【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、以往，已知具备igbt等的半导体装置(例如，参照专利文献1、2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2015-023118号公报
5、专利文献2：日本特开2018-049866号公报
技术实现思路
1、技术问题
2、在半导体装置中优选抑制开关损耗。
3、技术方案
4、为了解决上述问题，在本专利技术的第一方式中提供一种半导体装置。半导体装置可以具备具有上表面和下表面且设置有第一导电型的漂移区的半导体基板。半导体装置可以具备与所述半导体基板的所述上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的发射区。上述任一半导体装置可以具备与所述发射区相接地设置的第二导电型的基区。上述任一半导体装置可以具备设置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间的第二导电型的集电区。上述任一半导体装置可以具备与所述集电区的上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述集电区的掺杂浓度高的第一导电型的浮置区。在上述任一半导体装置中，所述集电区可以具有未被所述浮置区覆盖的第一区域、以及被所述浮置区覆盖的第二区域。
5、在上述任一半导体装置中，所述浮置区的掺杂浓度可以为所述集电区的掺杂浓度的10倍以上。
6、在上述任一半导体装置中，所述浮置区的深度方向上的厚度可以为所述集电区的深度方向上的厚度的0.5倍以上。
7、在上述
8、在上述任一半导体装置中，在将俯视下的占所述集电区的单位面积的所述第一区域的面积设为s1、将俯视下的占所述集电区的单位面积的所述第二区域的面积设为s2、将所述第一区域的注入效率设为η1、将所述第二区域的所述注入效率设为η2的情况下，由下式给出的平均注入效率ηc可以为0.1以上且0.4以下。
9、ηc＝(s1×η1+s2×η2)/(s1+s2)
10、对于上述任一半导体装置而言，可以具备在所述集电区与所述漂移区之间形成，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的缓冲区。在上述任一半导体装置中，所述浮置区可以配置在所述缓冲区与所述集电区之间。在上述任一半导体装置中，所述浮置区的掺杂浓度可以比所述缓冲区的掺杂浓度高。
11、在上述任一半导体装置中，可以将俯视下的占所述集电区的单位面积的所述第一区域的面积设为s1、将俯视下的占所述集电区的单位面积的所述第二区域的面积设为s2。在上述任一半导体装置中，所述集电区的平均掺杂浓度dc可以使用所述第一区域中的所述集电区的掺杂浓度na由下式给出。
12、dc＝s1×na/(s1+s2)
13、在上述任一半导体装置中，所述第一区域中的所述集电区的所述掺杂浓度na可以比所述平均掺杂浓度dc高。在上述任一半导体装置中，所述第二区域的面积s2相对于所述第一区域的面积s1的比例α可以由下式给出。
14、α＝s2/s1
15、在上述任一半导体装置中，比例β可以由包括所述浮置区的掺杂浓度nd的下式给出。
16、β＝(na/dc-1)×nd/(nd-na)
17、在上述任一半导体装置中，所述比例α可以为所述比例β以上。
18、在上述任一半导体装置中，从所述半导体基板的所述上表面起设置到所述漂移区为止并且与所述发射区和所述基区相接的栅极沟槽部，可以沿排列方向配置多个。在上述任一半导体装置中，所述第一区域和所述第二区域可以沿所述排列方向交替地配置。
19、上述任一半导体装置可以具备包括所述发射区和所述基区的有源部。上述任一半导体装置可以具备在俯视下包围所述有源部，与所述半导体基板的所述上表面相接地设置的第二导电型的阱区。上述任一半导体装置可以具备配置在所述阱区与所述半导体基板的端边之间的边缘终端结构部。在上述任一半导体装置中，在所述有源部可以设置有所述第一区域和所述第二区域这两者。在上述任一半导体装置中，在所述边缘终端结构部可以设置有所述第二区域且不设置所述第一区域。
20、在上述任一半导体装置中，在与所述阱区重叠的位置可以设置有所述第二区域且不设置所述第一区域。
21、在上述任一半导体装置中，所述边缘终端结构部的所述第二区域可以设置为，延伸到与所述有源部的所述发射区重叠的位置。
22、上述任一半导体装置可以具备从所述半导体基板的所述上表面起设置到所述漂移区为止，且与所述发射区和所述基区相接的栅极沟槽部。在上述任一半导体装置中，所述第一区域可以设置在与所述栅极沟槽部重叠的位置。
23、上述任一半导体装置可以具备与所述半导体基板的所述上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高的接触区。在上述任一半导体装置中，所述第一区域的接触面积比可以高于所述第二区域的接触面积比。在上述任一半导体装置中，所述接触面积比可以是在所述半导体基板的所述上表面露出的所述接触区的面积相对于单位面积的比例。
24、应予说明，上述
技术实现思路
并没有列举本专利技术的全部必要特征。另外，这些特征组的子组合也能够另外成为专利技术。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
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