向上的第四长度可以长于所述第一长度。
6、所述垂直非易失性存储器件还可以包括：势垒层，所述势垒层位于所述第一绝缘图案与所述第一栅电极之间并且位于所述第二绝缘图案与所述第一栅电极之间，并且所述势垒层在所述第一方向上的第五长度短于所述第三长度。
7、所述势垒层可以位于所述第一阻挡绝缘层与所述第一栅电极之间。
8、所述第二电荷绝缘层可以包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。
9、所述电荷存储层在所述第一方向上的长度可以朝向所述半导体图案增大。
10、所述第一电荷绝缘层可以包括与所述第一绝缘图案的材料不同的材料。
11、根据一些实施例，一种垂直非易失性存储器件包括：单元衬底；模制结构，所述模制结构包括依次堆叠在所述单元衬底上的第一栅电极、绝缘图案和第二栅电极；半导体图案，所述半导体图案在与所述单元衬底的顶表面相交的第一方向上延伸通过所述模制结构；第一电荷存储层，所述第一电荷存储层位于所述第一栅电极与所述半导体图案之间；第二电荷存储层，所述第二电荷存储层与所述第一电荷存储层间隔开，并且位于所述第二栅电极与所述半导体图案之间；第一阻挡绝缘层，所述第一阻挡绝缘层位于所述第一栅电极与所述第一电荷存储层之间；以及第二阻挡绝缘层，所述第二阻挡绝缘层与所述第一阻挡绝缘层间隔开，并且位于所述第二栅电极与所述第二电荷存储层之间，并且所述第一电荷存储层与所述第二电荷存储层之间的第一距离短于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第二距离。
12、所述第一阻挡绝缘层与所述第二阻挡绝缘层之间的第三距离可以短于所述第二距离。
13、所述第一距离可以随着所述第一电荷存储层和所述第二电荷存储层延伸得更靠近所述半导体图案而减小。
14、所述垂直非易失性存储器件还可以包括：第一势垒层，所述第一势垒层位于所述第一栅电极与所述绝缘图案之间；以及第二势垒层，所述第二势垒层位于所述第二栅电极与所述绝缘图案之间，所述第一势垒层与所述第二势垒层之间的第四距离短于所述第一距离。
15、所述垂直非易失性存储器件还可以包括：电荷绝缘层，所述电荷绝缘层位于所述第一电荷存储层与所述第二电荷存储层之间。
16、所述第一电荷存储层的表面可以与所述电荷绝缘层接触并且为凹形。
17、所述电荷绝缘层可以包括与所述绝缘图案的材料不同的材料。
18、所述电荷绝缘层可以位于所述第一阻挡绝缘层与所述第二阻挡绝缘层之间。
19、根据一些实施例，一种制造垂直非易失性存储器件的方法包括：在单元衬底上依次形成第一牺牲层、绝缘图案和第二牺牲层；通过蚀刻所述第一牺牲层、所述绝缘图案和所述第二牺牲层来形成孔；在所述第一牺牲层上形成第一阻挡绝缘层，并且形成与所述第一阻挡绝缘层间隔开并且位于所述第二牺牲层上的第二阻挡绝缘层；在所述绝缘图案、所述第一阻挡绝缘层和所述第二阻挡绝缘层上形成初步电荷存储层；在第一区域中的所述初步电荷存储层上形成阻挡图案，所述第一区域与所述绝缘图案交叠；在第二区域中的所述初步电荷存储层上形成掩模，所述第二区域没有所述阻挡图案；以及执行蚀刻工艺以形成彼此分离的第一电荷存储层和第二电荷存储层。
20、形成所述第一阻挡绝缘层和所述第二阻挡绝缘层可以包括：在所述第一牺牲层上选择性地形成第一种子绝缘层，并且选择性地形成与所述第一种子绝缘层间隔开并且位于所述第二牺牲层上的第二种子绝缘层；以及通过分别使所述第一种子绝缘层和所述第二种子绝缘层氧化，形成所述第一阻挡绝缘层和所述第二阻挡绝缘层。
21、所述方法还可以包括：在位于所述第一电荷存储层与所述第二电荷存储层之间并且位于所述第一阻挡绝缘层与所述第二阻挡绝缘层之间的空间中形成电荷绝缘层。
22、根据示例实施例，垂直非易失性存储器件的电荷存储层被布置为彼此间隔开以改善所述器件的可靠性。
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1.一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一阻挡绝缘层位于所述第一电荷绝缘层与所述第二电荷绝缘层之间。
3.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述电荷存储层的与所述半导体图案相对的第二表面在所述第一方向上的第三长度长于所述第二长度。
4.根据权利要求3所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一阻挡绝缘层在所述第一方向上的第四长度长于所述第一长度。
5.根据权利要求3所述的垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件还包括：势垒层，所述势垒层位于所述第一绝缘图案与所述第一栅电极之间并且位于所述第二绝缘图案与所述第一栅电极之间，
6.根据权利要求5所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述势垒层位于所述第一阻挡绝缘层与所述第一栅电极之间。
7.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述电荷存储层在所述第一方向上的长度朝向所述半导体图案增大。
8.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一电
9.根据权利要求8所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第二电荷绝缘层包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。
10.一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：
11.根据权利要求10所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一阻挡绝缘层与所述第二阻挡绝缘层之间的第三距离短于所述第二距离。
12.根据权利要求10所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一距离随着所述第一电荷存储层和所述第二电荷存储层延伸得更靠近所述半导体图案而减小。
13.根据权利要求10所述的垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件还包括：
14.根据权利要求10所述的垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件还包括：电荷绝缘层，所述电荷绝缘层位于所述第一电荷存储层与所述第二电荷存储层之间。
15.根据权利要求14所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一电荷存储层的表面与所述电荷绝缘层接触并且为凹形。
16.根据权利要求14所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述电荷绝缘层包括与所述绝缘图案的材料不同的材料。
17.根据权利要求14所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一电荷绝缘层位于所述第一阻挡绝缘层与所述第二阻挡绝缘层之间。
18.一种制造垂直非易失性存储器件的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述第一阻挡绝缘层和所述第二阻挡绝缘层包括：
20.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括：在位于所述第一电荷存储层与所述第二电荷存储层之间以及位于所述第一阻挡绝缘层与所述第二阻挡绝缘层之间的空间中形成电荷绝缘层。
...【技术特征摘要】
1.一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一阻挡绝缘层位于所述第一电荷绝缘层与所述第二电荷绝缘层之间。
3.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述电荷存储层的与所述半导体图案相对的第二表面在所述第一方向上的第三长度长于所述第二长度。
4.根据权利要求3所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一阻挡绝缘层在所述第一方向上的第四长度长于所述第一长度。
5.根据权利要求3所述的垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件还包括：势垒层，所述势垒层位于所述第一绝缘图案与所述第一栅电极之间并且位于所述第二绝缘图案与所述第一栅电极之间，
6.根据权利要求5所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述势垒层位于所述第一阻挡绝缘层与所述第一栅电极之间。
7.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述电荷存储层在所述第一方向上的长度朝向所述半导体图案增大。
8.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第一电荷绝缘层包括与所述第一绝缘图案的材料不同的材料。
9.根据权利要求8所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述第二电荷绝缘层包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。
10.一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔铜成，金秉柱，金柔净，金载镐，千昌宪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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